Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Skierbiszewski, Czesław" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Influence of InGaN waveguide on injection efficiency in III-nitride laser diodes
    Autorzy:
    Hajdel, Mateusz
    Muzioł, Grzegorz
    Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
    Siekacz, Marcin
    Wolny, Paweł
    Skierbiszewski, Czesław
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173219.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    InGaN
    laser diode
    waveguide
    injection efficiency
    Opis:
    The influence of using InGaN waveguides on blue laser diodes was theoretically studied using 1D drift diffusion model and 2D optical mode calculation. Despite of the known effect of increased confinement of an optical mode, especially for long wavelengths, an unexpected influence on the efficiency of carrier injection into the active region is discussed. It is found that InGaN-AlGaN interface is crucial to achieving high injection efficiency. A numerical model is created, which describes the influence of InGaN waveguide and Mg doping of electron blocking layer on basic properties of laser diodes. It is found that an increase of injection efficiency allows to reduce the doping level in an electron blocking layer and take advantage of decreased optical losses.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2020, 50, 2; 311-321
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Półprzewodnikowe azotkowe źródła światla - nagroda Nobla z fizyki w 2014 r. dla Isamu Akasaki, Hiroshi Amano i Shuji Nakamury
    Semiconductor nitride light sources: 2014 Nobel prize in physics to Isamu Akasaki, Hiroshi Amano and Shuji Nakamura
    Autorzy:
    Krukowski, Stanisław
    Grzegory, Izabella
    Boćkowski, Michał
    Suski, Tadeusz
    Leszczyński, Michał
    Perlin, Piotr
    Skierbiszewski, Czesław
    Porowski, Sylwester
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1177398.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Przyrodników im. Kopernika
    Opis:
    Podstawy fizyczne działania półprzewodnikowych przyrządów emitujących światło, tzn. diod laserowych i elektroluminescencyjnych zostały omówione w zwięzły sposób. Historyczny rozwój badań nad zastosowaniem półprzewodnikowych źródeł światła, w tym źródeł światła czerwonego został zarysowany. Trudności i rozwój półprzewodnikowych źródeł światła w ostatnim półwieczu został omówiony. Przełomowy wkład Isamu Aksaki, Hiroshi Amano i Shuji Nakamuro w rozwój badan i technologii diod opartych o azotki metali grupy III, który doprowadził do powstania źródeł światła niebieskiego, zielonego i fioletowego w latach 90. XX w., i został uhonorowany Nagrodą Nobla z fizyki w 2014 r., został szczegółowo opisany. Dalszy rozwój dziedziny do chwili obecnej i jej perspektywy zostały zarysowane. Rola polskich ośrodków naukowych w tej dziedzinie, znacząca w skali światowej, została również lakonicznie omówiona.
    Physical foundations of semiconductor light emitting devices, i.e. laser diodes (LDs) and light emitting diodes (LEDs), and history of studies concerning application of semiconductor light sources, including sources of red light, are shortly outlined. The seminal contributions of Isamu Akasaki, Hiroshi Amano and Shuji Nakamura to the investigations and applications of the group III metal nitrides that led to emergence of blue, green and violet light sources in the last decade of XX century, honored by 2014 Nobel Prize in Physics, are presented in detail. Further developments in this area up to the present day and future perspectives, including the important role played therein by Polish research institutions, are also sketched.
    Źródło:
    Kosmos; 2015, 64, 2; 211-220
    0023-4249
    Pojawia się w:
    Kosmos
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optimization of p-type contacts to InGaN-based laser diodes and light emitting diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
    Muziol, Grzegorz
    Żak, Mikolaj
    Hajdel, Mateusz
    Siekacz, Marcin
    Feduniewicz-Żmuda, Anna
    Skierbiszewski, Czesław
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173471.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    gallium nitride
    molecular beam epitaxy
    contacts
    Opis:
    We investigated the influence of the In0.17Ga0.83N:Mg contact layer grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on the resistivity of p-type Ni/Au contacts. We demonstrate that the Schottky barrier width for p-type contact is less than 5 nm. We compare circular transmission line measurements with a p-n diode current-voltage characteristics and show that discrepancies between these two methods can occur if surface quality is deteriorated. It is found that the most efficient contacts to p-type material consist of In0.17Ga0.83N:Mg contact layer with Mg doping levelas high as 2 × 1020 cm–3.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2020, 50, 2; 323-330
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies