Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Spagnolo, B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Doping Dependence of Spin Dynamics of Drifting Electrons in GaAs Bulks
Autorzy:
Spezia, S.
Persano Adorno, D.
Pizzolato, N.
Spagnolo, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1506224.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.70.Ej
72.25.Dc
72.25.Rb
Opis:
We study the effect of the impurity density on lifetimes and relaxation lengths of electron spins in the presence of a static electric field in an n-type GaAs bulk. The transport of electrons and the spin dynamics are simulated by using a semiclassical Monte Carlo approach, which takes into account the intravalley scattering mechanisms of warm electrons in the semiconductor material. Spin relaxation is considered through the D'yakonov-Perel mechanism, which is the dominant mechanism in III-V semiconductors. The evolution of spin polarization is analyzed by computing lifetimes and depolarization lengths as a function of the doping density in the range $10^{13}$ ÷ 5 × $10^{16} cm^{-3}$, for different values of the amplitude of the static electric field (0.1 ÷ 1.0 kV/cm). We find an increase of the electron spin lifetime as a function of the doping density, more evident for lattice temperatures lower than 150 K. Moreover, at very low intensities of the driving field, the spin depolarization length shows a nonmonotonic behaviour with the density. At the room temperature, spin lifetimes and depolarization lengths are nearly independent on the doping density. The underlying physics is analyzed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 250-252
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
External Noise Effects on the Electron Velocity Fluctuations in Semiconductors
Autorzy:
Persano Adorno, D.
Pizzolato, N.
Spagnolo, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813387.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.70.+m
05.40.Ca
05.40.-a
Opis:
We investigate the modification of the intrinsic carrier noise spectral density induced in low-doped semiconductor materials by an external correlated noise source added to the driving high-frequency periodic electric field. A Monte Carlo approach is adopted to numerically solve the transport equation by considering all the possible scattering phenomena of the hot electrons in the medium. We show that the noise spectra are strongly affected by the intensity and the correlation time of the external random electric field. Moreover, this random field can cause a suppression of the total noise power.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 985-988
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies