Autor: Werbowy, A. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al2O3 gate dielectric film
Autorzy:: Szmidt, J.
Werbowy, A.
Dusiński, E.
Zdunek, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308421.pdf
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: MIS transistor
reliability
Al2O3 films
RPP method
Opis:: The paper presents the parameters of MIS transistors with plasma deposited thin film aluminum oxide gate insulator. Al2O3 films were synthesized by means of the low-energy, low-temperature reactive pulse plasma (RPP) method. Investigated transistors, with channel width to length (W/L) ratios of 200/10 [žm/žm] and 200/20 [žm/žm] were manufactured in a standard microelectronic technological laboratory. In order to determine the most important parameters of produced devices there were measured their electrical characteristics. The distribution of the threshold voltage values was studied on a representative set of over two hundred structures.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 70-75
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Influence of the deposition process parameters on electronic properties of BN films obtained by means of RF PACVD
Autorzy:: Firek, P.
Werbowy, A.
Szmidt, J.
Kwietniewski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308653.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: III-nitrides
thin BN films
electronic properties
RF PACVD
Opis:: This work presents results of investigations of electronic properties of undoped boron nitride (BN) films produced on Si substrates in the course of radio frequency (rf) PACVD process with boron triethyl (C2H5)3B as the boron source. The influence of the deposition process parameters on thickness and electronic properties (resistivity r, dielectric strength EBR) of BN films based on ellipsometry and I-V curve measurements at room temperature is studied. The obtained results show that proper selection of deposition process parameters allows BN layers with the required thickness and advantageous values of r and EBR to be fabricated. BN becomes therefore an interesting material for microelectronics applications.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 33-36
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Electronic properties of thin niobium doped barium titanate films
Właściwości elektryczne cienkich warstw tytanianu baru domieszkowanego niobem
Autorzy:: Firek, P.
Ćwil, M.
Werbowy, A.
Szmidt, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192411.pdf
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: BaTiO3
cienka warstwa
thin films
Opis:: This work presents results of investigations of barium titanate thin films with Nb2O5 admixture, deposited on Si substrates by means of Radio Frequency Plasma Sputtering (RF PS) of sintered BaTiO3 + Nb2O5 target. Round, aluminum (Al) electrodes were evaporated on the top of deposited layers. Thus, metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were created with BaTiO3 thin films playing the role of the insulator. They enabled subsequent electrical characterization (current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements) of studied material. This allowed extraction of several electronic parameters (e.g. εn, ρ, VFB ΔVH). Films composition were additionally studied using secondary ion mass spectroscopy (SIMS) techniques.
W pracy prezentowane są wyniki badań dotyczące cienkich warstw tytanianu baru (BaTiO3) z domieszką Nb2O5. Powłoki zostały osadzone metodą rozpylania targetu w plazmie o częstotliwości radiowej (Radio Freąuency Plasma Sputtering - RF PS), a następnie poprzez próżniowe naparowanie elektrod aluminiowych na powierzchnie BaTiO3, zostały wytworzone struktury metal-dielektryk-półprzewodnik (MIS). Pozwoliło to na charakteryzacje elektryczną (pomiary prądowo-napięciowe (I-V) i pojemnościowo-napięciowe (C-V)) kondensatorów, gdzie warstwa tytanianu baru występowała jako dielektryk. Wyznaczone zostały parametry takie jak: εn, ρ, VFB, ΔVH, . Ponadto zmierzono profil warstwy przy użyciu spektroskopii mas jonów wtórnych (secondary ion mass spectroscopy - SIMS).
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 110-116
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Properties of Al contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-BN film
Autorzy:: Firek, P.
Werbowy, A.
Szmidt, J.
Olszyna, A. R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308834.pdf
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: cubic boron nitride
plasma etching
electric contacts
Opis:: Properties of Al electric contacts to Si(p) surface exposed to fluorine-based plasma etching of nanocrystalline cubic boron nitride (c-BN) film grown previously were studied and compared to the properties of Al contacts fabricated on pristine or dry etched surface of Si(p) wafers. In addition, a part of the investigated samples was annealed in nitrogen atmosphere at the temperature of 673 K. Analysis of contract properties is based on current-voltage (I-V) measurements of the produced Al-Si structures. The presented investigations were performed in order to evaluate the efficiency of the applied plasma etching method of nanocrystalline c-BN from the viewpoint of its influence on the properties of metal contacts formed subsequently and thus on the performance of electronic devices involving the use of boron nitride.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 76-80
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Werbowy, A." wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język