Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Tan, K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    Removal of uranium(VI) from aqueous solution by rice husk
    Autorzy:
    Xia, L.
    Li, R.
    Xiao, Y.
    Zheng, W.
    Tan, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/208201.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    wheat straw
    biosorption
    uranium
    ions
    biosorpcja
    słoma zbożowa
    uran
    jony
    Opis:
    Basic aspects of uranium adsorption by rice husk have been investigated. The influences of various experimental parameters such as pH, time, adsorbent dosage, rice husk size, temperature and various concentrations of uranium on uptake were evaluated. The thermodynamics and kinetics of adsorption were analyzed by FT-IR and SEM. The adsorption capacity for uranium on rice husk increased upon increasing initial concentration of uranium and temperature, while decreased with the increase of the amount of rice husk. Maximum uranium adsorption was observed at pH = 3 and particle size between 120 μm and 150 μm. Adsorption equilibrium was achieved within 60 min. At 25 °C, the saturated adsorption capacity qmax was up to 15.14 mg/g when the initial concentration of uranium ranged from 10 to 400 mg/dm3. The adsorption of uranium followed Langmuir adsorption isotherm and according to quasi-second order kinetic equation. The calculated values of ΔH°, ΔS°, and ΔG° indicated that the biosorption process was endothermic and spontaneous. Based on FT-IR spectra it may be concluded that hydroxyl, carbonyl, P–O and Si=O groups are the main active sites.
    Źródło:
    Environment Protection Engineering; 2017, 43, 4; 41-53
    0324-8828
    Pojawia się w:
    Environment Protection Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Short-term variation in zooplankton community from Daya Bay with outbreaks of Penilia avirostris
    Autorzy:
    Li, K.
    Yin, J.
    Tan, Y.
    Huang, L.
    Song, X.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/47644.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Oceanologii PAN
    Tematy:
    zooplankton
    Penilia avirostris
    outbreak
    short-term variability
    nuclear power plant
    temporal variation
    water temperature
    salinity
    chlorophyll a
    aquaculture area
    Daya Bay
    Źródło:
    Oceanologia; 2014, 56, 3
    0078-3234
    Pojawia się w:
    Oceanologia
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fabrication of polymer microcomponents using CO2 laser melting technique
    Wytwarzanie mikroelementów polimerowych z zastosowaniem techniki topienia laserem CO2
    Autorzy:
    Tan, W. S.
    Zhou, J. Z.
    Huang, S.
    Zhu, W. L.
    Meng, X. K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/947347.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Chemii Przemysłowej
    Tematy:
    molding
    polymer microcomponents
    CO2 laser
    irradiation
    numerical simulation
    formowanie
    mikroelementy polimerowe
    laser CO2
    napromienianie
    symulacja numeryczna
    Opis:
    A new method of laser melting molding to produce high-efficiency and high-quality polymer microcomponents was proposed. Numerical simulation was used to analyze the temperature changes of polymer melt during the laser irradiation process. An orthogonal experiment was also employed to investigate the factors influencing molding accuracy. The molding experiments were conducted on molds with various degrees of roughness, and the surface quality of the molded pieces was tested. The simulation analysis and experimental results showed that the laser power plays a critical role in improving the repetition accuracy. The next factors are irradiation time and mold temperature, followed by molding force. Optimized technological parameters (1.2 W of laser power, 6 mm of laser beam width, 6 s irradiation time, 150 N molding force, and 80 °C mold temperature) were applied to obtain a molded pieces with high repetition accuracy and a microstructure dimensional deviation of less than 1 µm. Using a mold with lower surface roughness provides that we can obtain a molded piece with lower roughness, the roughness difference between the mold and the molded piece was less than 0.012 µm.
    Zaproponowano nową metodę formowania mikroelementów polimerowych z zastosowaniem topienia laserowego, zapewniającą wysoką wydajność oraz dobrą jakość wytwarzanych mikroelementów. Istotnym parametrem procesu, wpływającym na jakość formowanych elementów, jest temperatura stopu polimeru. Do analizy zmian tej temperatury pod wpływem napromieniania laserem zastosowano symulację numeryczną. Zastosowano także ortogonalny plan eksperymentu w celu zbadania czynników wpływających na dokładność formowania. Formowania przeprowadzono z użyciem form o różnych stopniach chropowatości i zbadano jakość powierzchni mikroelementów. Analiza wyników symulacji i badań eksperymentalnych wykazała, że moc lasera odgrywa kluczową rolę w uzyskaniu powtarzalnej dokładności. Kolejnymi czynnikami są czas napromieniowania i temperatura formy oraz siły formujące. Zoptymalizowane parametry technologiczne (moc lasera 1,2 W, szerokość wiązki lasera 6mm, czas napromieniania 6 s, siła formująca 150 N i temperatura formowania 80 °C) zastosowano do formowania elementów z powtarzalną dużą dokładnością odtwarzania wymiarów (odchylenia wymiarów nie przekraczały 1 µm). Użycie form o mniejszej chropowatości powierzchni pozwalało także uzyskać mniejszą chropowatość mikroelementów, przy czym różnica chropowatości formy i otrzymanego elementu była mniejsza niż 0,012 µm.
    Źródło:
    Polimery; 2015, 60, 3; 192-198
    0032-2725
    Pojawia się w:
    Polimery
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Development of an indirect ELISA based on glycoprotein B gene for detecting of Feline herpesvirus type 1
    Autorzy:
    Tan, Y.
    Dong, G.
    Niu, J.
    Guo, Y.
    Yi, S.
    Sun, M.
    Wang, K.
    Hu, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2087468.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    feline herpesvirus type 1
    gB protein
    indirect ELISA
    prokaryotic expression
    Źródło:
    Polish Journal of Veterinary Sciences; 2019, 3; 631-633
    1505-1773
    Pojawia się w:
    Polish Journal of Veterinary Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultrafast Carrier Trapping and High Resistivity of MeV Energy Ion Implanted GaAs
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Jasiński, J.
    Kurpiewski, A.
    Kamińska, M.
    Jagadish, C.
    Tan, H. H.
    Krotkus, A.
    Marcinkevicius, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1951117.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Vv
    72.20.Jv
    72.80.Ey
    Opis:
    Semi-insulating GaAs wafers were implanted with MeV As, Ga, O or Si ions at doses ranging from 1×10$\text{}^{14}$ to 5×10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$. Their structural properties were studied by electron microscopy and the Rutherford backscattering-channeling. Time resolved photoluminescence, electrical conductivity and the Hall effect were used to determine carrier lifetime and electrical properties of the material. Annealing of the samples at 600°C led to the recovery of transport in conduction band. The As, Ga and O implanted samples became semi-insulating, while the Si implanted samples were n-type. Carrier trapping times were short, shorter than 1 ps for the highest dose used. Models explaining the fast photocarrier decay are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 851-854
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Factors influencing serum chemerin and kallistatin concentrations in patients with alcohol-induced liver cirrhosis
    Autorzy:
    Prystupa, A.
    Kiciński, P.
    Luchowska-Kocot, D.
    Sak, J.
    Prystupa, T.K.
    Tan, Y.-H.
    Panasiuk, L.
    Załuska, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2082078.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Instytut Medycyny Wsi
    Tematy:
    alcohol-induced liver cirrhosis
    chemerin
    kallistatin
    Opis:
    Introduction. In Poland, an increasing number of patients are hospitalized due to liver diseases. One of the common liver diseases is cirrhosis, which can be caused by alcohol, viral hepatitis, autoimmune processes and metabolic diseases. Materials and method. The study included 99 patients with alcoholic cirrhosis from the Lublin region of Eastern Poland. The control group consisted of 20 healthy individuals without liver disease who did not abuse alcohol. The concentrations of serum kallistatin and chemerin were determined using ELISA kits. Objective. The aim of the study is to evaluate serum levels of kallistatin and chemerin in patients with different stages of alcoholic liver cirrhosis. Results. The highest chemerin level was found in the control group – 182.6±80.4 ng/ml. In other stages of liver cirrhosis, the following levels were observed: 175.7±62.7 ng/ml in Child-Pugh stage A (Ch-P A), 150.2±59.7 ng/ml in Ch-P B and 110.3±73.6 ng/ml in Ch-P C. Significant differences in chemerin levels between controls and Ch-P C patients (p=0.01), as well as between the Ch-P A patients and Ch-P C patients (p=0.02), were demonstrated. The highest kallistatin level was demonstrated in the control group – 8.2±3.5 μg/ml. In other stages of liver cirrhosis, the following concentrations were found: 7.2±27 μg/ml in Ch-P A, 4.4±2.2 μg/ml in Ch-P B and 3.5±1.9 μg/ml in Ch-P C (Tab. 3). Statistically significant differences were observed between controls and Ch-P B patients (p<0.001), controls and Ch-P C patients (p<0.001), Ch-P A and Ch-P B patients (p=0.01), as well as Ch-P A and Ch-P C patients (<0.001). Conclusions. The levels of chemerin and kallistatin decrease with progression of liver damage during alcoholic liver cirrhosis. The impairment of its synthetic function leads to reductions in levels of the adipokines studied.
    Źródło:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2019, 26, 1; 143-147
    1232-1966
    Pojawia się w:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Role of Arsenic Antisite Defect in Nonstoichiometric Gallium Arsenide
    Autorzy:
    Jasiński, J.
    Kurpiewski, A.
    Korοna, K.
    Kamińska, M.
    Ρalczewska, M.
    Krotkus, A.
    Marcinkievicius, S.
    Liliental-Weber, Z.
    Tan, H. H.
    Jagadish, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933772.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Er
    73.90.+f
    Opis:
    Over the last few years there have been many studies of GaAs layers grown at low temperatures (180-300°C), so called LT GaAs. The interest in LT GaAs was motivated by the potential application of 600oC annealed LT GaAs in microwave and fast optoelectronic devices because of its short photocarrier lifetime, reasonable mobility and high resistivity. These properties are associated with the nonstoichiometry of LT GaAs. Recently, studies of comparable material, nonstoichiometric GaAs produced by arsenic ion implantation have been initiated. There is still a strong controversy as to whether the arsenic antisite (As$\text{}_{Ga}$) or arsenic precipitates are responsible for unique electrical properties of both materials. This paper presents the results of structural and electrical studies of high energy As implanted GaAs and comments on relationships between the structure and the resulting electrical properties.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 747-750
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies