Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Tchernycheva, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
III-Nitride Nanostructures for Infrared Optoelectronics
Autorzy:
Monroy, E.
Guillot, F.
Leconte, S.
Bellet-Amalric, E.
Nevou, L.
Doyennette, L.
Tchernycheva, M.
Julien, F. H.
Baumann, E.
Giorgetta, F.
Hofstetter, D.
Dang, Le Si
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046980.pdf
Data publikacji:
2006-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.Fg
78.67.De
85.60.Gz
85.35.Be
81.15.Hi
81.07.St
Opis:
Thanks to their large conduction band offset (~1.8 eV for the GaN/AlN system) and subpicosecond intersubband scattering rates, III-nitride heterostructures in the form of quantum wells or quantum dots are excellent candidates for high-speed unipolar devices operating at optical-fiber telecommunication wavelengths, and relying on the quantum confinement of electrons. In this work, we present the plasma-assisted molecular-beam epitaxial growth of quantum well infrared photodetector structures. The growth of Si-doped GaN/AlN multiple quantum well structures is optimized by controlling substrate temperature, metal excess and growth interruptions. Structural characterization confirms a reduction of the interface roughness to the monolayer scale. P-polarized intersubband absorption peaks covering the 1.33-1.91μm wavelength range are measured on samples with quantum well thickness varying from 1 to 2.5 nm. Complete intersubband photodetectors have been grown on conductive AlGaN claddings, the Al mole fraction of the cladding matching the average Al content of the active region. Photovoltage measurements reveal a narrow (~90 meV) detection peak at 1.39μm at room temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 295-301
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies