Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Sobańska, K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Analiza parametrów przepływu cząstek stałych na przykładzie pyłu węglowego
    Analysis of particulate flow parameters on the example of coal dust
    Autorzy:
    Sobańska, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159235.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    przepływ
    pył węglowy
    prędkość
    koncentracja
    Opis:
    W artykule przedstawiono główne parametry przepływu pyłu węglowego w pyłoprzewodach zasilających kotły energetyczne. Właściwe proporcje pomiędzy pyłem węglowym a powietrzem w głównej mierze decydują nie tylko o samym przepływie mieszaniny dwufazowej ale także o parametrach spalania w kotle energetycznym. Prędkość przepływu oraz koncentracja strumienia masy pyłu węglowego mają znaczny wpływ na sprawność energetyczną kotła oraz na jego wydajność.
    This paper presents the main parameters of the flow of pulverized coal in pulverised coal duct. The right balance between pulverized coal and air determine not only the two-phase mixture flow but also the characteristics of combustion process in the power boiler. The flow rate and particle concentration of the coal dust has a significant impact on the power boiler efficiency.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2011, 251; 31-42
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Recykling jako sposób zagospodarowania odpadów powstających przy remontach dróg
    Recycling as a method of reuse the material coming from pavement reconstruction works
    Autorzy:
    Sas, W.
    Sobanska, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/886156.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
    Tematy:
    budowa drog
    kruszywo betonowe
    kruszywo budowlane
    odpady budowlane
    odpady przemyslowe
    recykling odpadow
    remonty
    zagospodarowanie odpadow
    ochrona srodowiska
    obowiazki przedsiebiorcow
    Opis:
    Recycling of construction waste is a method of reuse anthropogenic material that is recommended by national and international law. It is economically, ecologically and technologically effi cient. The increasing traffic cause damage of pavements. The renovation can be done either using new materials or recycled materials. Recycled asphalt can be used in building new asphalt roads or for reinforcement of local dirt roads. Concrete recycling gains importance because it protects natural resources and limits the need for disposal by using the readily available concrete as an aggregate source for new concrete or pavement subbase layers. As a result we can avoid the creation of huge amounts of demolition waste during roadworks and the area of bings connected with natural materials mining and their negative infl uence on the landscape. We can save the consumption of nonrenewable natural materials taking an economical benefit from it because of lower prices of recycled materials. In this work the use of by – products is presented especially from the point of view of building low-volume roads with local traffic, however they are also used for other public roads.
    Źródło:
    Scientific Review Engineering and Environmental Sciences; 2010, 19, 1[47]
    1732-9353
    Pojawia się w:
    Scientific Review Engineering and Environmental Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Substrate on Crystallographic Quality of AlGaN/GaN HEMT Structures Grown by Plasma-Assisted MBE
    Autorzy:
    Wierzbicka, A.
    Żytkiewicz, Z.
    Sobańska, M.
    Kłosek, K.
    Łusakowska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1431598.pdf
    Data publikacji:
    2012-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.cp
    61.05.cm
    81.15.Hi
    68.55.-a
    Opis:
    Results of characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) are reported. High resolution X-ray diffraction (HRXRD) and X-ray reflectivity (XRR) were applied to show that structural properties of the AlGaN/GaN layers strongly depend on the substrate used for growth. It has been found that an additional 10 μm thick HVPE GaN layer grown on a commercial GaN/sapphire substrate significantly improves structural quality of AlGaN layer. However, the best structural parameters have been obtained for the HEMT sample grown on free-standing HVPE bulk GaN substrate.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 899-902
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoluminescence Dynamics of GaN/Si Nanowires
    Autorzy:
    Korona, K.
    Zytkiewicz, Z.
    Perkowska, P.
    Borysiuk, J.
    Binder, J.
    Sobanska, M.
    Klosek, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403621.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.22.-f
    78.47.jd
    Opis:
    In this work we present analysis of carriers dynamics in samples of GaN nanowires grown on silicon. The samples exhibit bright luminescence of bulk donor-bound excitons at 3.472 eV, surface defect-bound excitons at 3.450 eV (SDX) and a broad (0.05 eV) band centered at 3.47 eV caused probably by single free exciton and bi-exciton recombination. The SDX emission has long lifetime τ = 0.6 ns at 4 K and can be observed up to 50 K. At higher temperatures luminescence is dominated by free excitons. The broad excitonic band is best visible under high excitation, and reveals fast, non-exponential dynamics. We present mathematical model assuming exciton-exciton interaction leading to the Auger processes. The model includes $n^2$ (Langevin) term and describes well the non-exponential dynamics of the excitonic band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1001-1003
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Properties of GaN Nanocolumns Grown by Plasma - Assisted MBE on Si (111) Substrates
    Autorzy:
    Zytkiewicz, Z.
    Dluzewski, P.
    Borysiuk, J.
    Sobanska, M.
    Klosek, K.
    Witkowski, B.
    Setkiewicz, M.
    Pustelny, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492480.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Hi
    81.05.Dz
    61.46.Km
    Opis:
    We report on growth of GaN nanocolumns by plasma assisted MBE on (111) silicon substrates and on their characterization. The nanocolumns nucleate on the substrate spontaneously without use of any catalyst, probably by the Volmer-Weber mechanism. Transmission electron microscopy analysis shows high crystalline quality of GaN nanocolumns and their good alignment with the c-axis being perpendicular to the substrate. Preliminary results on use of GaN nanocolumns in gas sensor devices are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-015-A-016
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies