Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Turskienė, S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Analytical Solution of Nonlinear Diffusion Equation in Two-Dimensional Surface
Autorzy:
Janavičius, A. J.
Turskienė, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044566.pdf
Data publikacji:
2005-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
66.30.-h
Opis:
We considered practically important case of nonlinear diffusion in the anisotropic plane where diffusion coefficients for diffusion in x and y axis directions can be different. This equation was transformed using similarity variables. The approximate analytical solution of the transformed equation expressed by power-series expansion for two variables about the zero point including only the first terms. The graphic representations show sufficient accuracy of the obtained analytical solution.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 6; 979-983
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fast Diffusion of Metastable Vacancies in Surface of Excited Si Crystals
Autorzy:
Janavičius, A. J.
Turskienė, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047100.pdf
Data publikacji:
2006-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
66.30.-h
66.30.Hs
78.70.Ck
Opis:
We considered the practically interesting, very fast nonlinear diffusion of metastable vacancies in the surface of Si crystal, excited by soft X-rays. Here we used experimentally defined diffusion coefficients of singly and doubly negatively charged very fast vacancies generated by soft X-rays. These high concentration (about 10$\text{}^{13}$ cm$\text{}^{-3}$) metastable vacancies at room temperature can diffuse and exist in the crystal for a very long time (about 24 hours for not so fast neutral vacancies) changing electrical conductivity, the Hall mobility of carriers and generating some resonance phenomena in the lattice of Si crystal. We measured superdiffusivity of negatively charged vacancies, generated by the Auger effect in the regions of the sample, where X-rays did not acted. In the paper we modified the formerly obtained analytical solution of nonlinear diffusion equation for calculation of distribution of vacancies in two-dimensional surface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 4; 505-510
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modeling of Thermodiffusion Inertia in Metal Films Heated with Ultrashort Laser Pulses
Autorzy:
Janavičius, A. J.
Turskienė, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047101.pdf
Data publikacji:
2006-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
66.30.-h
79.20.Ds
Opis:
Previously, we considered the analytical solution of nonlinear diffusion equation in two-dimensional surface. This allows us to consider the same nonlinear heat conduction equation for metals heated by a picosecond laser. After fast thermalization (within a few femtoseconds) of the laser energy and electron excitation in the conductivity band, electrons ballistically diffuse and transfer their energies to the target atoms and equilibrium electrons from the conductivity band. In this case, we have thermal diffusion of nonequilibrium excited electrons and thermal inertia for thermodiffusion. The relaxation time of excited conductivity electrons is directly connected with thermal inertia and depends on electron-electron collision frequencies. The theoretical temperature surface plots for the thermodiffusion of excited electrons were obtained from analytical solutions of nonlinear thermodiffusion equations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 4; 511-521
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies