Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "67.63.Gh" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Dispersive Micro Raman Backscattering Spectroscopy Investigation of Arc Discharge Synthesized CNTs Doped by Boron and Nitrogen
Autorzy:
Babanejad, S.
Malekfar, R.
Seyyed Hosseini, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807785.pdf
Data publikacji:
2009-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.46.Fg
63.22.Gh
78.67.Ch
81.07.De
Opis:
Raman scattering studies reveal the remarkable structure and the unusual electronic and phonon properties of carbon nanotubes. In this study, we directly produced boron, B, and nitrogen doped carbon nanotubes by using DC-arc discharge method which normally can be employed for producing carbon nanotubes. We performed experiments without using catalysts and in the presence of Ar gas for producing boron doped carbon nanotubes. At the second and third stages and in the presence of $Al_{2}O_{3}$ and MgO nanopowders as catalysts and nitrogen gas were used for producing nitrogen doped carbon nanotubes. In general, our investigation revealed that some major changes caused by B and N dopants can be observed in the related recorded Raman spectra.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 2; 217-220
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Metal-Semiconductor Transition on the Surface and in the Bulk of Europium Hydride Thin Film
Autorzy:
Knor, M.
Nowakowski, R.
Duś, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1418265.pdf
Data publikacji:
2012-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
67.63.Gh
73.61.-r
78.66.-w
73.20.-r
Opis:
Thin europium films (20-50 nm thick) on a glass substrate were transformed into $EuH_x$ (0 < x < 2) by interaction with H_2 introduced into the reactor in successive calibrated doses. By measuring the pressure, the hydrogen uptake (H/Eu) was determined at every step of the reaction. In situ monitoring of bulk properties (electrical resistance R(H/Eu), relative transparency to light T(H/Eu)/$T_0$ and (H/Eu) dependent light transparency spectrum) confirms metal-semiconductor transition at room temperature. Both the electrical resistance and optical transparency of the film strongly increase with hydrogen concentration as a consequence of the resulting increase of the content of semiconducting dihydride. Moreover, the course of work function changes ΔΦ(H/Eu) indicates inversion of the charge-transfer direction on the surface. The transition at room temperature from positively to negatively polarized hydrogen adsorbate was observed in situ during hydrogen uptake. As a result, the work function at equilibrium state varies with hydrogen content from +18 to -18 mV with respect to pure metal film, reflecting the change of "mirror potential" generated on the surface due to the accumulation of hydrogen adsorbates in the subsurface region.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 4; 698-703
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies