Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Strebezhev, V. M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Laser synthes and optimization of parameters of thin films and epitaxial layers of In4Se3, In4Te3
    Autorzy:
    Vorobets, G. I.
    Strebezhev, V. V.
    Tkach, V. M.
    Vorobets, O. I.
    Strebezhev, V. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/134893.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Tomasz Mariusz Majka
    Tematy:
    semiconductor thin film
    epitaxial layer
    laser treatment
    indium selenide
    indium telluride
    Opis:
    The influence of the modes of laser treatment on the structural-phase state and electrical properties of thin films and epitaxial layers In4Se3, In4Te3, as well as on the thin-film structures with Schottky barrier of type Au - In4Te3 (In4Se3) are investigated. Thin films In4Se3, In4Te3 received by pulsed laser deposition of stoichiometric homogeneous crystalline materials on a dielectric substrate. The epitaxial layers of In4Se3, In4Te3 were obtained by liquid phase epitaxy. Metal contacts are created by thermal spraying of the respective metals in a vacuum p 10-6 ÷ 10-7 Torr. For the correction of electrophysical characteristics of the studied structures the pulse laser irradiation (PLI) with 1,06 m, 1 ÷ 4 ms was used. The surface morphology of the films on various stages of formation of the structures was investigated by SEM and electron diffraction, and the phase composition was monitored by method X - ray spectral electron probe microanalysis. Study of IV characteristics of film contacts Me - In4Te3 (In4Se3) allowed further identify the phase transformation and the basic mechanisms of charge transport in barrier structures after PLI. Investigation of the spectral photosensitivity of film structures showed that under optimum conditions the laser correction can be obtained the shift of the spectral characteristics from 1,7÷1,8 microns to longer wavelengths. The investigated barrier structures may be promising for use as a photodetector for fiber optic communication lines.
    Źródło:
    Journal of Education and Technical Sciences; 2015, 2, 1; 5-8
    2300-7419
    2392-036X
    Pojawia się w:
    Journal of Education and Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photodiode based on the epitaxial phosphide gallium with increased sensitivity at a wavelength of 254 nm
    Fotodioda oparta na epitaksjalnym fosforku galu o zwiększonej wrażliwości przy długości fali 254 nm
    Autorzy:
    Dobrovolsky, Yurii G.
    Lipka, Volodymyr M.
    Strebezhev, Volodymyr V.
    Sorokatyi, Yurii O.
    Sorokatyi, Mykola O.
    Andreeva, Olga P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408832.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    photodiode
    gallium phosphide
    sensitive, 254 nm
    Schottky barrier
    fotodioda
    fosforek galu
    czułość, 254 nm
    bariera Schottky'ego
    Opis:
    The paper showsthe results of the development of a photodiode technology based on gallium phosphide structure n+-n-GaP-Au with high sensitivity. It provides the ion etching of the surface of the gallium phosphide before an application of a leading electrodeof gold. The barrier layerof a 20 nm thick gold is applied to thesubstrate in the magnetic field of GaP. When forming the contact with the reverse sideof the indium substrate at 600°C, there occurs the annealing of the gold barrier layer. At the maximum of the spectral characteristics obtained by the photodiode, it has a sensitivity of 0.13A/W, and at a wavelength of 254 nm – about 0.06 A/W. The dynamic range of the photodiode is not less than 107.
    Artykuł pokazuje rezultaty rozwoju technologicznegofotodiody opartej na fosforku galu o strukturze n+-n-GaP-Auo wysokiej czułości. Umożliwia to wytrawianie jonowe powierzchni fosforku galu, zanim zastosowana zostanie elektroda przewodząca wykonana ze złota. Złota warstwa barierowa o grubości 20 nm jest nakładana na podłoże GaP w polu magnetycznym. Gdy powstaje stykz tyłu podłoża indowego w temperaturze 600°C, złota warstwa barierowa jest wyżarzana. Przy maksymalnej charakterystyce spektralnej uzyskanej przezfotodiodę, ma ona czułość 0,13 A/W, a przy długości fali 254 nm –około 0,06 A / W. Zakres dynamiczny fotodiody wynosi co najmniej 107.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 1; 36-39
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies