Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Scholl, S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Doping of the Wide-Gap Semiconductor Cd$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Te During Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:
Fischer, F.
Litz, Th.
Waag, A.
Heinke, H.
Scholl, S.
Gerschütz, J.
Landwehr, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1876265.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Bd
Opis:
We investigated the n-type doping of the wide-gap II-VI semiconductor (CdMg)Te. The n-type doping of (CdMg)Te has previously been achieved in only a small range of magnesium concentration. By the use of zinc iodine as dopant source material, we obtained highly doped (CdMg)Te layers up to a magnesium concentration of 40%. The limiting factor for the free carrier concentration at room temperature is the occurrence of a deep level, which dominates the electrical properties at room temperature of layers with more than 30% magnesium. Compensating defects or defect complexes are considered, to explain the observed properties of the deep level, which do not seem to be characteristic of an isolated donor state.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 487-491
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies