Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Zarębski, J" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów

Dostawca treści

Podbaza

Wyrównaj
Wyświetlanie 1-10 z 16
Tytuł:
Pomiary rezystancji termicznej tranzystorów mocy z wykorzystaniem metod pirometrycznych
Application of the pirometric methods for the thermal resistance of power transistors measurements
Autorzy:
Górecki, K.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/157592.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
pomiary rezystancji termicznej tranzystorów
metody pirometryczne
application of pirometric methods
thermal resistance
power transmitors measurements
Opis:
Praca dotyczy pomiarórw rezystancji termicznej wybranych tranzystorów mocy przy wykorzystaniu metod pirometrycznych. Zamieszczono szereg wyników pomiarów tego parametru w funkcji mocy wydzielanej w elemencie, uzyskanych przy zastosowaniu różnych radiatorów obudów i orientacji przestrzennej badanych tranzystorów. Zbadano również nierównomierność przestrzennego rozkładu temperatury w badanej strukturze.
In this paper the problem of measurements of the thermal resistance (Rth) of the selected power transistors with the use of the pirometric method is considered. The measuremental results Rth of bipolar transistors 2N3055 and MOS transistors IRF840 for the dissipated power changing as well as for the various kinds of device cases the temperature distribution on the chip has been estimated.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2003, R. 49, nr 1, 1; 41-44
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
System do automatycznego pomiaru parametrów termicznych półprzewodnikowych przyrządów mocy
An automatic measurement system of thermal parameters of semiconductor power devices
Autorzy:
Bisewski, D.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/152727.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
parametry termiczne
rezystancja termiczna
przejściowa impedancja termiczna
półprzewodnikowe przyrządy mocy
thermal parameters
thermal resistance
transient thermal impedance
semiconductor power devices
Opis:
W pracy omówiono budowę i zasadę działania autorskiego systemu do automatycznego pomiaru parametrów termicznych, w tym czasowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej półprzewodnikowych przyrządów mocy. W rozważanym systemie zaimplementowano popularną impulsową metodę pomiaru parametrów termicznych opartą na wykorzystaniu krzywej chłodzenia elementu półprzewodnikowego. Działanie systemu pomiarowego zilustrowano wynikami pomiarów parametrów termicznych wybranych półprzewodnikowych przyrządów mocy.
Generally, manufacturers of semiconductor devices do not provide in datasheets detailed information about thermal parameters of semiconductor devices, i.e. time waveform of junction-to-ambient transient thermal impedance or dependence of junction-to-ambient thermal resistance versus dissipated power. Therefore, the designers of electronic circuits do not have reliable information about thermal properties of semiconductor devices in the designed circuit [1 - 3]. The paper discusses the construction and operation of automatic measurement system of thermal parameters, including transient thermal impedance and thermal resistance of semiconductor power devices. Block diagram of the measurement system is shown in Fig. 1. In the measurement system, the popular Rubin and Oettinger [6] pulse method for measuring thermal parameters based on the cooling curve of semiconductor device, has been implemented. For reading and archiving the results of measurements, A/D and D/A converter USB-1608GX-2AO fabricated by Measurement Computing [5], has been used. Usefulness of the measuring system is illustrated by results of measurements of thermal parameters of silicon MOSFET (IRFR420A - International Rectifier), silicon carbide MESFET (CRF24010 - Cree) and silicon carbide Schottky diode (IDT06S60C - International Rectifier). As seen in Fig. 3, the thermal resistance junction-to-ambient strongly depends on semiconductor device dissipated power. For example, the thermal resistance of MOSFET decreases about 20% with increase of the dissipated power from 0.1 W to 1 W, at constant ambient temperature. It has been shown, that realization of such measurements allows to obtain more precise information about the thermal parameters of semiconductor devices in comparison to the device catalogue data.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 12, 12; 1150-1153
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Laboratorium pomiarów elementów i układów elektronicznych
Laboratory of measurements of electronic devices and circuits
Autorzy:
Bisewski, D.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/376249.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
laboratorium pomiarów elementów i układów elektronicznych
Akademia Morska w Gdyni
Opis:
W pracy zaprezentowano Laboratorium Pomiarów Elementów i Układów Elektronicznych umiejscowione w Katedrze Elektroniki Morskiej Akademii Morskiej w Gdyni. Należy ono do zespołu laboratoriów, w których realizowane są zagadnienia związane z projektowaniem i wykonywaniem obwodów oraz urządzeń elektronicznych, a także pomiarami elementów elektronicznych stosowanych w tych urządzeniach. Opisano koncepcję laboratorium oraz najważniejsze urządzenia stanowiące jego wyposażenie. Wskazano obszar zadań badawczych i dydaktycznych, w którym to laboratorium może być użyteczne.
The paper presents a research Laboratory of Measurements Electronic Devices and Circuits located in the Department of Marine Electronics in Gdynia Maritime University. The laboratory is dedicated for performing various measurements of characteristics and parameters of electronic devices and circuits. PC-controlled measuring instrumentation of a high precision fabricated e.g. by Keithley, is used in measuring processes.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2013, 76; 251-258
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą
Investigations of thermal parameters of liquid–cooled power MOSFET
Autorzy:
Bisewski, D.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377135.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
tranzystor MOS
parametry termiczne
Opis:
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora MOS mocy, dla którego zastosowano cieczowy system chłodzący firmy Aquacomputer. Zbadano wpływ wybranych parametrów systemu chłodzącego w tym m.in.: rodzaj wymiennika ciepła oraz prędkość przepływu cieczy chłodzącej na właściwości cieplne tranzystora. Dla porównania, przedstawiono wyniki pomiarów parametrów termicznych rozważanego tranzystora umieszczonego na radiatorze. Porównano skuteczność odprowadzania ciepła z wnętrza tranzystora do otoczenia przy zastosowaniu wymienionych wyżej układów chłodzenia.
The paper presents the results of measurements of thermal parameters of power MOSFET implemented in liquid cooling system offered by Aquacomputer. The influence of selected cooling system parameters, such as: the type of heat exchanger and the flow rate of the coolant on the thermal properties of transistor, has been examined. In comparison, the results of measurements of thermal parameters of the considered transistor located on the heat sink, have been presented. Efficiency of heat radiation to the surroundings of the transistor using the above–mentioned cooling systems, has been investigated.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016, 87; 235-244
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pomiary i obliczenia pojemności tranzystorów mocy BJT i SJT wykonanych z węglika krzemu
Measurements and calculations of capacitances of BJT and SJT transistors made of silicon carbide
Autorzy:
Szelągowska, J.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/376685.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
BJT
modelowanie
pojemności
SJT
Opis:
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów charakterystyk pojemności C(u) sterowanych prądowo tranzystorów BJT i SJT, które zrealizowano z wykorzystaniem programowalnego systemu mierzącego firmy Keithley. Wyniki pomiarów porównano z wynikami obliczeń przy zastosowaniu popularnego i często stosowanego modelu Gummela-Poona tranzystora bipolarnego. Dla porównania, przedstawiono również wyniki pomiarów zaprezentowane w literaturze oraz w kartach katalogowych badanych przyrządów. Ponadto, oceniono wpływ temperatury otoczenia na kształt rozważanych charakterystyk pojemności.
In the paper the results of measurements of capacitances C(u) of the current controlled BJT and SJT transistors was presented, for which a programmable measuring system manufactured by Keithley was used. The results of measurements was compared with results of the calculations obtained by using the popular and commonly used Gummel-Poon model. For comparison, the results of the measurements found in the literature and in the datasheets of the considered devices was presented as well. In addition, the influence of ambient temperature on the shape of the considered characteristics was also investigated.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2018, 95; 9-18
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ocena dokładności firmowych modeli diod Schottkyego z węglika krzemu
Evaluation of models accuracy of SiC Schottky diodes
Autorzy:
Bisewski, D.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/376490.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
modelowanie
dioda Schottky'ego
SPICE
węglik krzemu
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej wybranych modeli diod Schottky’ego z węglika krzemu, oferowanych przez producentów rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. W tym celu modele diod zaimplementowano w programie SPICE i przeprowadzono symulacje wybranych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) tych przyrządów. Przeprowadzono ocenę dokładności modeli poprzez porównanie charakterystyk obliczonych tymi modelami z charakterystykami zmierzonymi diod, dostępnymi w ich kartach katalogowych. Do badań wybrano wykonane z węglika krzemu diody Schottky’ego trzech producentów: ST Microelectronics, GeneSiC oraz Rohm.
The paper presents the results of experimental verification of selected models of the silicon carbide Schottky diodes offered by various manufacturers. Schottky diodes fabricated by ST Microelectronics, GeneSiC and Rohm, were chosen for investigations. Models were implemented in SPICE. Calculations of DC characteristics as well as C-V characteristics of the investigated Schottky diodes, were performed. Evaluation of the models accuracy by means of comparison of the calculated and measured characteristics, were performed.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2015, 84; 137-144
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza wpływu nieliniowości modelu termicznego tranzystora MOS mocy na charakterystyki przetwornicy boost
Analisys of the influence of nonlinearity of the thermal model of power mosfet on characteristics of boost converter
Autorzy:
Zarębski, J
Górecka, K.
Górecki, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377219.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
modele termiczne
przetwornica boost
SPICE
analiza elektrotermiczna
Opis:
W pracy przeanalizowano zasadność stosowania nieliniowego modelu termicznego tranzystora MOS mocy przy analizach charakterystyk przetwornicy boost. Przedstawiono postać rozważanego modelu termicznego oraz wyniki elektrotermicznej analizy stanów przejściowych badanego układu, uzyskane przy uwzględnieniu nieliniowości modelu termicznego oraz przy pominięciu tej nieliniowości. Badania przeprowadzono dla przetwornic zawierających dwa różne zestawy półprzewodnikowych elementów kluczujących.
In the paper the necessity of using the non-linear thermal model of the power MOS transistor at computer analyses of the boost converter is considered. The form of considered thermal model are presented and results of the electrothermal transient analysis of considered converter, obtained at the nonlinearity of the thermal model taking into account and at the omission of this nonlinearity are shown. Investigations were performed for converters containing two different sets of switching semiconductor devices.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2014, 80; 9-17
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Examinations of Selected Thermal Properties of Packages of SiC Schottky Diodes
Autorzy:
Bisewski, D.
Myśliwiec, M.
Górecki, K.
Kisiel, R.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220523.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Schottky diodes
transient thermal impedance
thermal measurements
silicon carbide
packaging
Opis:
This paper describes the study of thermal properties of packages of silicon carbide Schottky diodes. In the paper the packaging process of Schottky diodes, the measuring method of thermal parameters, as well as the results of measurements are presented. The measured waveforms of transient thermal impedance of the examined diodes are compared with the waveforms of this parameter measured for commercially available Schottky diodes.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2016, 23, 3; 451-459
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-10 z 16

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies