Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Slobodian, Vasyl" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Odkrycie najstarszej datowanej drewnianej cerkwi w Ukrainie
Finding of the oldest dated wooden church in Ukraine
Autorzy:
Slobodian, Vasyl
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/536838.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Narodowy Instytut Dziedzictwa
Tematy:
architektura cerkiewna
cerkiew
architektura drewniana
Stara Skwarzawa
Ukraina
Opis:
The article presents the circumstances of finding the oldest wooden tserkva in Ukraine, in the village Stara Skvaryava near Zhovkva. The finding was made on the occasion of creating documentation of the renovation of that disused church. The oldest references to the village Skvaryava come from 1515, and to the church itself – from 1578. The subsequent broader information regarding the church appeared in the 18th century protocols of parish visitation. The protocols contain also information about moving the church from Glinsk to Stara Skvaryava in 1715. That building is identified as a wooden single domed eastern type church from the 16th century on the basis of an analysis of sources. Along with the church, an iconostasis with icons from various periods was moved to Stara Skvaryava. Its oldest part was probably made by the masters from Przemyśl in the 16th century, and the other parts in the 17th and 19th century. The protocol of a Dean’s visitation of 1792 informs that the church was restored at the end of the 18th century. From 1947 to 1989 the church was closed. Opened in the early 1990s, it was used until completion of construction of a new brick church in 1995. The monument, abandoned since then, needed an urgent renovation. According to some sources, the currently existing wooden church was built in 1820. However, the earlier origin of the church can be confirmed by the window openings typical of the beginning of the 18th century. The discovery in 2008 of the inscriptions on the wall of the nave: „АФИ” and „ѿ АѰ Сей цркви С лѣтъ без осми”, allows unambiguously to date the church at 1508 and confirms the information of its moving from Glińsk. The celebrations of the quincentenary of the church on Michaelmas in 2008 became a true feast for all inhabitants and unified them in the pursuit of preservation and restoration of the original look of the church. In spring 2009 renovation works began and were continued in the next years when financial resources were available. Taking into consideration a unique character of the church and its original equipment, as well as the fact that this is the oldest Ukrainian wooden eastern type church with a known date of construction, it is necessary to aim at listing it in the National Register of Cultural Heritage of Ukraine.
Źródło:
Ochrona Zabytków; 2014, 1; 75-87
0029-8247
Pojawia się w:
Ochrona Zabytków
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Increasing radiation resistance of memory devices based on amorphous semiconductors
Zwiększenie odporności na promieniowanie urządzeń pamięciowych w oparciu opółprzewodniki amorficzne
Autorzy:
Kychak, Vasyl
Slobodian, Ivan
Vovk, Victor
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1841310.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
amorphous semiconductor
chalcogenide glassy semiconductors
radiation resistance
memory cell
półprzewodnik amorficzny
półprzewodniki szkliste chalkogenowe
odporność na promieniowanie
komórka pamięci
Opis:
A memory cell structure is proposed that uses a Schottky barrier thin film transistor based on an amorphous semiconductor as a junction element, and a chalcogenide glassy semiconductor film as a switching element. A physical storage cell model has been developed. The dependenceof the transistor and memory cell parameters on the dose of neutron flux and γ-quanta was investigated. It is shown that when the dose of neutron irradiation is changed, the steepness of the drain-gate characteristic (DGC) decreases by 10% at a dose of the order of 1015n/s, and at the same time,the transfer coefficient of the bipolar n-p-n transistor decreases by 20% at doses of 1013n/s, indicating a significant increase in the radiation resistanceof the proposed memory cell. In the case of irradiation with γ-quanta in the range up to 2.6 MRad, the steepness of the DGC of the proposed structure changes by only 10%. When used as an isolation element, a field-effect transistor with an insulated gate, the slope of the DGC is reduced by 50%.It is shown that the current of recording information of the proposed structure when changing the dose of γ -quantum flux to 2.6 MRad changes by about 10%, and at the same time, in the case of using a field-effect transistor with an isolated cover, the information recording current changes by 50%.The study of the dependence of the gate current on the dose of the γ-quanta is shown. When the radiation dose changes from 0 to 2.6 MRad, the gate current changes only by 10%, which indicates the high resistance of the proposed structure to the action of permeable radiation. Also, studiesof the dependence of the conductivityof single-crystal semiconductors on aradiation dose ɣ by quanta and neutron flux show that a significant increasein the specific resistivity of amorphous semiconductors occurs at doses 2–3 orders of magnitude larger than in the case of single-crystal n-type conductivity semiconductors.
Zaproponowano strukturę komórki magazynującej, która wykorzystuje barierowy cienki tranzystor Schottky'ego oparty na półprzewodniku amorficznym jako element łączący, a także chalkogenową szklistą błonę półprzewodnikową jako element przełączający. Opracowano fizyczny model komórki pamięci. Zbadano zależność parametrów tranzystora i komórki pamięci od dawki strumienia neutronów i promieni gamma. Pokazano, że przy zmianie dawki napromieniowania neutronowego stromość charakterystyki odpowiedzi drenu zmniejsza się o 10% przy dawkach rzędu 1015n/s, a jednocześnie współczynnik przenoszenia bipolarnego tranzystora npn spada o 20% już przy dawkach 1013n/s, wskazując znaczny wzrost odporności na promieniowanie proponowanej komórki pamięci. Po napromieniowaniu kwantami gamma w zakresie do 2,6 MRad stromość charakterystyki dren-przepustnica proponowanej konstrukcji zmienia się tylko o 10%. W przypadku połączenia jako cienkowarstwowego tranzystora polowego z izolowaną kurtyną charakterystyka stromego spadku zmniejsza się o 50%. Wykazano, że prąd zapisu informacji o proponowanej strukturze przy zmianie dawki strumienia kwantowego gamma na 2,6 MRad zmienia się o około 10%, przy jednoczesnym zastosowaniu cienkowarstwowego tranzystora polowego z izolowaną osłoną, prąd zapisu informacji zmienia się o 50%. Badanie zależności prądu kurtynowego od dawki promieniowania gamma–kwanty. Gdy dawka promieniowania zmienia się od 0 do 2,6 MRad, prąd kurtyny zmienia się tylko o 10%, co wskazuje na wysoką odporność proponowanej struktury na działanie promieniowania przepuszczalnego. Badania zależności przewodności półprzewodników monokrystalicznych od dawki promieniowania γ przez kwanty i strumień neutronów pokazują, że znaczny wzrost rezystywności właściwej półprzewodników amorficznych występuje przy dawkach2–3 rzędów wielkości większych niż w przypadku półprzewodników przewodnictwa monokrystalicznego typu n.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 3; 78-81
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies