Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sieradzka, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
Niestabilność finansowa i rozwojowa regionów a dobrobyt społeczeństw lokalnych
Financial and developmental instability of regions and the well-being of local communities
Autorzy:
Frejtag-Mika, E.
Sieradzka, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/399209.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Białostocka. Oficyna Wydawnicza Politechniki Białostockiej
Tematy:
dysproporcje rozwojowe
deficyty budżetowe regionów
asymetria dobrobytu
developmental disparities
budget deficits of regions
asymmetry of prosperity
Opis:
W artykule podjęto zagadnienia dysproporcji rozwojowych regionów w Polsce, problemów związanych z finansowaniem jednostek samorządu terytorialnego w kontekście stabilności finansowej, jak również zróżnicowania społeczno-gospodarczego w poziomie i jakości życia społeczeństwa (gospodarstw domowych). Przedstawiono i usystematyzowano badania dotyczące rozwoju regionalnego, jak również wskazano działania mające na celu zmniejszanie dysproporcji w rozwoju społeczno-gospodarczym polskich regionów.
The paper addresses the developmental disparities among Polish regions and the problems of financing local authorities in the context of financial stability. Additionally, the socio-economic differences of living standards and the quality of life of the society (households) is analysed. Research into regional development is discussed and systematized. Actions to reduce imbalances in socio-economic development of Polish regions are proposed.
Źródło:
Ekonomia i Zarządzanie; 2014, 6, 4; 135-145
2080-9646
Pojawia się w:
Ekonomia i Zarządzanie
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photocatalytic properties of Ti–V oxides thin films
Autorzy:
Domaradzki, J
Mazur, M
Sieradzka, K
Wojcieszak, D
Adamiak, B
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174210.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
titanium dioxide (TiO2)
thin films
magnetron sputtering
vanadium
photocatalysis
Opis:
In this work, the photocatalytic properties of Ti–V oxides thin films with 19 and 23 at.% of vanadium addition have been outlined. The films were deposited by the high energy reactive magnetron sputtering method. X-ray photoelectron spectroscopy measurements were done in order to determine the chemical composition and binding energy of the elements on the samples surface. Additionally, based on wettability measurements, the water contact angles were evaluated and were equal to ca. 94° and 55° for thin films with 19 and 23 at.% of V, respectively. This testifies about hydrophilic and hydrophobic properties, respectively. Photoactivity of thin films was determined by percent decomposition of phenol for 5 hours during UV–vis radiation exposure. The highest photocatalytic activity of 6.2%/cm2 was obtained for thin films with 19 at.% of V. It has been found that an increase in V amount in Ti–V oxides thin films to 23 at.% results in lowered to 3%/cm2 photocatalytic activity.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 153-162
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Variation in selected morphological traits of Cfr. Salix viminalis from different experimental plots
Zmiennośc wybranych cech morfologicznych Cfr. Salix viminalis z róznych poletek doświadczalnych
Autorzy:
Waliszewska, B.
Szentner, K.
Pradzynski, W.
Dukiewicz, H.
Sieradzka, A.
Spek-Dzwigala, A.
Rutkowski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/7602.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Źródło:
Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology; 2013, 84
1898-5912
Pojawia się w:
Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Forestry and Wood Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Antistatic Properties of Nanofilled Coatings
Autorzy:
Gornicka, B.
Mazur, M.
Sieradzka, K.
Prociow, E.
Lapinski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1538175.pdf
Data publikacji:
2010-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.Pr
82.35.Np
Opis:
The results of antistatic and electrical properties investigations of nanofilled coatings have been presented. Antistatic performance of materials is essential not only due to safety and preventing of dust and dirt attraction but also effects on an electrical field distribution in the high voltage insulating systems. The polymer coating added with silver and silica nanoparticles were examined by charge decay measurements after corona charging. The charge decay times have varied appreciably between the nanofilled coatings while the volume and surface resistivity of the all tested coatings did not demonstrate meaningful differences. The polyester coating dissipated fairly better than polyesterimide because of its structure and permittivity. It was found that the ability of surface to drain charge away is the better for coatings with of silver nanoparticles whereas the coatings modified with nanosilica shows the poor antistatic properties; the times of charge decay were four order longer then that of unmodified coatings. Barrier properties of nanosilica may be adverse for charge decay.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 5; 869-872
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Properties of Nanocrystalline $TiO_{2}:V$ Thin Films as a Transparent Semiconducting Oxides
Autorzy:
Sieradzka, K.
Domaradzki, J.
Prociow, E.
Mazur, M.
Lapinski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807607.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
78.66.-w
71.20.Nr
Opis:
In this work the nanocrystalline $TiO_{2}$ thin films doped with vanadium in amount of 19 at.% and 23 at.% prepared by magnetron sputtering method have been presented. The transmission measurements shows that V-doped $TiO_{2}$ thin films were transparent in ca. 81% in the visible range of light spectrum. On the basis of electrical examinations it was found that fabricated $TiO_2:V$ thin films are semiconductors at room temperature and have different type of electrical conduction depending on the amount of vanadium dopant applied.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-33-S-35
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thin Films Based on Nanocrystalline $TiO_{2}$ for Transparent Electronics
Autorzy:
Prociow, E.
Sieradzka, K.
Domaradzki, J.
Kaczmarek, D.
Mazur, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807647.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
78.66.-w
71.20.Nr
Opis:
In this work, investigations of structural, optical and electrical properties of transparent oxide semiconductor thin films based on $TiO_{2}$ doped with Eu, Pd and Tb, Pd have been presented. The transparent oxide semiconductor nanocrystalline thin films were prepared by magnetron sputtering process. It was shown that doping with selected elements results in semiconducting properties of prepared thin films of oxides with p-($TiO_{2}$:(Tb, Pd)) or n-type ($TiO_{2}$:(Eu, Pd)) of electrical conduction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-72-S-74
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Evaluation of electrical properties of Eu and Pd-doped titanium dioxide thin films deposited on silicon
Badanie właściwości elektrycznych cienkich warstw TiO2 domieszkowanych Eu I Pd naniesionych na podłoża krzemowe
Autorzy:
Prociow, E. L.
Domaradzki, J.
Kaczmarek, D.
Sieradzka, K.
Michalec, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192258.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
własności elektryczne
TiO2:(Eu, Pd)
heterozłączne
OPIC
electrical properties
heterojuncion
Opis:
In this work, investigations of electrical properties of Eu and Pd-doped TiO2 thin films have been outlined. Our previous studies [4, 6] of Eu and Pd-doped TiO2, have shown the nanocrystalline structure and high transparency in visible region (about 70%). Now, it has been shown that by incorporation of Pd and Eu dopants into TiO2 matrix, its properties can be modified so as to obtain simultaneously electrically and optically active oxide-semiconductor with specified type of electrical conduction at room temperature. Pd dopant changes the electrical properties of TiO2 from dielectric oxide to conducting oxide. Samples were examined by means of theromelectrical, current-voltage (I-V), transient photovoltage and optical beam induced current OBIC (Optical Beam Induced Current). I-V measurements showed formation of electrical junctions at the interface of semiconducting thin films of metal oxides and silicon substrate (TOS-Si). The presence of build-in potential has been confirmed by OBIC through created maps of photocurrent distribution generated in the active areas of prepared TOS-Si heterojunctions.
W niniejszej pracy przedstawiono badanie właściwości elektrycznych cienkich warstw TiO2 domieszkowanych Eu i Pd. Pokazano, że wprowadzenie domieszki Eu i Pd do matrycy TiO2 modyfikuje jej właściwości, pozwala otrzymać cienkie warstwy elektrycznie i optycznie aktywne. Dodatkowo, wytworzone tlenki posiadają określony typ przewodnictwa elektrycznego w temperaturze pokojowej. Decydujący wpływ na właściwości elektryczne matrycy TiO2 miała domieszka Pd, która umożliwiła zmianę właściwości cienkich warstw dielektrycznych na półprzewodnikowe. Próbki badano za pomocą charakterystyk termoelektrycznych, charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) oraz metodą OBIC. Na podstawie pomiarów I-V zaobserwowano formowanie się złącza na granicy przezroczysty tlenek półprzewodnikowy-podłoże krzemowe (TOS-Si). Mapy rozkładu fotoprądu generowanego w obszarach aktywnych wytworzonego heterozłącza TOS-Si potwierdziły obecność potencjału wbudowanego.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 149-156
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies