Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Vaitkus, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Effect of Trap Levels and Defect Inhomogeneities on Carrier Transport in SiC Crystals and Radiation Detectors
    Autorzy:
    Kažukauskas, V.
    Kalendra, V.
    Vaitkus, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1178810.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    72.80.Jc
    85.30.De
    Opis:
    We present investigation of carrier transport and trapping in 4H-SiC single crystals and high-energy radiation detectors. SiC detectors were produced from bulk vanadium-compensated semi-insulating single crystal 4H-SiC and provided with nickel ohmic and titanium Schottky contacts. The prevailing defect levels were revealed by means of thermally stimulated current and thermally stimulated depolarization methods and their advanced modification - multiple heating technique. From I-V measurements a Schottky barrier height of≈1.9 eV was found. In 4H-SiC:Va the following thermal activation values were deduced: 0.18-0.19 eV, 0.20-0.22 eV, 0.3-0.32 eV, 0.33 -0.41 eV, and 0.63 eV. The maximum with activation energy of 0.33-0.41 eV appears below 125 K and most probably is caused by thermal carrier generation from defect levels. In contrast, the first three maxima with lowest activation energies, which appear at higher temperatures, are likely associated with material inhomogeneities causing potential fluctuations of the band gap. The existence of different polarization sources in different temperature ranges is also demonstrated by thermally stimulated depolarization.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 333-339
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of Carrier Transport in GaN Single Crystals and Radiation Detectors by Thermally Stimulated Methods
    Autorzy:
    Kažukauskas, V.
    Kalendra, V.
    Vaitkus, J.-V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041765.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    72.20.Fr
    72.80.Ey
    78.70.-g
    85.30.De
    Opis:
    We investigated single crystals of GaN and thin film GaN radiation detectors by thermally stimulated currents and thermally stimulated depolarization methods in order to characterize carrier transport properties as influenced by material defect structure. In thick GaN no expressed structure of the thermally stimulated current spectra was observed in the temperature range from 100 K up to 350 K, which could be characteristic of the thermal carrier generation from trap levels. The experimental facts imply that the thermally stimulated current spectra might be caused not by carrier generation, but it could be due to thermal mobility changes. Therefore we had applied the numerical analysis by taking into account carrier scattering by ionized impurities and phonons. It was found that mobility limited by ionized impurities varies as T$\text{}^{2.8}$ and lattice scattering causes the dependence T$\text{}^{-3.5}$. The highest mobility values were up to 1550 cm$\text{}^{2}$/(V s) at 148-153 K. Such high values indicate relatively good quality of the single GaN thick crystals. In high resistivity GaN detectors irradiated by high doses of high-energy neutrons and X-rays current instabilities were observed which could be caused by the change of carrier drift paths in a highly disordered matter. A model of carrier percolation transport is presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 340-345
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoluminescence and Photoconductivity Dynamics in Semi-Insulating Epitaxial GaN Layers
    Autorzy:
    Gaubas, E.
    Juršėnas, S.
    Kazlauskas, K.
    Miasojedovas, S.
    Vaitkus, J.
    Žukauskas, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041731.pdf
    Data publikacji:
    2005-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Hh
    72.40.+w
    Opis:
    The transients of fast free-carrier recombination and of multi-trapping processes due to different species of defects have been investigated by photoluminescence and by contact and microwave photoconductivity. Three distinct stages of relaxation, namely, of stimulated emission, of recombination due to point defects and capture into trapping centers associated with dislocations, and a non-exponential stage with a stretched-exponent asymptotic decay ascribed to dislocations mediated multi-trapping were distinguished by correlated examination of time-resolved photoluminescence and photoconductivity transients.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 215-219
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Irradiation by High-Energy Protons on GaN Detectors
    Autorzy:
    Kažukauskas, V.
    Kalendra, V.
    Vaitkus, J.
    Jasiulionis, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813395.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    72.20.Fr
    72.80.Ey
    78.70.-g
    85.30.De
    Opis:
    We had investigated effects of the irradiation by 24 GeV protons with doses ranging from $1×10^{14}$ up to $1×10^{16} p//cm^2$ on the properties of GaN ionising radiation detectors. In theγ-spectra of the samples radiation of $\text{}^7Be,$ $\text{}^{22}Na,$ and other long-lived radionuclides with A <70 was identified. Their activities were proportional to the irradiation dozes. Device contact properties were analysed by current-voltage I-V dependences. Created defects were revealed by the thermally stimulated defect spectroscopy. In the less irradiated samples the following values of the effective thermal activation energies were found: 0.12-0.16 eV, 0.18-0.22 eV, 0.35-0.42 eV, and 0.84-0.94 eV. Meanwhile, in the detectors irradiated with the highest doses only current growth with the activation energy of about 0.8-1.0 eV could be identified. Effects of percolation transport in disordered media were proved in the irradiated material.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 1013-1016
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of Carrier Recombination in Si Heavily Irradiated by Neutrons
    Autorzy:
    Gaubas, E.
    Kadys, A.
    Uleckas, A.
    Vaitkus, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813194.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.J-
    61.82.Fk
    72.40.+w
    Opis:
    Variations of recombination lifetime, with fluence of the reactor neutrons from $10^{12}$ to $3×10^{16} n//cm^2$, in the magnetic field applied Czochralski grown Si samples are examined by the contactless transient techniques of the microwave probed photoconductivity and dynamic gratings. A nearly linear decrease in lifetime from few microseconds to about 200 ps within the examined range of neutron irradiation fluences was obtained. This dependence persists under relatively low (≤80°C) temperature heat treatments. Also, cross-sectional scans of lifetime depth-profiles were examined, which show rather high homogeneity of lifetime values within wafer thickness.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 829-832
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characteristics of Bottom Ash from Municipal Solid Waste Incineration
    Charakterystyka popiołów dennych ze spalania stałych odpadów komunalnych
    Autorzy:
    Seniūnaitė, J.
    Vasarevičius, S.
    Grubliauskas, R.
    Zigmontienė, A.
    Vaitkus, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813627.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    municipal solid waste incineration
    bottom ash
    heavy metals
    soluble salts
    spalanie odpadów komunalnych stałych
    popiół denny
    metale ciężkie
    sole rozpuszczalne
    Opis:
    Waste-to-energy technologies are widely used for municipal solid waste management. Municipal solid waste incineration has reduced waste volume by 90%. The combustion process results in two types of waste: fly ash (FA) and bottom ash (BA). This study focuses on the chemical and environmental properties of municipal solid waste incineration (MSWI) bottom ash. The chemical composition and leaching properties of BA from Lithuania’s waste-to-energy plant, located in Klaipeda, was determined. Results show that chemical BA composition is almost stable in time and that major elements are silicon dioxide (57±2%), calcium oxide 16±2.5% and iron oxide 8±3.2%. The concentration of various heavy metals in BA is < 1%. Leaching tests showed that from BA leached large quantities of soluble salts (sulphates 2,816–10,012 mg·kg-1 and chlorides 1,869–3,046 mg·kg-1) and certain heavy metals (Mo 0.5–1.8 mg·kg-1, Pb 0.1–2.5 mg·kg-1). MSWI bottom ash does not meet the requirements for inert waste (2003/33/EC) but meets those for waste removal in non-hazardous waste landfills. The changing concentration of environmentally hazardous heavy metals indicates that the need for continuous BA eluate test is important.
    Technologie produkcji energii z odpadów są szeroko stosowane w gospodarce odpadami komunalnymi. Spalanie stałych odpadów komunalnych zmniejsza ich objętość o 90%. W procesie spalania wytwarzane są dwa główne typy produktów ubocznych: popioły lotne (PL) i popioły denne (PD). W pracy omówiono właściwości chemiczne i środowiskowe PD pochodzących ze spalania stałych odpadów komunalnych (SOK). Określono skład chemiczny i wymywanie substancji z PD z litewskiej spalarni odpadów, której siedziba mieści się w Kłajpedzie. Wyniki pokazują, że skład chemiczny PD jest prawie stabilny w czasie, a podstawowe tlenki to dwutlenek krzemu (57±2%), tlenek wapnia 16±2,5% i tlenek żelaza 8±3,2%. Koncentracja różnych metali ciężkich w PD wynosi < 1%. Badania wymywania wykazały, że z PD wymywano duże ilości rozpuszczalnych soli (siarczanów 2816-10012 mg·kg-1 i chlorków 1869-3046 mg·kg-1), a także niektórych metali ciężkich (Mo 0,5-1,8 mg·kg-1, Pb 0,1-2,5 mg·kg-1). Popiół denny ze spalania stałych odpadów komunalnych nie spełnia wymagań dotyczących odpadów obojętnych (2003/33/WE), ale spełnia wymagania dotyczące ich usuwania na składowiska odpadów innych niż niebezpieczne. Zmieniające się koncentracja niebezpiecznych dla środowiska metali ciężkich wskazuje na konieczność ciągłego badania eluatu z popiełów dennnych.
    Źródło:
    Rocznik Ochrona Środowiska; 2018, Tom 20, cz. 1; 123-144
    1506-218X
    Pojawia się w:
    Rocznik Ochrona Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies