Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Tupin, E." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Raman Study of Multicrystalline Silicon Wafers Produced by the RST Process
Autorzy:
Tejero, A.
Tupin, E.
González, M.
Martínez, O.
Jiménez, J.
Belouet, C.
Baillis, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1198416.pdf
Data publikacji:
2014-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Am
61.72.Ff
88.40.jj
Opis:
In the silicon ribbon on a sacrificial template process silicon is deposited on both sides of a carbon ribbon, thus forming a Si/carbon/Si trilayer. The fast cooling of the ribbon in large temperature gradients generates stresses that are detrimental to both the electrical performance and the mechanical behaviour of the wafers. The assessment of the stresses is crucial for the setting-up of thermal treatments allowing for the stress relaxation of the wafers, prior to the cell fabrication. We present an analysis of the stress in the as-grown trilayer by a simulation of the thermomechanical behaviour of the cooling ribbon. Experimental measurements of the stress in as-grown and annealed trilayers are also presented. The results permit to establish the conditions for optimized growth and annealing.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 1006-1009
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies