Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Sathish, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Conformational Stability, TGA, and Molecular Docking Investigations of p-Coumaric Acid with Special Relevance to Anti-Cancer and Antibacterial Activity
    Autorzy:
    Sathish, M.
    Meenakshi, G.
    Xavier, S.
    Sebastian, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1032309.pdf
    Data publikacji:
    2017-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    conformational analysis
    molecular geometry
    molecular docking
    p-coumaric acid
    hydrogen bonding
    TGA
    Opis:
    In this work an attempt is made to analysis of the possible different conformers of p-coumaric acid (PCA) by using density functional method. The total energy of four possible conformers were calculated by using B3LYP/6-311G(d,p) method. Computational result identifies that the most stable conformer of PCA is C2. The formation of inter- and intra-molecular hydrogen bonding between -OH and -COOH group gave the evidence for dimer formation for PCA molecule. The highest occupied-lowest unoccupied molecular orbital analysis shows that the negative electrostatic region situated over the -COOH group and positive electrostatic potential region are localized on ring system and all hydrogen. The PCA has been screened to anti-microbial activity and found to exhibit anti-bacterial effects. Molecular docking results suggest that PCA may exhibit inhibitory activity against lung cancer protein and may act as potential against lung cancer.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 6; 1512-1518
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Evaluation of Moisture Management Properties of Plated Interlock, Mini Flat Back Rib and Flat Back Rib Structures
    Ocena właściwości zarządzania wilgocią w strukturach dziewiarskich
    Autorzy:
    Sathish Kumar, T.
    Ramesh Kumar, M.
    Senthil Kumar, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1419846.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Biopolimerów i Włókien Chemicznych
    Tematy:
    eri silk
    flat back rib
    moisture management
    mini flat back rib
    plated interlock
    jedwab eri
    bambus
    tencel
    odprowadzanie wilgoci
    zarządzanie wilgocią
    Opis:
    Moisture management is a very fundamental criterion for any type of fabric. Hence, in this study three different knits viz plated interlock, mini flat back rib and flat back rib fabric structures with 100% eri silk (top), 100% bamboo (bottom) and 100% tencel (bottom) with the combination of two different yarn counts were used. The yield was tested for moisture management properties. It was identified that the bi-layer eri silk (14.3 tex) combined with bamboo (14.8 tex) and tencel (14.8 tex) plated interlock, mini flat back rib and flat back rib knit structure fabrics were excellent. Due to the high level of comfort and breathable nature, eri silk with bamboo and tencel fabrics are recommended for performance based garments.
    Zarządzanie wilgocią jest podstawowym kryterium dla każdego rodzaju wyrobu włókienniczego. W badaniu poddano analizie trzy różne struktury dziewiarskie o różnych splotach i składach takich jak: 100% jedwabiu eri, 100% bambusa i 100% tencel. Uzyskane struktury zbadano pod kątem właściwości zarządzania wilgocią. Stwierdzono, że struktura powstała z dwuwarstwowego jedwabiu eri (14,3 tex) w połączeniu z bambusem (14,8 tex) i tencelem (14,8 tex) daje najlepsze właściwości. Ze względu na wysoki poziom komfortu i oddychalności jedwab eri w połączeniu z bambusem i tencelem jest zalecany do odzieży wymagającej bardzo dobrych właściwości zarządzania wilgocią.
    Źródło:
    Fibres & Textiles in Eastern Europe; 2021, 2 (146); 66-74
    1230-3666
    2300-7354
    Pojawia się w:
    Fibres & Textiles in Eastern Europe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Dual Filler Reinforcement on the Curing and Tribo-Mechanical Behaviour of Natural Rubber Nanocomposite for Tire Tread Application
    Autorzy:
    Harikrishna Kumar, M.
    Subramaniam, Shankar
    Rajasekar, Rathanasamy
    Pal, Samir Kumar
    Palaniappan, Sathish Kumar
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2049411.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    natural rubber
    nanoclay
    carbon black
    composites
    tire
    Opis:
    A huge amount of carbon black (40-60 phr) was commonly used as a reinforcing material in manufacturing of tires to improve the technical properties of pure rubber. Carbon black causes severe health hazard like skin cancer, respiratory problem due to its fly loss property. This study focusses on reducing the usage of carbon black by replacing it with minimal quantity of nanoclay to compensate the technical properties of rubber. Natural rubber nanocomposite are fabricated using solution and mechanical mixing method in presence and absence of compatibilizer. Cure characteristics, wear test and mechanical properties were examined. NR nanocomposite with dual filler in presence of compatibilizer showed enhancement in torque values, mechanical and wear resistant property. Wear resistance, tensile strength and modulus of dual filler nanocomposite was increased by 66.7%, 91% and 85% when compared to pure NR. Hence NR nanocomposite with dual filler in presence of compatibilizer was found as a proving and possible nanocomposite for tire application.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2021, 66, 3; 893-899
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
    Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Wierzbicka, E.
    Turos, A.
    Strupiński, W.
    Caban, P.
    Sathish, N.
    Pągowska, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192129.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRXRD
    implementacja jonowa
    dyfrakcja
    ion implantation
    diffraction
    Opis:
    W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar++ w zakresie dawek od 7 ⋅ 1013 cm-2 do 1 ⋅ 1015 cm-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.
    In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar++ ions in the dose range from 7 ⋅ 1013 cm-2 to 1 ⋅ 1015 cm-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 22-31
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie
    The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Turos, A.
    Strupiński, W.
    Caban, P.
    Borysiuk, J.
    Pathak, A. P.
    Sathish, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192320.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    heterostruktura
    AIIIN
    warstwa buforowa
    XRD
    heterostructure
    buffer layer
    Opis:
    Niedopasowanie sieciowe pomiędzy szafirowym podłożem i warstwą epitaksjalną GaN prowadzi do powstawania naprężeń i dyslokacji niedopasowania. Jest ono także główną przyczyną trudności, na jakie napotyka wzrost epitaksjalny warstw związków AIIIN. Próby rozwiązania tego problemu polegają m.in. na stosowaniu warstwy buforowej [1-3]. Niekiedy może ona zawierać supersieć o bardzo krótkiej fali modulacji składu chemicznego, która obniża gęstość dyslokacji, a także poprawia strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej [4-5]. W artykule prezentowane są wyniki badań systemów epitaksjalnych związków AIIIN, odkładanych na podłożu szafirowym o orientacji 001, dotyczące struktury warstw AlN, AlGaN oraz GaN o bardzo małej grubości, a także cech budowy krystalicznej warstwy buforowej i jej wpływu na wzrost i strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej GaN.
    The lattice misfit between Al2O3 substrate and epitaxial GaN layer generates stresses and numerous misfit dislocations. This leads to difficulties in the epitaxial growth of the GaN layer. The attempts to resolve this growth problems consist in employing the buffer layer with the ultra thin period AlGaN/GaN superlattice. This superlattice is expected to reduce the dislocations density and improve the structure of epitaxial GaN layer. In this work we present the results of the investigation of the structure of AlGaN/GaN superlattice used as a buffer layer on the crystalline and chemical order of the extremely thin AlN, GaN and AlGaN layers
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 61-84
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies