Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "42.82.Fv" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Optoelectronic Device Based on Gunn Effect Extended Diode Structure
Autorzy:
Tralle, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047347.pdf
Data publikacji:
2007-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.25.Fx
42.79.Dj
42.79.Gn
42.82.Et
42.82.Fv
Opis:
We discuss the possibility of light control by means of light diffraction by space charge waves which are the periodic domain trains induced at some circumstances in GaAs Gunn effect diode. The two possible regimes of the proposed device are considered: the first one which is analogous to the Bragg diffraction in case of light-acoustic diffraction and the other one, which we call "intermediate", since the parameter Q which distinguishes the Raman-Nath (Q<1) and the Bragg diffraction (Q>10), in this case is≈1 (actually, only bit smaller than 1). Among the advantages of this hypothetical device are the simpler control of operation and perhaps, possibility to couple it with the waveguides and switchers for surface electromagnetic waves and other miniaturized photonic circuits.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 111, 6; 835-846
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies