Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Watanabe, N." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    An approximation algorithm for multi-unit auctions: numerical and subject experiments
    Autorzy:
    Takahashi, S.
    Izunaga, Y.
    Watanabe, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/406625.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    multi-unit auctions
    approximation algorithm
    experiment
    algorytm aproksymacyjny
    eksperyment
    Opis:
    In multi-unit auctions for a single item, the Vickrey–Clarke–Groves mechanism (VCG) attains allocative efficiency but suffers from its computational complexity. Takahashi and Shigeno thus proposed a greedy based approximation algorithm (GBA). In a subject experiment there was truly a difference in efficiency rate but no significant difference in seller’s revenue between GBA and VCG. It is not clear in theory whether each bidder will submit his or her true unit valuations in GBA. We show, however, that in a subject experiment there was no significant difference in the number of bids that obey “almost” truth-telling between GBA and VCG. As for individual bidding behavior, GBA and VCG show a sharp contrast when a human bidder competes against machine bidders; underbidding was observed in GBA, while overbidding was observed in VCG. Some results in a numerical experiment are also provided prior to reporting those observations.
    Źródło:
    Operations Research and Decisions; 2018, 28, 1; 95-115
    2081-8858
    2391-6060
    Pojawia się w:
    Operations Research and Decisions
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fabrication of nanoparticles by electric discharge plasma in liquid
    Nanocząstki wytworzone metodą wyładowań elektrycznych w cieczy
    Autorzy:
    Yatsu, S
    Takahashi, H.
    Sasaki, H.
    Sakaguchi, N
    Ohkubo, K
    Muramoto, T.
    Watanabe, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/351402.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    nanoparticles
    plasma discharge
    electrolysis
    silicon
    nanocząsteczki
    wyładowania plazmowe
    elektroliza
    krzem
    Opis:
    The electric plasma discharge method involves the application of a voltage between a cathode and anode in a conductive electrolytic solution to create a discharge plasma at the cathode. When certain material is used as the cathode, small droplets are emitted with the plasma discharge, and the melted droplets are rapidly cooled in the solution to form nanoscale particles of the material. In this work, nanoparticles of Al, Au, Si, and various alloys of between 100 nm and less than 10 nm in size were produced and characterized. Characterization of Si nanoparticles is especially important because their use in lithium batteries greatly influences battery performance. It was found by high resolution electron microscopy and microstructural surface analysis that oxidation layers of a few nm in thickness were formed on the surface of the Si nanoparticles.
    W metodzie wyładowań elektrycznych w cieczy pod wpływem przyłożonej różnicy potencjałów pomiędzy anodą i katodą zanurzonymi w elektrolicie dochodzi do wyładowania plazmy na katodzie. Gdy zastosuje się materiał jako katodę, podczas wyładowania plazmy tworzą się małe krople ciekłego materiału, które gwałtownie krzepną w elektrolicie. W ten sposób wytwarzane są cząstki nanometrycznej wielkości. Przy użyciu tej metody możliwe jest wytwarzanie nanocząstek różnych materiałów. Wytworzone nanometryczne cząstki Al, Au, Si oraz stopów miały wymiary od 100 nm do poniżej 10 nm. W szczególności nanocząstki Si stosowane do wytwarzania baterii litowych znacząco wpływają na wydajność baterii, z tego tez powodu bardzo ważne jest scharakteryzowanie tych cząstek. Obserwacje przy użyciu wysokorozdzielczej transmisyjnej mikroskopii elektronowej i analiza mikrostruktury nanocząstek Si wskazują, że na powierzchni cząstek znajduje się warstwa tlenków o grubości kilku nm.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 2; 425-429
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Solute-Vacancy Clustering In Al-Mg-Si Alloys Studied By Muon Spin Relaxation Technique
    Grupowanie wakancji substancji rozpuszczonej w stopach Al-Mg-Si analizowanych metodą relaksacji spinowej mionów
    Autorzy:
    Nishimura, K.
    Matsuda, K.
    Komaki, R.
    Nunomra, N.
    Wenner, S.
    Holmestad, R.
    Matsuzaki, T.
    Watanabe, I.
    Pratt, F. L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352369.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Al-Mg-Si alloys
    muon spin relaxation
    vacancy
    stopy Al-Mg-Si
    relaksacja spinowa mionów
    wakancja
    Opis:
    Zero-field muon spin relaxation experiments were carried out with Al-1.6%Mg2Si, Al-0.5%Mg, and Al-0.5%Si alloys. Observed relaxation spectra were compared with the calculated relaxation functions based on the Monte Carlo simulation to extract the dipolar width (Δ), trapping (νt), and detrapping rates (νd), with the initially trapped muon fraction (P0). The fitting analysis has elucidated that the muon trapping rates depended on the heat treatment and solute concentrations. The dissolved Mg in Al dominated the νt at lower temperatures below 120 K, therefore the similar temperature variations of νt were observed with the samples mixed with Mg. The νt around 200 K remarkably reflected the heat treatment effect on the samples, and the largest νt value was found with the sample annealed at 100°C among Al-1.6%Mg2Si alloys. The as-quenched Al-0.5%Si sample showed significant νt values between 80 and 280 K relating with Si-vacancy clusters, but such clusters disappeared with the natural aged Al-0.5%Si sample.
    Stopy Al-1,6%Mg2Si, Al-0,5%Mg i Al-0,5%S poddano badaniu relaksacji spinowej mionów w zerowym polu magnetycznym. Obserwowane widma relaksacyjne porównano z funkcjami relaksacji obliczonymi przy wykorzystaniu symulacji Monte Carlo w celu otrzymania informacji o szerokości dipolarnej Δ (ang. dipolar width) oraz szybkości uwięzienia νt (ang. trapping) i uwolnienia νd (ang. detrapping) z pierwotnie związaną frakcją mionów (P0). Z przeprowadzonej analizy wynika, że szybkość uwięzienia mionów zależy od zastosowanej uprzednio obróbki cieplnej oraz stężenia pierwiastków domieszki. W przypadku Mg rozpuszczonego w osnowie Al dominowała szybkość νt w temperaturach poniżej 120 K, dlatego też w próbkach domieszkowanych Mg obserwowano podobne odchylenia temperaturowe szybkości νt. Szybkość νt w temperaturze około 200 K doskonale ukazuje wpływ zastosowanej obróbki cieplnej na omawiane próbki, z których najwyższą wartość νt wykazały te wyżarzane w 100°C spośród stopów Al-1,6%Mg2Si. Próbka Al-0,5%Si wykazała znaczące wartości νt pomiędzy temperaturami 80 a 280 K wskazujące na aglomeracje wakancji Si, które jednak zanikają po naturalnym starzeniu stopu Al-0.5%Si.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2A; 925-929
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    THz Double-Grating Gate Transistor Detectors in High Magnetic Fields
    Autorzy:
    But, D.
    Dyakonova, N.
    Coquillat, D.
    Teppe, F.
    Knap, W.
    Watanabe, T.
    Tanimoto, Y.
    Boubanga Tombet, S.
    Otsuji, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1409591.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    07.57.Kp
    85.30.Tv
    73.43.Qt
    Opis:
    Double-grating-gate field-effect transistors have a great potential as terahertz detectors. This is because the double grating gate serves not only for carrier density tuning but also as an efficient THz radiation coupler. In this paper, we present characterization of these transistors using high magnetic fields. Low and high magnetic field data are used to determine the electron mobility and electron concentration, respectively, in different parts of the transistor channel.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1080-1082
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies