Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "42.60.Mi" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Chaotic and Mixed Mode Oscillation Scenarios in Semiconductor Devices: Generation and Synchronization
    Autorzy:
    Abdalah, S.
    Al Naimee, K.
    Ciszak, M.
    Marino, F.
    Meucci, R.
    Arecchi, F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1490499.pdf
    Data publikacji:
    2012-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.60.Mi
    Opis:
    We demonstrate the existence of chaotic spiking and mixed mode oscillations sequences in the dynamics of semiconductor devices (laser diode and light emitting diode) with ac-coupled optoelectronic feedback. We eventually show that this regime is the result of an incomplete homoclinic scenario to a saddle-focus, where an exact homoclinic connection does not occur. The synchronization scenarios have been shown.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 1; 7-9
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis of the Experimental Data from MOS Structures in the Case of Large Noise-to-Signal Ratio
    Autorzy:
    Borowicz, L.
    Borowicz, P.
    Rzodkiewicz, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807595.pdf
    Data publikacji:
    2009-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Ye
    85.30.Tv
    77.55.-g
    42.60.Mi
    Opis:
    The signal coming from $SiO_{2}$ layer of MOS structure have large noise-to-signal ratio. This has two reasons - first: the dielectric layers have small Raman efficiency, second: the thickness of the dielectric layers are of the order of 10 nm, so the volume of the material irradiated with laser light is small. At the other side spectroscopic and optical data carry the information about important properties of the structure like mechanical stress. Distribution of mechanical stress introduce an important contribution to the electric properties of the electronic systems based on the MOS structures. Therefore, it is important to "distillate" the optical data from the noise. In this contribution the authors discuss some methods of denoising of the Raman signal. The discussed methods compare treatments like wavelet analysis or convolution. The work is illustrated with some examples of the extraction of the data coming from thin layers. The examples of application of the optical data in the description of the properties of the studied structures are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-26-S-29
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Intrinsic Luminescence of the Undoped Glasses of (CaO-Ga$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$-GeO$\text{}_{2}$) System
    Autorzy:
    Padlyak, B. V.
    Bordun, O. M.
    Buchynskii, P. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2010938.pdf
    Data publikacji:
    1999-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.70.Ce
    78.60.-b
    76.30.Mi
    Opis:
    For the first time the intrinsic luminescence in the undoped (CaO-Ga$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$-GeO$\text{}_{2}$) glasses with different composition has been found and investigated in the 80÷300 K temperature range. The new glasses of high chemical purity and optical quality with stoichiometric composition similar to that in calcium-gallium- germanium garnet (Ca$\text{}_{3}$Ga$\text{}_{2}$Ge$\text{}_{3}$O$\text{}_{12}$), trigonal Ca-gallogermanate (Ca$\text{}_{3}$Ga$\text{}_{2}$Ge$\text{}_{4}$O$\text{}_{14}$), and Ca$\text{}_{3}$Ga$\text{}_{2}$O$\text{}_{6}$ crystals were obtained by the high-temperature synthesis method. The luminescence and photoexcitation spectra analysis, supported by EPR spectroscopy data, yields the following results: (i) the UV-excited non-elementary broad emission band with maxima at roughly 500 nm and 420 nm in the (CaO-Ga$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$-GeO$\text{}_{2}$) glasses is due to recombination of ensemble of the transient hole O$\text{}^{-}$ centres; (ii) the emission bands with maxima at nearly 380 and 710 nm, which were distinctly revealed in glasses with the Ca$\text{}_{3}$Ga$\text{}_{2}$Ge$\text{}_{4}$O$\text{}_{14}$ and Ca$\text{}_{3}$Ga$\text{}_{2}$O$\text{}_{6}$ compositions, are assigned to the luminescence of UV-induced electron centres of two different types. Possible models of the luminescence centres in (CaO-Ga$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$-GeO$\text{}_{2}$) glass network are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1999, 95, 6; 921-929
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies