Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Sobanska, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Wstępne wyniki badań wpływu roślinności na temperaturę gruntu
    Preliminary results of investigation of vegetation effect on ground temperature
    Autorzy:
    Sobańska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2095885.pdf
    Data publikacji:
    1986
    Wydawca:
    Poznańskie Towarzystwo Przyjaciół Nauk
    Źródło:
    Badania Fizjograficzne nad Polską Zachodnią. Seria A:Geografia Fizyczna; 1986, 36; 155-164
    0067-2807
    Pojawia się w:
    Badania Fizjograficzne nad Polską Zachodnią. Seria A:Geografia Fizyczna
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Substrate on Crystallographic Quality of AlGaN/GaN HEMT Structures Grown by Plasma-Assisted MBE
    Autorzy:
    Wierzbicka, A.
    Żytkiewicz, Z.
    Sobańska, M.
    Kłosek, K.
    Łusakowska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1431598.pdf
    Data publikacji:
    2012-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.cp
    61.05.cm
    81.15.Hi
    68.55.-a
    Opis:
    Results of characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) are reported. High resolution X-ray diffraction (HRXRD) and X-ray reflectivity (XRR) were applied to show that structural properties of the AlGaN/GaN layers strongly depend on the substrate used for growth. It has been found that an additional 10 μm thick HVPE GaN layer grown on a commercial GaN/sapphire substrate significantly improves structural quality of AlGaN layer. However, the best structural parameters have been obtained for the HEMT sample grown on free-standing HVPE bulk GaN substrate.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 899-902
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoluminescence Dynamics of GaN/Si Nanowires
    Autorzy:
    Korona, K.
    Zytkiewicz, Z.
    Perkowska, P.
    Borysiuk, J.
    Binder, J.
    Sobanska, M.
    Klosek, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403621.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.22.-f
    78.47.jd
    Opis:
    In this work we present analysis of carriers dynamics in samples of GaN nanowires grown on silicon. The samples exhibit bright luminescence of bulk donor-bound excitons at 3.472 eV, surface defect-bound excitons at 3.450 eV (SDX) and a broad (0.05 eV) band centered at 3.47 eV caused probably by single free exciton and bi-exciton recombination. The SDX emission has long lifetime τ = 0.6 ns at 4 K and can be observed up to 50 K. At higher temperatures luminescence is dominated by free excitons. The broad excitonic band is best visible under high excitation, and reveals fast, non-exponential dynamics. We present mathematical model assuming exciton-exciton interaction leading to the Auger processes. The model includes $n^2$ (Langevin) term and describes well the non-exponential dynamics of the excitonic band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1001-1003
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Properties of GaN Nanocolumns Grown by Plasma - Assisted MBE on Si (111) Substrates
    Autorzy:
    Zytkiewicz, Z.
    Dluzewski, P.
    Borysiuk, J.
    Sobanska, M.
    Klosek, K.
    Witkowski, B.
    Setkiewicz, M.
    Pustelny, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492480.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Hi
    81.05.Dz
    61.46.Km
    Opis:
    We report on growth of GaN nanocolumns by plasma assisted MBE on (111) silicon substrates and on their characterization. The nanocolumns nucleate on the substrate spontaneously without use of any catalyst, probably by the Volmer-Weber mechanism. Transmission electron microscopy analysis shows high crystalline quality of GaN nanocolumns and their good alignment with the c-axis being perpendicular to the substrate. Preliminary results on use of GaN nanocolumns in gas sensor devices are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-015-A-016
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Komputerowo wspomagana ocena skuteczności terapii cellulitu na podstawie obrazowania termograficznego
    Computer-aided evaluation of the cellulite therapy effectivness based on thermal imaging
    Autorzy:
    Migasiewicz, A.
    Sobańska, A.
    Dereń, E.
    Pelleter, M.
    Giemza, A.
    Podbielska, H.
    Bauer, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/262048.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki. Katedra Inżynierii Biomedycznej
    Tematy:
    cellulit
    panikulopatia
    lipodystrofia
    terapia antycellulitowa
    skuteczność terapii
    cellulite
    panniculopathy
    lipodystrophy
    anti-cellulite therapy
    therapy effectiveness
    Opis:
    Cellulit jest częstym defektem kosmetycznym, występującym u większości kobiet w krajach wysoko rozwiniętych. Szacuje się, iż dotyka około 85% dojrzałych kobiet. Ze względu na powszechność tego schorzenia, jak również jego negatywny wpływ na samopoczucie oraz jakość życia kobiet, w literaturze fachowej poświęca mu się w ostatnich latach coraz więcej uwagi. Wspomniane prace dotyczą zarówno nowych sposobów diagnozowania lipodystrofii, jak również jej leczenia. Celem niniejszego eksperymentu było sprawdzenie przydatności metod termograficznych do oceny skuteczności 4-tygodniowej terapii antycellulitowej, przeprowadzonej z użyciem preparatu Body Lotion ,,Metamorphose 24”. Badaniami objęto 20 kobiet w wieku od 19 do 21 lat (średnia wieku 20,5±0,8). W przypadku każdej pacjentki odnotowano spadek zarówno liczby zmian lipodystroficznych, jak i ich powierzchni. Wyniki te potwierdziło badanie wizualno-palpacyjne. W pracy dowiedziono, że pomiary termowizyjne mogą z powodzeniem być stosowane do oceny terapii antycellulitowych.
    Cellulite is a common cosmetic defect occurring mostly in women from developed countries. It is estimated that it affects approximately 85% of mature women. Because of the high prevalence of this afflict, as well as its negative influence on the wellbeing and quality of life, it is widely discussed in the literature in last years. Described papers deal with both, new lipodystrophy diagnostic tools and treatment methods. The purpose of this experiment was to check whether thermography can be used for the evaluation of effectiveness of 4-week anti-cellulite therapy, conducted with usage of Body Lotion ,,Metamorphose 24” preparation. The experiment involved 20 women aged 19−21 (mean age 20.5±0.8). In case of each patient decrease in number of lipodystrophic changes as well as their area was observed. These results were confirmed by visual-palpation examination. It was proven that thermography can be successfully used for the evaluation of anti-celullite therapy.
    Źródło:
    Acta Bio-Optica et Informatica Medica. Inżynieria Biomedyczna; 2017, 23, 2; 87-95
    1234-5563
    Pojawia się w:
    Acta Bio-Optica et Informatica Medica. Inżynieria Biomedyczna
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies