Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Zuk, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 44
Tytuł:
ABC prawa unijnego w transporcie. Cz. 9, Alokacja zdolności przepustowej infrastruktury
ABC of EU legislation. Allocation of infrastructure capacity
Autorzy:
Żuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/251304.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
infrastruktura kolejowa
międzynarodowe przewozy kolejowe
prawo unijne w transporcie
przepustowość w transporcie kolejowym
Opis:
Ze względu na występujące różnice w podejściu do tematyki zdolności przepustowej oraz różnice w wynikach obliczeń, do chwili obecnej nie było możliwe przeprowadzenie porównania i wyciągnięcie ogólnych wniosków na skalę ogólnoeuropejską. W konsekwencji niezbędne stało się jednoznaczne zdefiniowanie ogólnie obowiązującego pojęcia rozporządzalnej zdolności przepustowej infrastruktury kolejowej.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2004, 11, 7-8; 51-56
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Perspektywy rozwoju rolnictwa i gospodarki żywnościowej w Polsce po przystąpieniu do UE
Agriculture and food economy development perspectives in Poland after the accession to the EU
Autorzy:
Zuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/572553.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Opis:
Przystąpienie Polski do Unii Europejskiej spowodowało, że produkcja rolnicza oraz rynki produktów żywnościowych podlegają zwiększonemu zakresowi interwencjonizmu i konkurencyjności oraz wymaganiom jakościowym. Uwarunkowania te zostały narzucone przez prawodawstwo unijne. Gospodarstwa rolnicze oraz przedsiębiorstwa przetwórstwa spożywczego muszą dostosować swoje zakłady do nowej sytuacji w celu utrzymywania istniejących możliwości produkcyjnych oraz pozyskania nowych rynków zbytu. Wymaga to przygotowania takich rozwiązań modelowych, które będą gwarantować wysoką efektywność alokacji środków finansowych prywatnych i publicznych w całym sektorze rolnym.
After the accession to the EU Polish agriculture and agricultural markets have become subject to intesified state interventions, competition and quality requirements. Farms and food processingf industry must adapt to the new conditions in order to acquire access to the new markets and maintain their level of production. New model of economic activity is needed for ensuring the efficiency of public and private funds allocation in the agricultural sector.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Problemy Rolnictwa Światowego; 2006, 15
2081-6960
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Problemy Rolnictwa Światowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Organizacja pracy jako podstawa rachunku kosztów działań sterowanego czasem (TDABC) w rolnictwie
Organization of work process as a basics of the time driven activity based costing in agriculture
Autorzy:
Zuk, J.
Kondraszuk, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/865802.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
The Polish Association of Agricultural and Agribusiness Economists
Opis:
W artykule przedstawiono wybrane problemy organizacji pracy w rolnictwie na potrzeby rachunku kosztów działań sterowanego czasem. Właściwa organizacja procesów produkcyjnych pozwala na wykorzystanie norm i normatywów w rachunku kosztów na etapie podejmowania decyzji i planowania, a także pozwala na lokalizację głównych źródeł nieefektywności w wykorzystaniu posiadanego potencjału produkcyjnego.
The article presents chosen problems of organization work process for the purpose of the time driven activity based costing in agriculture. Comparing to the entire economy, agricultural sector has its own specifi cs, which comes from its biological character of production and dependency on the natural environment. The biological processes and plant or animal physiology decide about the character of production. Human should only create an appropriate conditions for plant and animal development. Production is organized in a form of breeding and cropping activities, which enforce growth of animals. For the purpose of cost account on the level of decision making and planning, it is necessary to set up the appropriate norms and normatives for particular activities. It is also extremely important element of the time driven activity based costing.
Źródło:
Roczniki Naukowe Stowarzyszenia Ekonomistów Rolnictwa i Agrobiznesu; 2011, 13, 1
1508-3535
2450-7296
Pojawia się w:
Roczniki Naukowe Stowarzyszenia Ekonomistów Rolnictwa i Agrobiznesu
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Webowa aplikacja do badania dynamiki procesów logistycznych z redukcją kosztów transportu
Online application for testing dynamic performance of logistic processes with reducing transport costs
Autorzy:
Rogaliński, K.
Żuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1596772.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polskie Wydawnictwo Ekonomiczne
Tematy:
łańcuch dostaw
sterowanie przepływem towarów
proces logistyczny
symulacja
redukcja kosztów transportu
aplikacja do zarządzania zasobami w magazynie
supply chain
supply chain management
simulation of logistic processes
reduction of transport costs
warehouse management software
Opis:
W pracy zaprezentowano aplikację służącą do symulacyjnego badania przebiegu procesów logistycznych. Rozważany problem sterowania przepływem towarów i wymiany informacji w łańcuchu dostaw odwołuje się do sytuacji, w której zasoby centrum logistycznego, wykorzystywane do zaspokojenia zgłaszanego popytu, są uzupełniane towarami z zamówień składanych u jednego lub wielu dostawców. Aplikacja umożliwia badanie właściwości podstawowych, jak również zaawansowanych metod sterowania procesem zarządzania zasobami w warunkach zmiennego popytu oraz różnych parametrów środowiskowych. Za pomocą symulatora możliwa jest ocena wpływu doboru algorytmu oraz parametru minimalnej ilości towarów zamawianych jednorazowo u dostawców na redukcję kosztów transportu przy zachowaniu założonego poziomu obsługi klientów.
The paper presents an advanced software tool for modeling and control of periodic-review inventory systems. In the presented model stock in the warehouse is replenished by one or more suppliers at the same time. The application allows its users to analyze properties of both basic and advanced supply policies in the presence of variable demand and various environmental parameters. Presented software is used to determine the impact of minimum order amount parameter and chosen supply policy on total transportation cost, while still maintaining high customer service level.
Źródło:
Gospodarka Materiałowa i Logistyka; 2016, 5; 2--8
1231-2037
Pojawia się w:
Gospodarka Materiałowa i Logistyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Eksperymentalna weryfikacja algorytmów sterowania zrzutem spadochronowym z wykorzystaniem GPS
Control algorithms of parafoil airdrop with GPS experimental verification
Autorzy:
Kiczyński, K.
Żuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/208678.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
elektronika
spadochron szybujący
GPS
electronics
parafoil
Opis:
Zastosowanie GPS w zrzutach spadochronowych daje liczne korzyści, w tym przede wszystkim zwiększa liczbę dostępnych stref zrzutu oraz znacząco poprawia precyzję dostarczenia ładunku. Wpływa także na bezpieczeństwo samolotu i jego załogi. Wynika to bezpośrednio z czasu przebywania w strefie zrzutu. Długość strefy zrzutu wyznacza się obecnie na co najmniej 500 m. Dla zrzutów wielokrotnych z jednego samolotu długość ta przekracza nawet 1 km. W celu skrócenia tego dystansu możliwe jest wykonanie kilku podejść, ale nie jest to dobre rozwiązanie ze względu na zagrożenie ze strony obrony przeciwlotniczej. Dodatkowo, w celu osiągnięcia dokładności zrzutu lepszej niż 100 m, samolot powinien lecieć na wysokości 150-600 m w zależności od ukształtowania strefy lądowania, rodzaju ładunku i typu spadochronu. Znacznie lepsze parametry uzyskuje się przy zastosowaniu spadochronów szybujących sterowanych sygnałem GPS. Standardowa strefa wielokrotnego zrzutu o długości 1 km umożliwia osiągnięcie strefy lądowania na znacznie mniejszym obszarze. Także wysokość wykonania zrzutu jest znacznie większa, dzięki czemu wzrasta bezpieczeństwo samolotu i załogi. W artykule omówiono kilka algorytmów sterowania zrzutem spadochronowym. Autorzy skupili się szczególnie na dwóch algorytmach sterowania lotem spadochronu - z pojedynczym nawrotem oraz z wieloma nawrotami. Opracowano także metodę pomiaru prędkości wiatru w czasie lotu spadochronu. Opiera się ona na wykonaniu przez spadochron nawrotu o 180º. Szczególną uwagę zwrócono na procedurę lądowania, której algorytm zapewnia maksymalne bezpieczeństwo ładunku przy zetknięciu z ziemią. Opracowane i przeanalizowane algorytmy sterowania lotem zostały zweryfikowane praktycznie. Zbudowano fizykalny model urządzenia do zrzutu sterowanego sygnałami GPS, wykorzystując spadochron szybujący o powierzchni czaszy 24 m² oraz silniki bezszczotkowe prądu stałego do wyciągania linek sterujących. Wykonano 27 zrzutów, z których tylko 2 zakończyły się niekontrolowanym upadkiem na ziemię i zniszczeniem urządzenia. Uzyskano 12 lądowań w strefie poniżej 100 m od punktu docelowego oraz 6 w strefie 100-200 m. Udało się zweryfikować użyteczność algorytmów sterowania na korzyść rozwiązania z pojedynczym zwrotem. Dla tego algorytmu uzyskano 9 lądowań w strefie do 100 m na 14 wykonanych. Dla algorytmu z wieloma zwrotami tylko 3 lądowania na 11 wykonanych miały miejsce w odległości do 100 m od punktu docelowego.
GPS is applied for parachute airdrop systems to reach several main benefits, including an increase in the number of available drop zones and an increase in the cargo's precision, which benefits the user. Parachute airdrop systems with GPS also increase the survivability of the delivery aircraft and its crew. Current drop zones are quite large, 500 meters or more. Airdropping sequential loads (multiple loads aboard a single aircraft) require very long drop zones on the order of 1000 meters, or else the aircraft must make multiple passes over the same area, a tactically unsound thing to do. Furthermore, achieving a high degree of accuracy (less than 100 meters) requires the aircraft to fly at the lowest altitude possible, which can range from 150 meters above ground level to as high as 600 meters, depending on the altitude of the drop zone, the weight of the load, and the number and type of parachutes required. Especially parafoil airdrop systems with GPS can achieve the same or better accuracy from greater heights, allowing the aircraft to drop the load at a much higher, and usually safer, altitude. Furthermore, sequential loads which may require a conventional drop zone as long as 1000 meters can be dropped using GPS parafoil system into a much smaller area. Several algorithms for aerial delivery of payloads with a GPS parafoil system were composed and analyzed in this paper. Authors analysed advantages and disadvantages of two main algorithms for control of parafoil airdrop system using GPS. To improve parameters of designed airdrop system, a method for the wind speed was created. In this method, only one 180 degree return of the parafoil is necessary. An algorithm of the landing procedure was also created and analysed. All created and analysed algorithms were realized by the experiments. There were 27 airdrops of the system including 24 m² parafoil integrated with GPS and a special control unit with brushless DC motors. Only 2 tests were crashed. 12 airdrops finished not far than 100 meters from the desired point of impact, next 6 tests ended in the zone 100-200 meters. As far as the control algorithms are concerned, one-return algorithm appeared better than multi-return one. For the one-return algorithm, 9 tests of 14 finished successfully closer than 100 meters from the desired point of impact. For the multi-return - only 3 of 11 realized.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2011, 60, 1; 351-370
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Podejście procesowe w zarządzaniu gospodarstwem wiejskim
Process approach in the management of rural farm
Autorzy:
Kondraszuk, T.
Zuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/862574.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
The Polish Association of Agricultural and Agribusiness Economists
Tematy:
gospodarstwa wiejskie
zarzadzanie
rachunek ekonomiczny
zarzadzanie procesowe
rolnictwo
Opis:
Gospodarstwa wiejskie1 można scharakteryzować za pomocą procesów i działań. Wpływa to korzystnie na możliwości wprowadzania zmian (innowacji) do jego funkcjonowania i dynamizację systemu produkcyjnego. Proces w gospodarstwie definiowany jest jako ciąg (sekwencja) logicznie uporządkowanych działań, w wyniku których powstaje określony efekt (rezultat). Podejście procesowe do zarządzania organizacją wynika z potrzeby poszukiwania nowych źródeł wzrostu efektywności jej działalności. Tradycyjnie uwaga rolnika skupiała się na posiadanych zasobach i minimalizowaniu nakładów. Przedstawienie funkcjonowania gospodarstwa w ujęciu procesów i działań w sposób automatyczny kieruje rolnika do myślenia w kategoriach usprawnień, a nie ograniczania nakładów.
The main objective of this paper is to present and characterise an agricultural farm as a process organization. Firstly, the concept of a process approach to management is explained. And then, the attempt to create the structure of business processes in a fram is elaborated. It was made by analyzing the processes creating value-added in a ffarm, taking into account its specific situation.
Źródło:
Roczniki Naukowe Stowarzyszenia Ekonomistów Rolnictwa i Agrobiznesu; 2013, 15, 6
1508-3535
2450-7296
Pojawia się w:
Roczniki Naukowe Stowarzyszenia Ekonomistów Rolnictwa i Agrobiznesu
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Quantity-based flow control strategy for connection-oriented communication networks
Autorzy:
Karbowańczyk, M.
Żuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201349.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
telecommunication networks
congestion control
Smith predictor
Opis:
In this paper a new flow control strategy for connection-oriented communication networks is presented. It utilises methods of control theory, in particular the Smith predictor and dead-beat control, to achieve desirable dynamics of the considered network. In contrast to a number of earlier proposals in which the controller command is interpreted as the rate transmission, in our solution it is interpreted as the quantity of data that the controlled node is expected to send. This allows us to model a single virtual connection with non-persistent data source as a time-delay system in which the delay may temporarily exceed its assumed boundary. Favourable properties of the proposed control strategy are formulated as mathematical theorems and thoroughly discussed.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2012, 60, 2; 293-300
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Epitaxial Layer Thickness on Built-in Electric Field in Region of AlGaAs/SI-GaAs Interface: A Photoreflectance Study
Autorzy:
Ochalski, T. J.
Żuk, J.
Vlasukova, L. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968408.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.20.-e
Opis:
We present a study of detailed line shapes of photoreflectance spectra for Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$ As/SI-GaAs epitaxial layers grown by MBE. All measurements were performed at 80 K under UHV conditions with a special care for the samples surface quality. A set of the photoreflectance spectra was collected for photon energies close to the GaAs and Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As band gaps (E$\text{}_{0}$). The photoreflectance spectra originated in the vicinity of the Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As/SI-GaAs interface were analyzed using the complex Airy function model of Franz-Keldysh oscillations. To examine the effect of the epitaxial layer thickness on parameters characterizing the interface, a step-by-step chemical etching was applied for stripping the top layers. The built-in electric field intensity, field inhomogeneity and phenomenological broadening parameter for interface regions were determined as a function of the epilayer thickness.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 935-939
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ion Beam Induced Darkening in Tetrahedral Amorphous Carbon Thin Films
Autorzy:
Sandulov, M.
Berova, M.
Tsvetkova, T.
Zuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402243.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.U-
68.55.Ln
42.70.Ln
Opis:
The samples of thin film (d ≈ 40 nm) tetrahedral amorphous carbon (ta-C), deposited by the filtered cathodic vacuum arc have been implanted with N⁺ at a fluence of 3×10¹⁴ cm¯² and ion energy E=20 keV. The induced structural modification of the implanted material results in a considerable change of its optical properties, best manifested by a significant shift of the optical absorption edge to lower photon energies as obtained from optical transmission measurements. This shift is accompanied by a considerable increase of the absorption coefficient (photodarkening effect) in the measured wavelength range (350÷2500 nm). These effects could be attributed to both the additional defect introduction and the increased graphitization, as confirmed by the X-ray photoelectron spectroscopy measurements. The optical contrast thus obtained (between implanted and unimplanted film materials) could be made use of in the area of high-density optical data storage using the focused ion beams.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 953-956
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Teoretyczno-eksperymentalne badania penetracji pancerza RHA litego i warstwowego pociskiem EFP
Theoretical-experimental tests for penetration of homogeneous and layered RHA armour by EFP projectile
Autorzy:
Jach, K.
Rutyna, K.
Świerczyński, R.
Żuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/235981.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Wojskowy Instytut Techniczny Uzbrojenia
Tematy:
symulacje komputerowe
balistyka końcowa
computer simulations
terminal ballistics
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki prac teoretyczno-eksperymentalnych dotyczące przebijania litych i wielowarstwowych tarcz ze stali RHA. Ciałem przebijającym był pocisk typu EFP z żelaza ARMCO. Zaprezentowano wyniki symulacji komputerowych procesu napędzania oraz deformacji sferycznej wkładki kumulacyjnej przez produkty detonacji aż do momentu uformowania pocisku EFP typu powłokowego - dla oceny jego kształtów i parametrów. W oparciu o uzyskane dane przyjęto zastępczy model pocisku do symulacji procesu zderzenia. Przedstawiono wyniki modelowania komputerowego procesu penetracji pancerza litego i warstwowego przez tego typu pocisk oraz wyniki eksperymentu poligonowego penetracji tarczy RHA 70 mm.
Theoretical and experimental results of homogeneous and multi-layered RHA targets penetration by an ARMCO iron EFP are presented in the paper. A computer simulation from initial movement and deformation of spherical shaped charge liner to the creation of EFP is included both with a simplified model of the projectile for the simulation of penetration process. Experimental results are provided for 70 mm RHA plate.
Źródło:
Problemy Techniki Uzbrojenia; 2005, R. 34, z. 94; 135-143
1230-3801
Pojawia się w:
Problemy Techniki Uzbrojenia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoreflectance Studies of InGaAs/GaAs/AlGaAs Single Quantum Well Laser Structures
Autorzy:
Ochalski, T. J.
Żuk, J.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992051.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.20.-e
Opis:
We report on photoreflectance investigations of strained-layer In$\text{}_{0.2}$Ga$\text{}_{0.8}$As/GaAs/Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As single quantum well laser structures grown by molecular beam epitaxy. All the observed photoreflectance spectral features were assigned to the e-hh transitions with Δn=0. The transition energies were determined and compared to their values calculated within the envelope function approximation. Assuming that one third of the total strain in the central In$\text{}_{0.2}$Ga$\text{}_{0.8}$As layer is relaxed by biaxial deformation of surrounding thin GaAs layers, it is possible to explain reasonably the results of our photoreflectance experiment.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 463-467
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Chemical Composition of Native Oxide Layers on $In^{+}$ Implanted and Thermally Annealed GaAs
Autorzy:
Kulik, M.
Kołodyńska, D.
Żuk, J.
Komarov, F.
Filiks, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400486.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uj
79.60.-i
82.80.Yc
Opis:
Semi-insulating GaAs wafers have been implanted with 250 keV In^{+} ions at a fluence of $3 \times 10^{16} cm^{-2}$. The samples prepared in this way were subsequently annealed at a temperature of 600°C or 800°C for 2 h. Thicknesses of the native oxide layers on implanted GaAs after samples storage in air were evaluated using the Rutherford backscattering spectrometry with the nuclear reaction $O^{16}(α,α)O^{16}$ method. The chemical composition of native oxide layers on $In^{+}$ implanted and annealed GaAs has been studied using X-ray photoelectron spectroscopy. $As_{2}O_{3}$, $As_{2}O_{5}$, $Ga_{2}O_{3}$, $GaAs$, $InAs$ and $InAsO_4$ compounds were detected in these layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 943-947
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Implantation Temperature Effects on the Nanoscale Optical Pattern Fabrication in a-SiC:H Films by $Ga^{+}$ Focused Ion Beams
Autorzy:
Tsvetkova, T.
Wright, C.
Hosseini, P.
Bischoff, L.
Zuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400488.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.40.Hp
81.16.Rf
68.55.Ln
Opis:
This work is related to a novel approach of providing some new generation ultrastable (> 50 years), ultrahigh density (> 1 Tbit/sq.in.) data storage for archival applications. We used ion-implantation to write nanoscale data into hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC:H) films. Wide bandgap a-SiC:H samples, $Ga^{+}$ focused ion beam implanted, have been prepared. A range of samples has been focused ion beam patterned under different implantation conditions, with emphasis on different substrate temperatures (typically from 0C temperature to around room temperature). Some of the room temperature implanted samples were further annealed at + 250C in vacuum. The focused ion beam patterned samples were then analysed using near-field techniques, like atomic force microscopy, to define optimum implantation conditions and the resulting consequences for archival data storage applications. The atomic force microscopy analysis of $Ga^{+}$ focused ion beam implanted $a-Si_{1-x}C_{x}:H$ samples at room temperature and at 0C revealed an increase of both the depth and the width of the individual lines within the focused ion beam written patterns at the lower temperature, as a result of an increased ion beam induced sputtering yield, in good agreement with the previous results for the case of $Ga^+$ broad beam implantation in $a-Si_{1-x}C_{x}:H$ and again suggesting that the best conditions for optical data storage for archival storage applications would be using $Ga^+$ ion implantation in a-SiC:H films with an optimal dose at room temperatures. Similarly, the atomic force microscopy results confirm that no advantage is expected to result from post-implantation annealing treatments.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 952-955
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Depth Profile Analysis of Phosphorus Implanted SiC Structures
Autorzy:
Konarski, P.
Król, K.
Miśnik, M.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Turek, M.
Żuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402214.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.49.Sf
68.55.Ln
82.80.Ms
85.40.Ry
Opis:
Secondary ion mass spectrometry depth profile analyses were performed on two sets of 4H-SiC(0001) substrate samples implanted with phosphorus. Both sets were processed under the same conditions. We implanted the samples with 100 keV (10¹¹-10¹⁴ cm¯²) phosphorus ions through the thin chemical vapor deposition deposited silicon dioxide stopping mask in order to obtain an ultra-shallow implantation profile. After phosphorus implantation, secondary ion mass spectrometry depth profile analysis was performed on the first set of samples and the second set was subjected to thermal oxidation procedure at 1200°C in order to create a dielectric layer. The aim of the oxidation process was formation of the silicon dioxide layer enriched with phosphorus: the element, which is considered to be suitable for trap density reduction. Ion implantation parameters as well as oxidation and chemical etching procedures were examined for the proper incorporation of phosphorus into the subsurface structure of the silicon oxide. Secondary ion mass spectrometry depth profile analysis was performed with Physical Electronics 06-350E sputter ion gun and QMA-410 Balzers quadrupole mass analyser. The analytical parameters such as: 1.7 keV Ar⁺ ion beam digitally scanned over 3×3 mm² area and ion erosion rate of 1.4 nm/min and sampling rate of 0.3 nm, were suitable for samples oxidized after ion implantation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 864-866
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nanocrystal- and Dislocation-Related Luminescence in~Si Matrix with InAs Nanocrystals
Autorzy:
Komarov, F.
Vlasukova, L.
Milchanin, O.
Mudryi, A.
Zuk, J.
Pyszniak, K.
Kulik, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504152.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
78.60.Fi
Opis:
We have studied the influence of ion implantation and post-implantation annealing regimes on the structural and optical properties of silicon matrix with ion-beam synthesized InAs nanocrystals. (100) Si wafers were implanted at 25 and 500°C, subsequently with high fluences of As and In ions. After implantation the samples were processed by furnace and rapid thermal annealing at 900, 950 and 1050°C. A part of the samples implanted at 25°C was additionally exposed to $H_2^{+}$ ions (100 keV, 1.2 × $10^{16} cm^{-2}$ in terms of atomic hydrogen). This procedure was performed to obtain an internal getter. In order to characterize the implanted samples transmission electron microscopy and low-temperature photoluminescence techniques were employed. It was demonstrated that by introducing getter, varying the ion implantation temperature, ion fluences and post-implantation annealing duration, and temperature it is possible to form InAs nanocrystals in the range of sizes of 2-80 nm and create various concentration and distribution of different types of secondary defects. The last ones cause in turn the appearance in photoluminescence spectra dislocation-related D1, D2 and D4 lines at 0.807, 0.870 and 0.997 eV, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 204-207
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 44

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies