Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Weng, H. M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Annealing Study of Al/GaSb Contact with the Use of Doppler Broadening Technique
Autorzy:
Wang, H. Y.
Weng, H. M.
Ling, C. C.
Ye, B. J.
Zhou, X. Y.
Han, R. D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043365.pdf
Data publikacji:
2005-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.70.Bj
68.35.Ct
73.40.Sx
Opis:
Using a monoenergetic positron beam, annealing study of the Al/n-GaSb system was performed by monitoring the Doppler broadening of the annihilation radiation as a function of the positron implanting energy. The S-parameter against positron energy data was successfully fitted by a three-layer model (Al/interface/GaSb). The annealing out of the open volume defects in the polycrystalline Al layer was revealed by the decrease in the S-parameter and the increase in the effective diffusion length of the Al layer. For the as-deposited samples, a 5 nm interfacial region with S-parameter larger than those of the Al overlayer and the bulk was identified. After the 400ºC annealing, this interfacial region extends to over 40 nm and its S-parameter dramatically drops. This is possibly due to the new phase formation at the interface. Annealing behaviors of S$\text{}_{B}$ and L$\text{}_{+,B}$ of the GaSb bulk showed the annealing out of positron traps (possibly the V$\text{}_{Ga}$-related defect) at 250ºC. However, a further annealing at 400ºC induces the formation of positron traps, which are possibly of another kind of V$\text{}_{Ga}$-related defect and the positron shallow trap GaSb antisite.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 5; 874-879
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies