Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ungier, P." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Nowe kompozyty grubowarstwowe o obniżonej temperaturze spiekania przeznaczone na kontakty ogniwa słonecznego
New thick film composites of lower sintering temperature for ohimic contacts for sollar cells
Autorzy:
Młożniak, A.
Ungier, P.
Jakubowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192283.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
technologia grubowarstwowa
nanoproszek srebra
ogniwo słoneczne
thick-film technology
silver nanopowder
solar cell
Opis:
W pracy przedstawiono nowa generację materiałów grubowarstwowych przeznaczonych do nanoszenia sitodrukiem, w których fazę przewodzącą stanowią proszki srebra o submikronowej wielkości ziaren. Zaletą tych past jest to, że nie zawierają fazy szkliwa, które wspomagało proces spiekania, a jednocześnie pogarszało przewodnictwo elektryczne warstwy. Kolejna zaleta tych past to możliwość spiekania w niższych temperaturach, co zwiększa obszar stosowania tych past w różnych procesach technologicznych.
New generation of screen printed thick film materials where conducting phase was of submicron silver powder. The main advantage of these pastes compare with the standard ones is that they do not contain glassy phase. This phase helped sintering process, but caused the worse electrical conductivity. Another advantage of this paste is the lower sintering temperature which enables its application in much wider range of technological processes.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 4, 4; 8-13
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Direct Two-Photon Creation of Excitonic Molecule in CuCl
Autorzy:
Ungier, W.
Janiszewski, P.
Suffczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2014354.pdf
Data publikacji:
2000-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.-y
Opis:
The probability of direct excitation of excitonic molecule in the two-photon absorption process is calculated with an Hylleraas-Ore type biexciton envelope, which is variationally optimized. In the second order of perturbation, because of the resonance effect, only the exciton Γ$\text{}_{5}$ intermediate state is taken into account. The band structure at band extrema due to spin-orbit interaction is assumed. The transition probability of two-photon absorption is expressed by matrix element between the free exciton and the biexciton envelopes. The obtained probability of two-photon absorption in CuCl is about three orders of magnitude smaller when compared to that obtained by Hanamura.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 98, 4; 411-417
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Excitonic Molecule in Wurtzite Crystals
Autorzy:
Ungier, W.
Janiszewski, P.
Suffczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931241.pdf
Data publikacji:
1994-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.+z
Opis:
We calculate with the variational technique the fine structure of a biexciton in wurtzite crystals with the effective electron-hole exchange interaction taken into account. The values of the electron-hole exchange integrals are taken from the free exciton Γ$\text{}_{5}$-Γ$\text{}_{6}$ splitting. We calculate the biexciton dissociation energy and the ratio of mixing of the symmetric and antisymmetric envelopes which arises from the electron-hole exchange interaction. Results are presented for CdS, CdSe and ZnS crystals.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 85, 3; 607-613
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies