Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Zeng, S." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Zmodyfikowany model prognozowania niezawodności urządzeń elektronicznych
    A modified model of electronic device reliability prediction
    Autorzy:
    Zeng, S.
    Sun, B.
    Tong, Ch.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/301431.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Polskie Naukowo-Techniczne Towarzystwo Eksploatacyjne PAN
    Tematy:
    prognozowanie niezawodności
    modyfikacja modelu
    fizyka uszkodzeń
    urządzenie elektroniczne
    test K-S
    testy cenzurowania losowego
    reliability prediction
    model modification
    physics of failure
    electronic device
    K-S test
    random censored tests
    Opis:
    Prognozowanie niezawodności urządzeń elektronicznych oparte na modelu fizyki uszkodzeń (PoF) jest obarczone niepewnościami. Opierając się na połączeniu testu Kołmogorowa-Smirnowa (testu K-S) i metody symulacji Monte Carlo, w niniejszej pracy zaprezentowano zmodyfikowaną metodę prognozowania niezawodności urządzeń elektronicznych, która bierze pod uwagę ograniczoną liczbę danych testowych o uszkodzeniach. Ilościową charakterystykę głównych czynników niepewności modelu stworzono na podstawie wskaźnika zdolności procesu (Cpk). W pierwszej części pracy badano stopień dopasowania pomiędzy teoretycznym rozkładem podobieństwa uszkodzeń urządzeń elektronicznych obliczanym w oparciu o PoF przy użyciu metody symulacji Monte-Carlo a empirycznym rozkładem podobieństwa uszkodzeń urządzeń elektronicznych uzyskanym na podstawie testowych lub terenowych danych o uszkodzeniach przy życiu metody K-S. W części drugiej, dokonano optymalizacji skorygowanego współczynnika modelu. Wreszcie, na podstawie przykładu modelu oceny termicznej wytrzymałości zmęczeniowej połączenia lutowanego oraz wybranych danych testowych o uszkodzeniach dokonano weryfikacji proponowanej metody. Wyniki prognoz uzyskane na podstawie zmodyfikowanego modelu są zgodne z wynikami testowymi.
    There exist uncertainties in the prediction of electronic device reliability based on PoF (physics of failure) model. Based on the combination of Kolmogorov-Smirnov test (KS-test) and Monte-Carlo simulation method, this paper presents a modified method for reliability prediction of electronic devices considering limited test failure data. The process capability index (Cpk) is used to quantitatively characterize the main factors of model uncertainties. Firstly the degree of fitting between the theoretical probability distribution of electronic device failures based on PoF by using the Monte-Carlo simulation method and the practical probability distribution of electronic device failures based on test or field failure data is tested by using K-S test method. Secondly the corrected coefficient of the model is optimized. Finally, a solder thermal fatigue life assessment model and some test failure data are used to verify the proposed method in the illustrative example. The prediction results calculated by modifi ed model are consistent with test results.
    Źródło:
    Eksploatacja i Niezawodność; 2009, 4; 4-9
    1507-2711
    Pojawia się w:
    Eksploatacja i Niezawodność
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Intrinsic Rhythmic Fluctuation of Membrane Voltage Evoked by Membrane Noise in the Hodgkin-Huxley System
    Autorzy:
    Kuang, S.
    Wang, J.
    Zeng, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1538607.pdf
    Data publikacji:
    2010-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    05.45.-a
    87.10.-e
    Opis:
    We study the influence of membrane noise on the fluctuations of membrane voltage in the Hodgkin-Huxley neuronal system for the giant axon of squids. We find that the resting potentials of membrane patches in the absence of any external stimulus, exhibit apparent rhythmic fluctuation behaviors. The intrinsic fluctuation frequencies of membrane voltage, due to channel noise, thermal noise, or both, roughly share the same frequency ranges, despite that the fluctuations arisen from the former noise are overwhelmingly larger in amplitude than that from the latter. We also show that the rhythmic fluctuations can help enhance the encoding of weak signals within the rhythmic frequencies ranges and thus contribute positively to the information processing in the nervous system.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 3; 435-438
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ontological multi-view failure modeling for ippd
    Ontologiczne wielowidokowe modelowanie uszkodzeń wspierające zintegrowany rozwój produktu i procesów
    Autorzy:
    Ren, Y.
    Sun, B.
    Feng, Q.
    Zeng, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/301032.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Polskie Naukowo-Techniczne Towarzystwo Eksploatacyjne PAN
    Tematy:
    ontologia uszkodzeń
    wiedza
    niezawodność
    IPPD
    failure ontology
    knowledge
    reliability
    Opis:
    Reliability engineering includes series of failure focused technology and management activities running throughout the entire product development cycle. Only these activities are effectively integrated and numerous relevant failure data is synthetically applied, the intent for progressively identifying failure and continuously improving reliability can be obtained. In current engineering practice, the reliability data and knowledge produced in different development phases cannot be efficiently shared and reused. There still exist difficulties in interoperating between different reliability activities. This paper establishes the failure ontology models that contain global failure ontology model, functional failure ontology model and hardware failure ontology model. In virtue of this ontology model, the reliability activities are seamlessly integrated into the integrated product and process development (IPPD). In this model, the evolution process of failure cognition during each development phases is considered. Base on this ontology model, a reliability engineering environment is constructed with the support of PLM (Product Lifecycle Management) platform to verify the ontology model's correctness and applicability.
    Inżynieria niezawodności zajmuje się prowadzeniem licznych działań w zakresie technologii uszkodzeń i zarządzania uszkodzeniami w ciągu całego cyklu rozwoju produktu. Stopniowa identyfikacja uszkodzeń oraz ciągła poprawa niezawodności jest możliwa tylko wtedy, gdy działania te zostaną skutecznie zintegrowane, przy syntetycznym uwzględnieniu szeregu istotnych danych dotyczących uszkodzeń. Obecna praktyka inżynieryjna nie pozwala na efektywną wymianę i ponowne wykorzystanie danych i wiedzy pochodzących z różnych faz rozwoju produktu. Ciągle jeszcze napotyka się trudności dotyczące interoperacyjności różnych działań ukierunkowanych na utrzymanie niezawodności. W artykule opracowano model ontologii uszkodzeń obejmujący modele ontologii uszkodzeń globalnych, funkcjonalnych i sprzętowych. Za sprawą tego modelu ontologicznego, działania niezawodnościowe stają się spójną częścią zintegrowanego rozwoju produktu i procesów (IPPD). Proponowany model uwzględnia ewolucję wiedzy na temat uszkodzenia w ciągu poszczególnych faz rozwoju. Na podstawie prezentowanego modelu ontologicznego stworzono środowisko inżynierii niezawodności oparte na platformie PLM (Zarządzanie Cyklem Życia Produktu) pozwalające zweryfikować poprawność i możliwość zastosowania omawianego modelu.
    Źródło:
    Eksploatacja i Niezawodność; 2011, 2; 35-41
    1507-2711
    Pojawia się w:
    Eksploatacja i Niezawodność
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Improving the stability of discretization zeros with the Taylor method using a generalization of the fractional-order hold
    Autorzy:
    Zeng, C.
    Liang, S.
    Zhang, Y.
    Zhong, J.
    Su, Y.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/330136.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Uniwersytet Zielonogórski. Oficyna Wydawnicza
    Tematy:
    stability
    discretization zeros
    Taylor method
    signal reconstruction
    sampled data model
    stabilność
    dyskretyzacja
    metoda Taylora
    rekonstrukcja sygnału
    model danych
    Opis:
    Remarkable improvements in the stability properties of discrete system zeros may be achieved by using a new design of the fractional-order hold (FROH) circuit. This paper first analyzes asymptotic behaviors of the limiting zeros, as the sampling period T tends to zero, of the sampled-data models on the basis of the normal form representation for continuous-time systems with a new hold proposed. Further, we also give the approximate expression of limiting zeros of the resulting sampled-data system as power series with respect to a sampling period up to the third order term when the relative degree of the continuous-time system is equal to three, and the corresponding stability of the discretization zeros is discussed for fast sampling rates. Of particular interest are the stability conditions of sampling zeros in the case of a new FROH even though the relative degree of a continuous-time system is greater than two, whereas the conventional FROH fails to do so. An insightful interpretation of the obtained sampled-data model can be made in terms of minimal intersample ripple by design, where multirate sampled systems have a poor intersample behavior. Our results provide a more accurate approximation for asymptotic zeros, and certain known results on asymptotic behavior of limiting zeros are shown to be particular cases of the ideas presented here.
    Źródło:
    International Journal of Applied Mathematics and Computer Science; 2014, 24, 4; 745-757
    1641-876X
    2083-8492
    Pojawia się w:
    International Journal of Applied Mathematics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies