Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Stradling, R. A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Magnetotransport and Magnetooptics of InAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$ and Heterojunctions Combinations Formed Between InAs and GaSb, AlSb Or InAs$\text{}_{1 -x}$Sb$\text{}_{x}$
Autorzy:
Stradling, R. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968244.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.My
76.40.+b
78.20.Ls
Opis:
Cyclotron resonance and interband measurements are reported in magnetic fields up to 160 T for InAs/InAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$ superlattices, one of which is a "self-organised" or "natural" superlattice, and InAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$ epilayers. The samples were grown by MBE at temperatures between 370°C to 500°C. No dependence of the band gap, effective masses or g-values on the growth temperature was detected. Anomalous tilt behaviour was observed for the superlattices. Inversion asymmetry induced spin-splitting of the subbands in gated InAs quantum wells is investigated by means of the Shubnikov-de Haas effect and cyclotron resonance. The non-parabolicity was well fitted by Kane theory, although the measured values of effective mass were substantially higher than predictions. Infrared life time measurements at wavelengths between 6 and 85 microns are undertaken with free electron lasers on InAs/InAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$ superlattices and InAs/AlSb quantum wells. Suppression of the Auger recombination times is demonstrated with the superlattices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 851-865
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Pressure Far-Infrared Magnetooptical Studies of Sn and S Donors in GaAs
Autorzy:
Dmochowski, J. E.
Wang, P. D.
Stradling, R. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1888152.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
78.50.Ge
Opis:
The diamond anvil cell technique is applied for magneto-optical far-infrared transmission experiments with LPE grown GaAs:Sn. The 1s-2p(+) intra-shallow-Γ-donor transition is investigated as a function of high hydrostatic pressure for Sn and residual S donors. Both donors are shallow up to 30 kbar. Above this pressure both donors become deep and shallow donor absorption is persistently bleached due to deep non-metastable (non DX-like) states of the donors entering the gap of GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 279-282
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pressure Induced Shallow-Deep A$\text{}_{1}$ Transition for Sn Donor in GaAs Observed in Diamond Anvil Cell Photoluminescence Experiment
Autorzy:
Dmochowski, J. E.
Stradling, R. A.
Sly, J.
Dunstan, D. J.
Prins, A. D.
Adams, A. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1876148.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
Opis:
Variable-pressure Dunstan-type diamond anvil high pressure cell and a low temperature photoluminescence technique are used to observe the shallow-deep A$\text{}_{1}$ transition for Sn donors in highly Sn doped n-type (≈ 10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$) GaAs. Fermi level pinning to the position of the deep Sn donor state entering the gap close to 30 kbar pressure is observed. Drastic narrowing of the near-band-edge luminescence is observed in the transition region. The deep-donor pressure coefficient of 2 meV/kbar with respect to the valence band is deduced from the energy position of the deep donor-acceptor transitions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 457-460
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Evidence of Γ-Free or Bound-to-Deep Acceptor Character of the Y-1.2 eV Deep Photoluminescence Line in n-type Ge-doped GaAs Derived from High Hydrostatic Pressure Experiments in Diamond Anvil Cell
Autorzy:
Dmochowski, J.
Stradling, R.
Prins, A.
Dunstan, D.
Adams, A.
Kukimoto, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1861544.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
Opis:
The dependence of the energy position of the deep defect-related photoluminescence line Y-1.2 eV in Ge-doped GaAs on high hydrostatic pressure is investigated using a Dunstan-like diamond anvil cell. The observation that the energy position of the line follows that of the Γ-conduction band minimum in the 1 bar-30 kbar pressure range demonstrates that the line has Γ-(free or shallow bound)-to-deep acceptor character. This fact confirms the deep-acceptor character of the deep defect, most likely a donor impurity-Ga vacancy complex, which contributes to the Y:-1.2 eV photoluminescence line.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 649-652
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies