Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Suchanek, R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Wpływ pyłów hutnictwa metali nieżelaznych na kiełkowanie nasion Pinus silvestris, P. nigra, P. rigida, Picea abies, Quercus robur
    Influence of dusts of non-iron metallurgy on the germination of seed of Pinus silvestris, P. nigra, P. rigida, Picea abies, Quercus robur
    Autorzy:
    Greszta, J.
    Bitka, R.
    Suchanek, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/819852.pdf
    Data publikacji:
    1979
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Leśne
    Źródło:
    Sylwan; 1979, 123, 01
    0039-7660
    Pojawia się w:
    Sylwan
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nature of Donors in SiC
    Autorzy:
    Suchanek, B.
    Dwiliński, R.
    Kamińska, M.
    Palczewska, M.
    Vlaskina, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1872293.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    76.30.Da
    Opis:
    6H-SiC samples were examined by ESR technique in temperature range from 5 K up to 300 K. Two kinds of ESR lines were observed: a single line at g = 2.0054 ± 0.0007, called X-line, and a triplet corresponding to isolated nitrogen defect. Ionization energy of X defect was determined as about 60 meV and the ionization energy of isolated nitrogen was determined as about 200 meV below SiC conduction band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 321-324
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    GaN Layers Grown by Reactive Ion Plating
    Autorzy:
    Żubka, A.
    Dwiliński, R.
    Suchanek, B.
    Janik, W.
    Wysmołek, A.
    Kwiatkowski, S.
    Kamińska, M.
    Shaginyan, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1943889.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Jj
    68.55.Gi
    Opis:
    GaN layers grown on ceramics, sapphire or SiC substrates using reactive ion plating method are presented. In reactive ion plating method gallium from a hot source reacts on a heated substrate with nitrogen partially ionized. Rutherford backscattering technique was applied to check the composition of the samples and gallium to nitrogen ratio was found to be close to one. However, Rutherford backscattering studies showed also a remarkable amount of unintentional impurities present in the layers. The structure of GaN was determined using reflection high-energy electron diffraction. It appeared that polycrystal and monocrystal can be grown, depending on growth conditions. Absorption spectra taken on the layers grown on sapphire showed a tail of band to band absorption starting at about 370 nm. Carrier concentration was of the order of 1019-1020 cm$\text{}^{-3}$ at room temperature and did not change much with temperature decrease. No luminescence from the layers was detected, most probably due to high concentration of impurities.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 1058-1062
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies