Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Schwarz, L." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Vibration and Luminescence Spectroscopic Investigations of the Alkali Rare Earth Double Phosphates M$\text{}_{3}$(RE,Eu)(PO$\text{}_{4}$)$\text{}_{2}$ (M=K, Rb; RE=La, Gd)
Autorzy:
Kloss, M.
Schwarz, L.
Hölsä, J. P. K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1995573.pdf
Data publikacji:
1999-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.50.-f
61.66.Fn
63.20.-e
71.20.Dg
71.20.Eh
71.70.-d
78.30.-j
78.55.-m
Opis:
The room temperature IR- and Raman spectra of the different M$\text{}_{3}$RE(PO$\text{}_{4}$)$\text{}_{2}$ (M = K, Rb; RE = La, Eu, Gd) double phosphates were analysed and used to interpret the vibronic side band structure in the photoluminescence spectra. The intraconfigurational 4f-4f electronic transitions in the photoluminescence spectra of the Eu$\text{}^{3+}$ doped M$\text{}_{3}$RE(PO$\text{}_{4}$)$\text{}_{2}$ were analysed in detail. The crystal field fine structure of the $\text{}^{5}$D$\text{}_{0}$ → $\text{}^{7}$F$\text{}_{J}$ (J=0-4) transitions was analysed accounting for the information on the crystal structure. The effect of the temperature as well as the alkali host cation was evaluated. Finally, a preliminary crystal field energy level scheme for the $\text{}^{7}$F$\text{}_{J}$ (J=0-4) ground term was deduced from the analysis of the photo-luminescence as well as IR- and Raman spectra.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 95, 3; 343-349
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
Autorzy:
Schwarz, M.
Calvet, L. E.
Snyde, J. P.
Krauss, T.
Schwalke, U.
Kloes, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397793.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
2D Poisson equation
device modeling
double-gate MOSFET
field emission
framework
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
thermionic current
tunneling current
dwuwymiarowe równanie Poissona
modelowanie elementów elektronicznych
dwubramkowy tranzystor MOS
emisja polowa
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd termoelektronowy
prąd tunelowy
Opis:
In this paper we present a simulation framework to account for the Schottky barrier lowering models in SBMOSFETs within the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. The improved Schottky barrier lowering model for field emission is considered. A strategy to extract the different current components and thus accurately predict the on- and off-current regions are adressed. Detailed investigations of these components are presented along with an improved Schottky barrier lowering model for field emission. Finally, a comparison for the transfer characteristics is shown for simulation and experimental data.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 2; 72-79
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies