Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Tsimperidis, I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Free Carriers Heating at Mn$\text{}^{2+}$ Magnetic Resonance in CdMnTe
Autorzy:
Godlewski, M.
Gałązka, R. R.
Tsimperidis, I.
Gregorkiewicz, T.
Ammerlaan, C. A. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931938.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
76.70.Hb
75.30.Hx
Opis:
The results of optically detected magnetic and cyclotron resonance experiments performed on Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te (x = 0.007) are presented. It is shown that the Mn$\text{}^{2+}$ magnetic resonance results in heating of free holes, which can be observed via the effects of hot holes on the CdMnTe "edge" emission.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 177-180
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Detected Cyclotron Resonance Studies of High Eelectron Mobility AlGaAs/GaAs Structures
Autorzy:
Godlewski, M.
Monemar, B.
Anderson, T. G.
Tsimperidis, I.
Gregorkiewicz, T.
Ammerlaan, C. A. J.
Muszalski, J.
Kaniewska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934059.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Jd
78.66.Fd
73.40.Kp
73.20.Dx
Opis:
Optically detected cyclotron resonance is used for the identification of recombination transitions of two-dimensional electron gas in A1GaAs/GaAs heterostructures. Two photoluminescence emissions are attributed to the recombination of the two-dimensional electron gas. These are the so-called H-band and the Fermi level singularity photoluminescence. Optical detection of cyclotron resonance is related to the change of the band bending across the GaAs active layer and the AlGaAs barrier, which is caused by impact ionization of shallow donors in the barrier region. Influence of a long range carrier scattering on ionized impurities on a mobility of the two-dimensional carriers is studied.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 990-994
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies