Temat: 3C-SiC - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Development of 3C-SiC MOSFETs
Autorzy:: Bakowski, M.
Schöner, A.
Ericsson, P.
Strömberg, H.
Nagasawa, H.
Masayuki, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308791.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: vertical MOSFET
3C-SiC
channel mobility
Opis:: The paper reviews the development of the 3C-SiC MOSFETs in a unique development project combining the material and device expertise of HAST (Hoya Advanced Semiconductor Technologies) and Acreo, respectively. The motivation for the development of the 3C-SiC MOSFETs and the summary of the results from the lateral and vertical devices with varying size from single cell to 3×3 mm2 large devices are reviewed. The vertical devices had hexagonal and square unit cell designs with 2 žm and 4 žm channel length. The p-body was aluminum implanted and the source was nitrogen or phosphorus implanted. Low temperature Ti/W contacts were evaluated.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 49-56
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG
Solution growth of 3C-SiC by TSSG method
Autorzy:: Raczkiewicz, M.
Tymicki, E.
Łukasiewicz, T.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192158.pdf
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: polityp 3C
SiC
wzrost z roztworu
polytype 3C
solution growth
Opis:: W tej pracy przedstawiono metodę wzrostu węglika krzemu politypu 3C. Jako zarodki posłużyły monokrystaliczne płytki węglika krzemu o politypach heksagonalnych 4H-SiC oraz 6H-SiC. Zbadano wzrost na płaszczyznach o orientacji (0001) oraz (000-1). Określony został zakres temperatur, pozwalający na otrzymanie struktur o wysokiej jednorodności politypowej, która została potwierdzona analizą fazową otrzymanego materiału oraz pomiarami widma Ramana.
In this paper, solution growth of 3C-SiC was demonstrated. Monocrystalline 4H-SiC and 6H-SiC wafers were used as seeds. Growth was observed on (0001) and (000-1) planes. The temperature range enabling the fabrication of 3C-SiC structures of high polytypic homogeneity was determined and 3C-SiC growth was confirmed by XRD and Raman spectroscopy.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 2, 2; 4-11
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja