Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Wierzbicka, E." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 32
Tytuł:
Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Wierzbicka, E.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Sathish, N.
Pągowska, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192129.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
implementacja jonowa
dyfrakcja
ion implantation
diffraction
Opis:
W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar++ w zakresie dawek od 7 ⋅ 1013 cm-2 do 1 ⋅ 1015 cm-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.
In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar++ ions in the dose range from 7 ⋅ 1013 cm-2 to 1 ⋅ 1015 cm-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 22-31
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-Ray Topographic Studies of Defect Structure in $YVO_4$ Crystals
Autorzy:
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Łukasiewicz, T.
Wierzbicka, E.
Malinowska, A.
Lefeld-Sosnowska, M.
Graeff, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812259.pdf
Data publikacji:
2008-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
Opis:
The perfection of $YVO_4$ crystals, which are predicted to replace formerly used YAG garnets due to higher quantum efficiency and lower excitation level, was studied. The investigations of Czochralski grown undoped $YVO_4$ single crystals were performed mainly by means of X-ray topographic methods. Both synchrotron and conventional X-ray sources were used. The study revealed relatively high density of weak point-like contrasts which can be most probably interpreted as dislocation outcrops. In regions of the crystal close to its boundary we observed glide bands. It was also found that in some regions the dislocations form local subgrain boundaries. The white beam back reflection and monochromatic beam topography allowed to evaluate a local misorientation which not exceeded several angular minutes. No segregation fringes were observed proving a good homogeneity of chemical composition.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 455-461
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of oxide crystals by means of synchrotron and conventional X-ray diffraction topography
Badanie monokryształów tlenkowych za pomocą synchrotronowej i konwencjonalnej rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej
Autorzy:
Wierzchowski, W.
Malinowska, A.
Wieteska, K.
Wierzbicka, E.
Mazur, K.
Lefeld-Sosnowska, M.
Świrkowicz, M.
Łukasiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192397.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
X-ray diffraction topography
crystal lattice defects
Czochralski method
dyfrakcyjna topografia rentgenowska
defekty sieci krystalicznej
metoda Czochralskiego
Opis:
X-ray diffraction topography, exploring both conventional and synchrotron sources of X-rays, has been widely used for the investigation of the structural defects in crystals of oxides. The majority of bulk oxide crystals have been grown by the Czochralski method from a melted mixture of high purity oxides. Some important oxide crystals like quartz and ZnO have been obtained by the hydrothermal method. In the case of crystals grown by the first method, synchrotron diffraction topography can be and was used for studying individual dislocations and their complexes (e.g. glide bands, sub-grain boundaries), individual blocks, twinning, the domain structure and various segregation effects negatively affecting crystal properties. What is more, the topographical investigation can provide information concerning the reasons for the generation of the defects, which becomes useful for improving the growth technology. In the present paper the possibilities of the diffraction topography are discussed on the basis of several investigations of the oxide crystals, in particular garnets, orthovanadates, mixed calcium barium and strontium niobates as well as praseodymium lanthanum aluminates. the majority of the results refer to oxide crystals grown at the Institute of Electronic Materials Technology (ITME). The synchrotron investigations included in the paper were performed by the authors at the HASYLAB Synchrotron Laboratory in Hamburg.
Rentgenowska topografia dyfrakcyjna, wykorzystująca zarówno konwencjonalne, jak i synchrotronowe źródła promieniowania rentgenowskiego, jest od wielu lat z powodzeniem stosowana do badania defektów strukturalnych w różnego rodzaju monokryształach. Szeroką grupę tych materiałów stanowią kryształy tlenkowe, które w większości są otrzymywane metodą Czochralskiego ze stopionej mieszaniny tlenków o wysokiej czystości. Do otrzymywania kryształów tlenków, takich jak kwarc i ZnO, stosuje się metodę hydrotermalną. rentgenowska topografia dyfrakcyjna może być wykorzystana do badania indywidualnych dyslokacji i ich kompleksów (np. pasma poślizgowe, granice niskokątowe), pojedynczych bloków, zbliźniaczeń, struktury domenowej i różnych efektów segregacyjnych. Wszystkie te defekty mogą wpływać negatywnie na jednorodność i właściwości kryształów. Badania topograficzne mogą również dostarczyć informacji dotyczących przyczyn powstawania defektów, co przydatne jest w doskonaleniu technologii. W niniejszej pracy omówiono możliwości topografii dyfrakcyjnej na podstawie przeprowadzonych badań szeregu kryształów tlenkowych, w szczególności granatów, ortowanadianów, mieszanych niobianów wapnia, baru i strontu oraz glinianów prazeodymu i lantanu. Większość wyników dotyczy monokryształów tlenków otrzymywanych w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych (ITME). uwzględnione badania synchrotronowe zostały przeprowadzone przez autorów w Laboratoriom Synchrotronowym HASYLAB w Hamburgu.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 4, 4; 17-32
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Synchrotron Diffraction topography in Studying of the Defect Structure in Crystals Grown by the Czochralski Method
Autorzy:
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Malinowska, A.
Wierzbicka, E.
Lefeld-Sosnowska, M.
Świrkowicz, M.
Łukasiewicz, T.
Pajączkowska, A.
Paulmann, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399483.pdf
Data publikacji:
2013-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
Opis:
The synchrotron diffraction topography had been widely used for investigation of the structural defects in crystals grown by the Czochralski method. Similarly as conventional diffraction topography, the synchrotron topography consists in recording with high spatial resolution of the beam formed by the Bragg reflection from the crystal. The advantages of synchrotron sources come from the possibilities of using the wavelength from a wide spectral range, improved high spatial resolution and collimation of the beam as well as from shortening the time necessary for the investigation. The synchrotron diffraction topography includes experimentally simpler white beam topography and more complicated monochromatic beam (multicrystal) topography, where the beam is formed by monochromators. In the case of Czochralski-grown crystals the synchrotron diffraction topography can be used for studying of the individual dislocations and their complexes such as glide bands or sub-grain boundaries, individual blocks, twinning, the domain structure and various segregation effects negatively affecting crystal properties. In addition, the topographical investigation can provide information concerning the reasons for the generation of defects, useful in the improving of the technology. In the present paper the possibilities of the synchrotron diffraction topography are discussed on the basis of several investigations of the Czochralski-grown oxide and semiconductor crystals, performed by the authors at HASYLAB. The majority of the results concern the oxide crystals grown at the Institute of Electronic Materials Technology, in particular garnets, orthovanadates, mixed calcium barium and strontium niobates as well as praseodymium lanthanum aluminates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 2; 350-359
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thallium hyperaccumulation in Polish populations of Biscutella laevigata (Brassicaceae)
Autorzy:
Wierzbicka, M.
Pielichowska, M.
Abratowska, A.
Wilkomirski, B.
Wysocka, I.
Panufnik-Medrzycka, D.
Bulska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/19734.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Opis:
Biscutella laevigata L. is known as a Tl hyperaccumulator. In Poland Biscutella laevigata occurs in the Tatra Mts (Western Carpathians) and on the calamine waste heap in Bolesław near Olkusz (Silesian Upland). The purpose of this work was to evaluate whether plants of both populations were able to accumulate an elevated amount of thallium in their tissues. The plants were cultivated in calamine soil in a glasshouse for a season and studied at different ages – from 2-week-old seedlings to 10-month-old adults. Additionally, the plants were grown for ten weeks in calamine soil with EDTA to enhance Tl bioavailability. The total content of Tl in plant tissues after digestion was determined by ICP-MS, whereas its distribution in leaves was studied by LA-ICP-MS. Of the total content of Tl in the soil in the range of (15.2–66.7) mg·kgˉ¹d.m., only (1.1–2.1) mg·kgˉ¹d.m. was present in a bioavailable form. The mean content in all the plants grown on the soil without EDTA was 98.5 mg·kgˉ¹d.m. The largest content was found in leaves – 164.9 mg·kgˉ¹d.m. (max. 588.2 mg·kgˉ¹d.m.). In the case of plants grown on the soil enriched with EDTA, the mean content in plants increased to 108.9 mg·kgˉ¹d.m., max. in leaves – 138.4 mg·kgˉ¹d.m. (max. 1100 mg·kgˉ¹d.m.). The translocation factor was 6.1 in the soil and 2.2 in the soil with EDTA; the bioconcentration factor amounted to 10.9 and 5.8, respectively. The plants from both populations did not contain a Tl amount clearly indicating hyperaccumulation (100–500 mg·kgˉ¹d.m.), however, high (>1) translocation and bioconcentration factors suggest such an ability. It is a characteristic species-wide trait; B. laevigata L. is a facultative Tl hyperaccumulator. The largest Tl amount was located at the leaf base, the smallest at its top. Thallium also occurred in trichomes, which was presented for the first time; in this way plants detoxify Tl in the above-ground parts. Leaves were much more hairy in the Bolesław plants. This is an adaptation for growth in the extreme conditions of the zinc-lead waste heap with elevated Tl quantity.
Źródło:
Acta Biologica Cracoviensia. Series Botanica; 2016, 58, 2
0001-5296
Pojawia się w:
Acta Biologica Cracoviensia. Series Botanica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparative analysis of ciliates [Ciliophora] parasitic on gills of three species of cyprinid fishes from Dabie Lake
Autorzy:
Wierzbicka, J.
Sobecka, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/836495.pdf
Data publikacji:
1998
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Tematy:
fish
Abramis ballerus
Blicca bjoerkna
Ciliophora
Abramis brama
ciliate
common bream
blue bream
Lake Dabie
parasite
silver bream
cyprinid fish
gill
Źródło:
Annals of Parasitology; 1998, 44, 3
0043-5163
Pojawia się w:
Annals of Parasitology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterisation of the Defect Structure in Gadolinum Orthovanadate Single Crystals Grown by the Czochralski Method
Autorzy:
Wierzbicka, E.
Malinowska, A.
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Lefeld-Sosnowska, M.
Świrkowicz, M.
Łukasiewicz, T.
Paulmann, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1431600.pdf
Data publikacji:
2012-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
Opis:
The $GdVO_4$ single crystals, both undoped and doped with erbium or thulium, were studied by means of X-ray diffraction topographic methods exploring laboratory and synchrotron radiation sources. Variously developed block structure, caused probably by thermal stresses, was revealed. The highest crystallographic perfection was observed in the crystal doped with 4 at.% of thulium, which was free of the grain boundaries in the end part. Contrary to that, the differences in structural perfection between samples cut out from various regions of the crystal and for different kinds of doping, were less distinct in other crystals. The diffraction topographic methods enabled the statement that the misorientation between various blocks is in the range of several arc minutes.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 906-909
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Funkcjonalizowany nanonapełniacz polimerów – otrzymywanie, charakterystyka i zastosowanie
Functionalized nanofiller for polymers – preparation, properties and application
Autorzy:
Wierzbicka, E.
Legocka, I.
Wardzińska-Jarmulska, E.
Szczepaniak, B.
Krzyżewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/945854.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Chemii Przemysłowej
Tematy:
nanonapełniacze
haloizyt
napełniacze o strukturze organiczno-nieorganicznej
modyfikacja polimerów
nanofillers
halloysite
organic-inorganic hybrid fillers
modification of polymers
Opis:
Przedstawiono badania dotyczące modyfikacji polimerów funkcjonalizowanym nanonapełniaczem. Scharakteryzowano strukturę i właściwości natywnego haloizytu oraz metodykę otrzymywania i właściwości haloizytu modyfikowanego mocznikiem. Zbadano właściwości mechaniczne nanokompozytów żywicy epoksydowej (EP) z modyfikowanym haloizytem. Omówiono wytrzymałość mechaniczną nanokompozytów żywic: mocznikowo-formaldehydowej (UF) oraz fenolowo-formaldehydowej (PF), modyfikowanych na etapie syntezy za pomocą funkcjonalizowanego haloizytu o strukturze hybrydowej. Przedstawiono wpływ zastosowanego nanonapełniacza na ograniczenie emisji formaldehydu z żywic fenolowo-formaldehydowych i mocznikowo-formaldehydowych.
The study on the modification of polymers using afunctionalized nanofiller has been described. The structure and properties of the native halloysite as well as the methods of preparation and the properties of halloysite modified by urea were characterized. The mechanical properties of the composites based on epoxy resin, urea-formaldehyde resin and phenol-formaldehyde resin containing from 1 to 4 wt % urea-modified halloysite, added in situ during the resin synthesis, were investigated. The effect of urea-modified halloysite on reducing the formaldehyde emission from phenol- and urea-formaldehyde resins has been demonstrated.
Źródło:
Polimery; 2016, 61, 10; 670-676
0032-2725
Pojawia się w:
Polimery
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rentgenowska topografia dyfrakcyjna defektów sieci krystalicznej w monokryształach MgAl2O4 i ScAlMgO4 otrzymywanych w różnych warunkach technologicznych
X-ray diffraction topography of lattice defects in MgAl2O4 and ScAlMgO4 crystals grown under different technological conditions
Autorzy:
Wierzbicka, E.
Malinowska, A.
Wierzchowski, W.
Kisielewski, J.
Świrkowicz, M.
Szyrski, W.
Romaniec, M.
Mazur, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192366.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
topografia rentgenowska
MgAl2O4
ScAlMgO4
defekty krystaliczne
metoda Czochralskiego
X-ray diffraction topography
crystal lattice defects
Czochralski method
Opis:
Za pomocą konwencjonalnej rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej scharakteryzowana została realna struktura monokryształów spinelu magnezowego MgAl2O4 i monokryształów ScAlMgO4 (SCAM). Badania uzupełniające prowadzono za pomocą dyfraktometrii wysokorozdzielczej, skaningowej mikroskopii elektronowej, mikroanalizy rentgenowskiej oraz metod polaryskopowych. Topogramy MgAl2O4 wskazują na jakość kryształów pozwalającą na przeprowadzenie szczegółowych badań realnej struktury metodami rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej. W żadnej z badanych próbek nie zaobserwowano kontrastów pochodzących od pasm segregacyjnych. Topogramy badanych kryształów ujawniają obecność rdzenia w centralnej części próbek, często z wyraźnie zaznaczonymi obszarami ściankowanymi odpowiadającymi wzrostowi na niskowskaźnikowych płaszczyznach krystalograficznych. W zewnętrznej części rdzenia zaobserwowano liczne kontrasty dyfrakcyjne związane najprawdopodobniej z defektami objętościowymi typu solute trails oraz wyraźne kontrasty związane z grupą dyslokacji. Za pomocą topografii dwukrystalicznej ujawniono naprężenia związane z rdzeniem oraz defektami objętościowymi solute trails. Ze względu na tendencję do rozwarstwiania się kryształu ScAlMgO4 badania przeprowadzono na wybranych próbkach otrzymanych przez mechaniczne rozdzielenie materiału. Topogramy dwukrystaliczne ujawniły kontrast dyfrakcyjny odzwierciedlający poszczególne warstwy materiału. Szczegóły rozdzielania się warstw ujawniły obserwacje SEM.
Conventional X-ray diffraction topography was used for characterization of the real structure of MgAl2O4 and ScAlMgO4 (SCAM) single crystals. Complementary investigations were performed by means of high resolution X-ray diffractometry, scanning electron microscopy and polariscopic methods. The obtained topographs indicated a good crystallographic quality of the examined MgAl2O4 crystals. In all investigated crystals no segregation fringes were observed. A distinct core region was revealed in all samples, often including three or more facetted regions. Some contrast connected with solute trails and groups of dislocations were observed in the region outside the core. The double-crystal topographs indicated the presence of distinct residual strains connected with the core and other defects. In view of the tendency for ScAlMgO4 to split into layers, the investigations were performed using the samples obtained by mechanical cleavage. The double-crystal topographs revealed diffraction contrast corresponding to consecutive “layers” of the material. The details of splitting were shown by SEM investigation, which also confirmed the homogeneity of the crystal.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 1, 1; 29-39
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Substrate on Crystallographic Quality of AlGaN/GaN HEMT Structures Grown by Plasma-Assisted MBE
Autorzy:
Wierzbicka, A.
Żytkiewicz, Z.
Sobańska, M.
Kłosek, K.
Łusakowska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1431598.pdf
Data publikacji:
2012-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.cp
61.05.cm
81.15.Hi
68.55.-a
Opis:
Results of characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) are reported. High resolution X-ray diffraction (HRXRD) and X-ray reflectivity (XRR) were applied to show that structural properties of the AlGaN/GaN layers strongly depend on the substrate used for growth. It has been found that an additional 10 μm thick HVPE GaN layer grown on a commercial GaN/sapphire substrate significantly improves structural quality of AlGaN layer. However, the best structural parameters have been obtained for the HEMT sample grown on free-standing HVPE bulk GaN substrate.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 899-902
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ rodzaju obróbki termicznej na zmiany tekstury marchwi
Influence of thermal treatment type on changes in carrot texture
Autorzy:
Wierzbicka, A.
Biller, E.
Półtorak, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/292021.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Rolniczej
Tematy:
obróbka termiczna
tekstura
marchew
thermal treatment
texture
carrot
Opis:
W artykule przedstawiono badania nad wpływem rodzaju obróbki termicznej na zmiany tekstury marchwi. Rozdrobniona w kostkę marchew o boku 8 mm poddawana była obróbce termicznej (w zróżnicowanym czasie trwania procesu) metodą klasyczną w wodzie oraz z wykorzystaniem pieca wielofunkcyjnego i opcji konwekcji wymuszonej oraz nawilżania jak również w steamerze w warunkach podwyższonego ciśnienia i temperatury. Następnie teksturę wszystkich próbek poddano ocenie instrumentalnej (test przeciskania) i sensorycznej. Na podstawie przeprowadzonej analizy zaobserwowano ujemną korelację pomiędzy oceną sensoryczną, a instrumentalną dla twardości.
The paper presents investigation on the influence of a thermal treatment type on changes in carrot texture. Carrot cut into 8-mm cubs was subject to thermal treatment (in a diversified time of process duration) by traditional method in water or using a multifunctional furnace and an option of forced convention and humidification, and in a steamer at elevated pressure and temperature as well. The texture of all the specimens was subject to the instrumental (forcing test) or sensorial evaluation. On the basis of the above analysis, the negative correlation between the sensorial and instrumental was observed for the hardness.
Źródło:
Inżynieria Rolnicza; 2005, R. 9, nr 9, 9; 379-385
1429-7264
Pojawia się w:
Inżynieria Rolnicza
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zawartość karotenoidów w bulwach ziemniaka uprawianego systemem ekologicznym
Carotenoid content of potato tubers grown in the organic system
Autorzy:
Wierzbicka, A.
Hallmann, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/337265.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Maszyn Rolniczych
Tematy:
ziemniak ekologiczny
karotenoidy ogółem
β-karoten
luteina
organic potato
total carotenoids
β-caroten
lutein
Opis:
Celem pracy była ocena zawartości karotenoidów (karotenoidy ogółem, β-karoten, luteina), w bulwach ziemniaka ekologicznego. Ziemniaki uprawiano na glebie lekkiej pola doświadczalnego w Jadwisinie (Mazowsze) w Instytucie Hodowli i Aklimatyzacji Roślin – Państwowym Instytucie Badawczym w latach 2008-2010. Dominującym karotenoidem ziemniaka jest luteina, której zawartość wahała się w zakresie 63-190 μg 100 g-1 świeżej masy. β-karotenu było około pięć razy mniej niż luteiny. Jego zawartość wahała się w zakresie 7-35 μg 100 g-1. Zawartość karotenoidów w bulwach była różnicowana głównie przez genotyp. Najwięcej karotenoidów ogółem zawierała średnio późna odmiana Fianna – 137,7, a najmniej bardzo wczesna odmiana Berber – 98,3 μg 100 g-1 św. m. Bulwy zebrane z poletek gdzie zastosowano efektywne mikroorganizmy glebowe zawierały więcej luteiny i karotenoidów ogółem niż bulwy z poletek bez mikroorganizmów.
Aim of this study was to assess the carotenoid content (total carotenoids, β-caroten, lutein), in potato tubers grown in the organic system. Potatoes grown on sandy soil of experimental fields at Jadwisin Department (Mazovia) of Plant Breeding and Acclimatization Institute – National Research Institute in the years 2008-2010. Lutein, whose content for organic tubers ranged from 63-190 μg 100 g-1 of fresh mass was the dominant carotenoid of potatoes. β-caroten content was about five times less than lutein and ranged from 7-35 μg 100 g-1. The carotenoids in potato tubers were differentiated mainly by genotype. Medium late variety Fianna contained total carotenoids most of all: 137.7 and a very early variety Berber – least: 98.3 μg 100 g-1 of fresh mass. Tubers harvested from plots with microorganisms in the soil contained more lutein and total carotenoids than tubers from plots without micro-organisms.
Źródło:
Journal of Research and Applications in Agricultural Engineering; 2013, 58, 4; 223-227
1642-686X
2719-423X
Pojawia się w:
Journal of Research and Applications in Agricultural Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epitaxial ZnO Films Grown at Low Temperature for Novel Electronic Application
Autorzy:
Wachnicki, Ł.
Dużyńska, A.
Domagala, J.
Witkowski, B.
Krajewski, T.
Przeździecka, E.
Guziewicz, M.
Wierzbicka, A.
Kopalko, K.
Figge, S.
Hommel, D.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492723.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Aa
61.05.cp
81.05.Dz
Opis:
Monocrystalline films of zinc oxide were grown at 300C by atomic layer deposition. ZnO layers were grown on various substrates like ZnO bulk crystal, GaN, SiC and $Al_2O_3$. Electrical properties of the films depend on structural quality. Structural quality, surface morphology and optical properties of ZnO films were characterized using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and photoluminescence, respectively. High resolution X-ray diffraction spectra show that the rocking curve FWHM of the symmetrical 00.2 reflection equals to 0.058° and 0.009° for ZnO deposited on a gallium nitride template and a zinc oxide substrate, respectively. In low temperature photoluminescence sharp excitonic lines in the band-edge region with a FWHM equal to 4 meV, 5 meV and 6 meV, for zinc oxide deposited on gallium nitride, zinc oxide and sapphire substrate, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-007-A-010
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 32

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies