Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Upadhyay, B. B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Optimality conditions and duality for generalized fractional minimax programming involving locally Lipschitz (b,Ψ,Φ,ρ) -univex functions
Autorzy:
Antczak, T.
Mishra, S. K.
Upadhyay, B. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/206666.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Badań Systemowych PAN
Tematy:
generalized fractional minimax programming
locally Lipschitz (b,Ψ,Φ,ρ)-univex function
optimality conditions
duality
Opis:
In this paper, we are concerned with optimality conditions and duality results of generalized fractional minimax programming problems. Sufficient optimality conditions are established for a class of nondifferentiable generalized fractional minimax programming problems, in which the involved functions are locally Lipschitz (b,Ψ,Φ,ρ)-univex. Subsequently, these optimality conditions are utilized as a basis for constructing various parametric and nonparametric duality models for this type of fractional programming problems and proving appropriate duality theorems.
Źródło:
Control and Cybernetics; 2018, 47, 1; 5-32
0324-8569
Pojawia się w:
Control and Cybernetics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fraction of Positronium Formation at Semiconductor Surface
Autorzy:
Shrivastava, S. B.
Upadhyay, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2010960.pdf
Data publikacji:
1999-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.70.Bj
71.60.+z
68.35.Fx
Opis:
The fraction of positronium formation (f$\text{}_{ps}$) has been calculated in Ge(110), Ge(111), Si(110) and Si(111) surfaces by solving the diffusion equation for positrons in semiconductors and by setting up the rate equation to describe the processes that are supposed to occur when a thermalised positron encounters the surface including the trapping of positrons in neutral and negative vacancies. Certain parameters used in the evaluation of f$\text{}_{ps}$, e.g., the bulk annihilation rate (λ$\text{}_{s}$), the positron diffusion length (L$\text{}_{+}$), the diffusion coefficient (D$\text{}_{+}$) and the implantation profile parameter (A), have been taken from the experiments. The calculated values of f$\text{}_{ps}$ as a function of incident positron energy and temperature in Ge(110) and Si(111) have been compared with the experimental results. It has been found that in general the calculated results are in good agreement with the experimental ones. The calculation also confirms that the trapping rate of positrons into negative vacancy has a T$\text{}^{-1}\text{}^{/}\text{}^{2}$ dependence with respect to the temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 95, 6; 1005-1012
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies