Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "68.55.Df" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-6 z 6
Tytuł:
Effect of Annealed (0001) α-$Al_2O_3$ Surfaces on Heteroepitaxial Growth of Silver Nanoparticles
Autorzy:
Al-Mohammad, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1808108.pdf
Data publikacji:
2009-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
81.15.Aa
61.05.jh
61.46.Df
Opis:
The effect of annealed (0001) α -$Al_2O_3$ surfaces on heteroepitaxial growth of silver nanoparticles were analysed by reflection high-energy electron diffraction, transmission electron microscope and selected area electron diffraction. Ag nanoparticles were deposited on 1× 1 stoichiometric and reconstructed (111)Al//(0001) α -$Al_2O_3$ with the Knudsen cell. The maximum cluster density method and the Lifethenz theory of Van der Waals energy were used to investigate the Ag//(0001)α -$Al_2O_3$ interface parameters. The growth modes, lattice parameters, nanoparticle forms and sizes are strongly dependent on the substrate surface structures. Initially, three-dimensional islands of Ag nanoparticles grow on both kinds of surfaces with partial hexagonal shapes. Ag nanoparticles on stoichiometric surface create the (111)Ag//(0001)α -$Al_2O_3$ interface without any preferred epitaxial direction. On this surface, Gaussian distribution is characteristic of an atom-by-atom growth mode with density of Ag nanoparticles lower than saturation density while a coalescence growth mode appears due to binary collisions between Ag nanoparticles accompanied by a liquid-like behaviour after saturation density. In case of reconstruction substrates, the epitaxial relationships between Ag nanoparticles and the surface are formed (111)Ag//(0001)α -$Al_2O_3$, 〈01\bar(1)〉Ag//[12\bar(3)0]α -$Al_2O_3$ or 〈01\bar(1)〉Ag//[1\bar(1)00]α-$Al_2O_3$. The Ag nanoparticles make rotation with angles between ± 6° around the epitaxial orientations 〈1\bar(1)00〉 or 〈12\bar(3)0〉. Only the atom-by-atom growth mode were found at all Ag nanoparticles growth processes.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 3; 679-684
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Observation of Two-Dimensional Electron Gas in LPE-Grown GaInAs-InP Heterostructures
Autorzy:
Fronc, K.
Grabecki, G.
Wróbel, J.
Dietl, T.
Gajewska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891365.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
73.20.Dx
73.60.Br
Opis:
A series of GaInAs/InP heterostructures was grown by liquid phase epitaxy. The heterostructures were characterized by magnetotransport measurements carried out down to 1.8 K and up 10 T. The results demonstrate the existence of the high-mobility two-dimensional electron gas in the narrow-gap GaInAs as well as the presence of residual conductance through the InP buffer layer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 449-452
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Growth and Properties of ZnMnTe Nanowires
Autorzy:
Zaleszczyk, W.
Janik, E.
Presz, A.
Szuszkiewicz, W.
Morhange, J. F.
Dłużewski, P.
Kret, S.
Kirmse, H.
Neumann, W.
Dynowska, E.
Domagała, J. Z.
Caliebe, W.
Aleszkiewicz, M.
Pacuski, W.
Golnik, A.
Kossacki, P.
Baczewski, L. T.
Petroutchik, A.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047697.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.46.Df
68.65.La
78.55.Et
78.67.Bf
81.15.Hi
Opis:
Catalytically enhanced growth of ZnMnTe diluted magnetic semiconductor nanowires by molecular beam epitaxy is reported. The growth is based on the vapor-liquid-solid mechanism and was performed on (001) and (011)-oriented GaAs substrates from elemental sources. X-ray diffractometry, scanning and transmission electron microscopy, atomic force microscopy, photoluminescence spectroscopy, and Raman scattering were performed to determine the structure of nanowires, their chemical composition, and morphology. These studies revealed that the obtained ZnMnTe nanowires possess zinc-blende structure, have an average diameter of about 30 nm, typical length between 1 and 2μm and that Mn$\text{}^{2+}$ ions were incorporated into substitutional sites of the ZnTe crystal lattice.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 351-356
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electroepitaxial Growth of GaSb and AlGaSb Thick Epitaxial Layers
Autorzy:
Zytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934052.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
Semi-bulk epitaxial layers of GaSb and AlGaSb up to 3 and 1 mm thick, respectively, were successfully grown by the liquid phase electroepitaxy on GaSb substrates. The growth procedure allowed us to achieve high crystallographic perfection as well as compositional uniformity of ternary layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 965-968
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
In Situ Monitoring of Electroepitaxial Growth of Thick AlGaAs Layers
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929752.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
In situ growth monitoring technique has been used to analyse growth disturbances during the liquid phase electroepitaxial growth of thick AlGaAs layers. It allowed us to explain the nature of growth instability occurring at the end of the growth and affecting the maximum thickness of AlGaAs layers obtainable by liquid phase electroepitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On the High Compositional Uniformity of Thick GaAlAs Layers Grown by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Miotkowska, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923664.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
The results of electroepitaxial growth of thick GaAlAs layers on GaAs substrates are presented. It is experimentally proven that effective convective mixing of the solution volume results in the compositional uniformity of GaAlAs layers, even in spite of the high compositional non-uniformity of the material supplying the solutes (Al, As) to the solution during the growth of the layers. For the first time this allowed us to grow uniform GaAlAs layers with thicknesses up to 200-300 μm in a wide composition range from a small (5 g) amount of solution.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 765-768
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-6 z 6

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies