Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Vlakhov, E. S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
La$\text{}_{0.7}$Sr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ Thin-Film Grain-Boundary Junctions on a Bi-Crystal Substrate
Autorzy:
Gierłowski, P.
Szewczyk, A.
Abal'oshev, A. V.
Vlakhov, E. S.
Donchev, T. I.
Blagoev, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041462.pdf
Data publikacji:
2004-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.47.Lx
75.47.Gk
72.25.Mk
Opis:
Transport properties of 10μm to 30μm wide grain-boundary junctions ion-etched in thin colossal magnetoresistance La$\text{}_{0. 7}$Sr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ films deposited on a SrTiO$\text{}_{3}$ bi-crystal were investigated. We have measured the current-voltage characteristics in the temperature range from 4.2 K to 300 K without applied magnetic field, as well as the magnetoresistance at magnetic fields up to±10 kOe directed parallel to the film surface, both perpendicular and parallel to the direction of current flow through the junctions. The investigated junctions have nonlinear current-voltage characteristics in this temperature range and consist of several magnetic domains. The maximum magnetoresistance (R(H)-R $\text{}_{max}$)/R$\text{}_{max}$, measured at 1 kOe was -17.6% at 4.1 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 5; 715-719
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Low-Field Magnetoresistance in Manganite Thin Films
Autorzy:
Vlakhov, E. S.
Dörr, K.-H
Müller, K.
Handstein, A.
Nenkov, K.
Walter, T.
Chakalov, R. A.
Chakalova, R. I.
Spasov, A. Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2013419.pdf
Data publikacji:
2000-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.70.Ak
73.50.Dn
Opis:
Grain boundaries play an important role in low-field magnetoresistance of La$\text{}_{0.7}$Ca$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ and La$\text{}_{0.7}$Sr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ thin films deposited by magnetron sputtering and pulsed laser deposition on YSZ(100) and silicon substrates buffered by YSZ. Well-pronounced low-field magnetoresistance hysteresis was observed in magnetic fields applied in in-plane and out-of-plane directions. High values of local magnetoresistance sensitivity d(MR)/dH in the vicinity of the coercive field were obtained reaching up to 0.2%/Oe for La$\text{}_{0.7}$Ca$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ samples at 5 K.zapis
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 5; 787-790
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural, Magnetic and Transport Properties οf $NdBaCo_{2}O_{5+x}$ Thin Films Deposited by Magnetron Sputtering
Autorzy:
Vlakhov, E.
Szymczak, R.
Baran, M.
Piotrowski, K.
Szewczyk, A.
Paszkowicz, W.
Lobanovskii, L.
Matyajasik, S.
Nenkov, K.
Szymczak, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1810303.pdf
Data publikacji:
2009-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.70.Ak
64.75.St
64.75.Lm
Opis:
For the first time, thin films of $NdBaCo_{2}O_{5+x}$ were deposited by RF magnetron sputtering on different substrates. The films deposited on $SrLaAlO_4(001)$ substrates exhibited highly textured structure with c-axis directed out-of-plane. Magnetic measurements M vs. T of three $NdBaCo_{2}O_{5+x}$/$SrLaAlO_4(001)$ films revealed successively paramagnetic-ferromagnetic-antiferromagnetic transitions with decrease in temperature. Their paramagnetic Curie-Weiss temperatures were estimated to be in the range of $T_{C}$ =100-116 K. Resistivity of the cobaltite thin film exhibited insulating behavior and the best fit was found for the variable range hopping mechanism.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 1; 89-91
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies