Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Stőger, G." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Weak Localization and Electron-Electron Interaction in Si/SiGe Quantum Wells
Autorzy:
Prinz, A.
Stőger, G.
Brunthaler, G.
Bauer, G.
Ismail, K.
Meyerson, B. S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933957.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Fz
Opis:
A negative magnetoresistance is observed in Si/SiGe modulation doped heterostructures which is attributed to the single particle quantum interference (weak localization) effect. From analysis of the experimental data the electron phase coherence time τ$\text{}_{ϕ}$ is extracted to follow a (aT + bT$\text{}^{2}$ )$\text{}^{-1}$ dependence. The evaluated prefactor α = 0.25 is below the theoretical limit of 0.5, but agrees with observations in Si and GaAs/AlGaAs heterostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 873-876
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron Localization in Sb-Doped Si/SiGe Superlattices
Autorzy:
Dietl, T.
Jaroszyński, J.
Sawicki, M.
Głód, P.
Wróbel, J.
Stöger, G.
Brunthaler, G.
Bauer, G.
Schäffler, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933732.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Cw
72.15.Rn
73.20.Fz
Opis:
Millikelvin studies of in-plane magnetoconductance in short period Si/Ge:Sb superlattices have been carried out in order to examine the effect of anisotropy on quantum localization. The field-induced metal-to-insulator transition has been observed, indicating the existence of extended states. This suggests that despite anisotropy as large as D $\text{}_{∥}$/D$\text{}_{⊥}$ ≈ 10$\text{}^{3}$ the system behaves as 3D in respect of localization by disorder.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 699-702
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
35×4 Substates of DX Centers in AlGaAs:Si
Autorzy:
Ostermayer, G.
Brunthaler, G.
Stöger, G.
Jantsch, W.
Wilamowski, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929749.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:
The measured temperature dependent free carrier concentration in AlGaAs:Si samples is compared with a model calculation where we take the full 35 × 4 alloy statistics of the DX center and potential fluctuations into account. Within this statistics we are able to describe the electron capture by a single barrier E$\text{}_{B}$ for all Al-configurations. We compare the alloy statistics with the simple 4 × 1 statistics.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 765-768
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies