Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "61.16.Hn" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Low-Symmetry Aspects in EPR Spectra of Mn$\text{}^{2+}$ at Bi$\text{}^{3+}$ Sites in BiVO$\text{}_{4}$ Single Crystal
Autorzy:
Yeom, T. H.
Choh, S. H.
Rudowicz, Cz.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1920948.pdf
Data publikacji:
1992-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.10.Dg
76.30.Da
61.16.Hn
78.20.Hp
Opis:
Zero-field splitting parameters obtained from EPR X-band experiments of Baran et al. (1985) and Yeom et al. (1992) are reanalyzed. Transformation relations are derived to express the two sets of data in the same axis system. Problems arising from using a truncated zero-field splitting Hamiltonian in fitting the experimental data are elucidated. Low-symmetry aspects in EPR spectra of Mn$\text{}^{2+}$ at Bi$\text{}^{3+}$ sites in BiVO$\text{}_{4}$ single crystal are considered. Good agreement for orthorhombic parameters b$\text{}_{2}^{0}$ and b$\text{}_{2}^{2}$ is obtained indicating that the centres observed in the two cases are the same Mn centres. The remaining b$\text{}_{k}^{q}$ parameters accounting for the actual site symmetry around Mn$\text{}^{2+}$ impurity which seems to be lower than orthorhombic in the ferroelastic phase cannot be unambiguously determined from the existing EPR data.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 3; 503-510
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of Defect Centres in Semiconductors by Advanced ENDOR Techniques
Autorzy:
Gregorkiewicz, T.
Altink, H. E.
Ammerlaan, C. A. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1888048.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Hn
Opis:
The advanced magnetic resonance techniques and their application to the studies of defects in semiconductors will be reviewed. Transient and stationary ENDOR, optically detected ENDOR and double ENDOR variations will be briefly discussed while special attention will be given to the Field-Stepped-ENDOR technique. The successful application of the advanced ENDOR techniques for the structure determination of complex defects will be illustrated by the examples concerning the boron-vacancy complex and thermal donors in silicon and the gallium vacancy in gallium phosphide.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 161-170
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies