Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Veksler, D. B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
THz Spectroscopy of Extremely Shallow Acceptors States in Ge/GeSi Multiple-Quantum-Well Heterostructures
Autorzy:
Aleshkin, V. Ya.
Erofeeva, Y. V.
Gavrilenko, V. I.
Ikonnikov, A. V.
Kozlov, D. V.
Kuznetsov, O. A.
Veksler, D. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041651.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Cn
76.90.+d
78.67.De
Opis:
New shallow acceptor magnetoabsorption lines in THz range have been discovered under bandgap photoexcitation in strained Ge/GeSi multiple-quantum-well heterostructures. It is shown, both theoretically and experimentally, that the resonant absorption results from the photoionization of A$\text{}^{+}$-centers and from 1s → 2p$\text{}_{+}$-type transitions from the ground state of the barrier-situated A$\text{}^{0}$-centers into excited states in the 1st and 2nd electronic subbands. The shallowest discovered ground acceptor states (E$\text{}_{B}$≤0.5 meV) are attributed to the "barrier-spaced" acceptors (a hole bound with an acceptor ion in the neighboring Ge quantum well).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 137-141
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies