Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "1/f noise" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Metody usuwania zakłóceń podczas pomiarów polowych widm Ramana
    Methods for noise reduction in Raman spectra in field measurements
    Autorzy:
    Kwiatkowski, A.
    Smulko, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/158047.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    spektroskopia Ramana
    detekcja synchroniczna
    szum biały
    szum typu 1/f
    Raman spectroscopy
    synchronous detection
    cosmic rays
    white noise
    1/f noise
    Opis:
    W pracy zostały scharakteryzowane źródła zakłóceń występujące podczas pomiarów widm Ramana w warunkach polowych oraz sposoby redukcji ich wpływu na jakość rejestrowanych widm. Zaprezentowano wpływ czasu integracji na jakość rejestrowanych widm w przypadkach, gdy szumy własne spektrometru mają składową typu 1/f, dominującą w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono także wyniki uzyskane podczas pomiarów z detekcją synchroniczną, stosowaną w przenośnych spektrometrach Ramana, w pomiarach przy silnym oświetleniu zewnętrznym.
    Raman spectrometers are devices which allow immediate and contactless identification of the examined substances. Detection is possible without any sample preparation, even from a distance or via a transparent package, like glass or plastic vials. These features make the Raman spectra measurement technique popular. Therefore it requires continuous development to get better results. Chemicals detection is based on comparison of a registered Raman spectrum with the reference spectra stored in a database. The algorithm which compares the spectra indicates the substances (one or even a few) having the most similar (according to the applied criterion) spectrum to the Raman spectrum of the investigated chemical. The reference database is created in a laboratory by using precise Raman Spectrometers of high resolution and low noise level. Field measurements of the Raman spectra are usually made by a less accurate device and suffer from external interferences. Therefore an additional procedure for noise and interference dumping is necessary. The paper outlines the sources of noise and interference contaminating Raman spectra. The selected methods for their suppression are discussed. The advantage of synchronous detection measurements at ambient light is shown. Finally, the impact of the time integration on the spectra quality, when inherent noise of a spectrometer has a dominant 1/f component at low frequency range is described.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2013, R. 59, nr 4, 4; 281-283
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Noise properties of thin-film Ni-P resistors embedded in printed circuit boards
    Autorzy:
    Stadler, A. W.
    Zawiślak, Z.
    Stęplewski, W.
    Dziedzic, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/201274.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    thin-film resistors
    Ni-P foil
    1/f noise
    low-frequency noise measurements
    Opis:
    Noise studies of planar thin-film Ni-P resistors made in/on Printed Circuit Boards, both covered with two different types of cladding or uncladded have been described. The resistors have been made of the resistive-conductive-material (Ohmega-Ply©) of 100 Ώ/sq. Noise of the selected pairs of samples has been measured in the DC resistance bridge with a transformer as the first stage in a signal path. 1/f noise caused by resistance fluctuations has been found to be the main noise component. Parameters describing noise properties of the resistors have been calculated and then compared with the parameters of other previously studied thin- and thick-film resistive materials.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2013, 61, 3; 731-735
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Measurements of low frequency noise of infrared photo-detectors with transimpedance detection system
    Autorzy:
    Ciura, Ł.
    Kolek, A.
    Gawron, W.
    Kowalewski, A.
    Stanaszek, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221094.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    1/f noise
    infrared detectors
    nBn structure
    HgCdTe heterostructures
    noise measurements
    transimpedance detection system
    type II InAs/GaSb superlattice
    Opis:
    The paper presents the method and results of low-frequency noise measurements of modern mid-wavelength infrared photodetectors. A type-II InAs/GaSb superlattice based detector with nBn barrier architecture is compared with a high operating temperature (HOT) heterojunction HgCdTe detector. All experiments were made in the range 1 Hz - 10 kHz at various temperatures by using a transimpedance detection system, which is examined in detail. The power spectral density of the nBn’s dark current noise includes Lorentzians with different time constants while the HgCdTe photodiode has more uniform 1/f - shaped spectra. For small bias, the low-frequency noise power spectra of both devices were found to scale linearly with bias voltage squared and were connected with the fluctuations of the leakage resistance. Leakage resistance noise defines the lower noise limit of a photodetector. Other dark current components give raise to the increase of low-frequency noise above this limit. For the same voltage biasing devices, the absolute noise power densities at 1 Hz in nBn are 1 to 2 orders of magnitude lower than in a MCT HgCdTe detector. In spite of this, low-frequency performance of the HgCdTe detector at ~ 230K is still better than that of InAs/GaSb superlattice nBn detector.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2014, 21, 3; 461-472
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Noise Measurements Of Resistors With The Use Of Dual-Phase Virtual Lock-In Technique
    Autorzy:
    Stadler, A. W.
    Kolek, A.
    Zawiślak, Z.
    Dziedzic, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221468.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    1/f noise
    polymer thick-film resistor
    low-frequency noise measurements
    virtual lock-in
    Opis:
    Measurement of low-frequency noise properties of modern electronic components is a very demanding challenge due to the low magnitude of a noise signal and the limit of a dissipated power. In such a case, an ac technique with a lock-in amplifier or the use of a low-noise transformer as the first stage in the signal path are common approaches. A software dual-phase virtual lock-in (VLI) technique has been developed and tested in low-frequency noise studies of electronic components. VLI means that phase-sensitive detection is processed by a software layer rather than by an expensive hardware lock-in amplifier. The VLI method has been tested in exploration of noise in polymer thick-film resistors. Analysis of the obtained noise spectra of voltage fluctuations confirmed that the 1/f noise caused by resistance fluctuations is the dominant one. The calculated value of the parameter describing the noise intensity of a resistive material, C= 1·10−21m3, is consistent with that obtained with the use of a dc method. On the other hand, it has been observed that the spectra of (excitation independent) resistance noise contain a 1/f component whose intensity depends on the excitation frequency. The phenomenon has been explained by means of noise suppression by impedances of the measurement circuit, giving an excellent agreement with the experimental data.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2015, 22, 4; 503-512
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    System do pomiaru szumów elementów optoelektroniczncych w szerokim zakresie prądów
    Optoelectronic devices noise measurement set-up in wide diode current range
    Autorzy:
    Sprawka, D.
    Stawarz-Graczyk, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/267697.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    szum typu 1/f
    szumy wybuchowe
    dioda LED
    transoptor
    1/f noise
    RTS noise
    LED
    optocoupler
    Opis:
    W artykule zostanie zaprezentowany opis systemu pomiarowego zawierającego zaprojektowaną głowicę pomiarową do pomiarów szumów generowanych przez elementy optoelektroniczne. Przedstawione zostaną wyniki testów funkcjonowania systemu pomiarowego dla diod LED dla prądu wynoszącego ID = 2 mA. Pomiar odbywał się w zakresie małych częstotliwości czyli do 1 kHz. Głowica pomiarowa została zbudowana w sposób minimalizujący wpływ zakłóceń zewnętrznych na działanie układu.
    In the paper authors present a special measurement set-up which allows for optoelectronic devices noise measurements. Authors will test the system using LEDs for ID = 2 mA and in frequency range of 1 kHz. The measurement set-up was built in a way to avoid external noise. For research authors chose a group colour LEDs. In the following paper authors present the measurement results of power spectrum density function and time function for the optoelectronic devices.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2017, 57; 131-134
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Noise and optical spectroscopy of single junction silicon solar cell
    Autorzy:
    Skvarenina, L.
    Macku, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/220371.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    non-destructive diagnostics
    c-Si solar cells
    1/f noise
    electroluminescence
    lock-in IR thermography
    Opis:
    Noise spectroscopy as a highly sensitive method for non-destructive diagnostics of semiconductor devices was applied to solar cells based on crystalline silicon with a view to evaluating the quality and reliability of this solar cell type. The experimental approach was used in a reverse-biased condition where the internal structure of solar cells, as well as pn-junction itself, was electrically stressed and overloaded by a strong electric field. This gave rise to a strong generation of a current noise accompanied by local thermal instabilities, especially in the defect sites. It turned out that local temperature changes could be correlated with generation of flicker noise in a wide frequency range. Furthermore, an electrical breakdown in a non-stable form also occurred in some specific local regions what created micro-plasma noise with a two-level current fluctuation in the form of a Lorentzian-like noise spectrum. The noise research was carried out on both of these phenomena in combination with the spectrally-filtered electroluminescence mapping in the visible/near-infrared spectrum range and the dark lock-in infrared thermography in the far-infrared range. Then the physical origin of the light emission from particular defects was searched by a scanning electron microscope and additionally there was performed an experimental elimination of one specific defect by the focused ion beam milling.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2018, 25, 2; 303-316
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies