Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Slyotov, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
The sources of radiation in the short-wave range on the basis of II-VI heterolayers
Źródła promieniowania w zakresie krótkofalowym na podstawie heterowarstw grup II-VI
Autorzy:
Slyotov, M.
Slyotov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/407862.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
cadmium sulfide
zinc selenide
zinc sulfide
hexagonal modification
reflection spectrum
photoluminescence
siarczek kadmu
selenek cynku
siarczek cynku
modyfikacja heksagonalna
mieszanie widma
fotoluminescencja
Opis:
The possibility of obtaining zinc selenide and zinc sulfide layers of hexagonal modification by isovalent substitution method is shown. They are characterized by intensive luminescence which is formed by the dominant annihilation of bound excitons for α-ZnSe and recombination on donor-acceptor pairs for α-ZnS. The resulting radiation covers the violet wavelength range. Quantum radiation efficiency reaches η = 10–12% for α-ZnSe and η = 5–8% for α-ZnS. The radiation is characterized by high temperature stability and repeatability of characteristics and parameters.
Pokazano, że możliwe jest uzyskanie heterogennych warstw selenku i siarczku cynku o modyfikacji heksagonalnej za pomocą metody izowalentnego podstawienia. Charakteryzują się one intensywną luminescencją, która powstaje w wyniku anihilacji związanych ekscytonów dla dominującego pasma α-ZnSe i rekombinacji na parach donor-akceptor w przypadku α-ZnS. Otrzymane promieniowanie pokrywa fioletowy zakres optyczny. Sprawność kwantowa promieniowania wynosi η = 10–12% dla α-ZnSe i η = 5–8% dla α-ZnS. Promieniowanie charakteryzuje się wysoką stabilnością temperaturową oraz powtarzalnością charakterystyk i parametrów.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 4; 4-7
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Se Isoelectronic Impurity on the Luminescence Features of the ZnO
Autorzy:
Khomyak, V.
Slyotov, M.
Shtepliuk, I.
Slyotov, O.
Kosolovskiy, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403644.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
78.67.Bf
81.05.Dz
81.07.Bc
Opis:
Se-doped ZnO films have been deposited on the sapphire substrates by the radio-frequency magnetron sputtering technique. An influence of the isoelectronic impurity Se on the room-temperature luminescence of the ZnO films is studied. It is revealed that the Se doping leads to an appearance of the intense near-band edge emission spectrum, which consists of three emission bands. The dominant emission band is related to the recombination of the bound excitons. The radiation caused by the band-to-band transitions of free carriers is observed in the high-energy side of the spectrum (ħω > $E_{g}$).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1039-1041
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies