Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Sarzała, Robert" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Thermal analysis of a two-dimensional array with surface light emission based on nitride EEL lasers
    Autorzy:
    Dąbrówka, Dominika
    Sarzała, Robert P.
    Wasiak, Michał
    Kafar, Anna
    Perlin, Piotr
    Saba, Kiran
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2174849.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    GaN
    diode laser
    array with surface light emission
    thermal analysis
    Opis:
    This paper presents the results of a thermal computational analysis of a two-dimensional laser array emitting from a surface. The array consisted of eight equispaced ridge-waveguide edge-emitting nitride diode lasers. Surface emission of light was obtained using mirrors inclined at 45°. The authors investigate how the geometrical dimensions of the array emitters and their pitch in the array affect the increase and distribution of temperature in the device. They also examine the influence on the temperature increase and distribution of the thickness of the insulating SiO₂, the thickness of the gold layer forming the top contact of the laser, and the thickness of the GaN substrate, as well as the influence of the ridge-waveguide width.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2022, 30, 4; art. no. e144115
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelowanie zjawisk fizycznych w krawędziowych laserach azotkowych oraz ich matrycach
    Autorzy:
    Kuc, Maciej
    Sarzała, Robert P.
    Kucharczyk, Włodzimierz
    Czyszanowski, Tomasz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/books/2021476.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Opis:
    W niniejszej pracy podjęto próbę kompleksowej analizy działania azotkowych laserów krawędziowych zaprojektowanych na emisję światła o długości fali ok. 400 nm oraz jednowymiarowych matryc takich laserów, skupiając uwagę przede wszystkim na przebiegu zjawisk elektrycznych i cieplnych występujących podczas ich pracy z falą ciągłą w temperaturze pokojowej. Głównym celem pracy było pokazanie wpływu poszczególnych elementów konstrukcyjnych analizowanych przyrządów na wielkość emitowanej z nich mocy optycznej w celu wyznaczenia ich optymalnych struktur. Przeprowadzone badania były częściowo realizowane we współpracy z Instytutem Wysokich Ciśnień Unipress Polskiej Akademii Nauk, co umożliwiło powiązanie wyników symulacji komputerowych z danymi eksperymentalnymi. W celu realizacji tych badań opracowany został numeryczny model lasera oraz matrycy laserowej uwzględniający wiele elementów istotnych dla ich działania. Dodatkowo na bazie dostępnej literatury opracowano szczegółowe zależności określające parametry fizyczne wszystkich materiałów wykorzystywanych do budowy wspomnianych przyrządów ze szczególnym uwzględnieniem parametrów elektrycznych i cieplnych.
    Semiconductor lasers (and their one-dimensional arrays) constructed using nitride materials are applied in many branches of science and technology, for example in multimedium presentations, medicine, military, industry and environmental engineering. One of the most essential parameters of these devices in the above applications is their maximal output. Because of that, determination of such their designs which enable improvement of their thermal properties should essentially improve their operation parameters. Analysis of available literature sources devoted to the above problem reveals, however, that there is an acute shortage of results of a complete analysis of thermal properties of nitride lasers which takes simultaneously into account a semiconductor chip itself, construction elements creating a device, a dependence of material parameters on operation parameters (e.g. temperature) and on a mutual impact of individual array emitters on their operation. It is probably connected with serious difficulties met during such investigations, which are mainly generated by a complex device geometry, missing full knowledge of physical phenomena taking place during device operation, mutual influence of individual phenomena crucial for a device operation and problems with a determination of many physical parameters of applied materials. An attempt of a complete analysis of an operation of nitride edgeemitting lasers (and of one-dimensional arrays of these lasers) designed for an emission of light of wavelength about 400 nm is made in the present work concentrated mostly on electrical and optical phenomena taking place during their continuoswave (CW) operation at room temperature. An impact of individual design elements of the above devices on their optical output was a principal goal of this work, which should enable a deterimination of their optimal structures. Conducted investigations were partly carried out as a collaboration with the High Pressure Institute Unipress of the Polish Academy of Sciences, which has enabled comparison of numerical simulation results with experimental results. A numerical model of both a considered laser and a laser array taking into account many factors crucial for their operation has been elaborated to conduct the above investigations. Additionally detailed expressions determining physical parameters (mostly electrical and thermal ones) of all materials used in the above devices have been proposed taking into consideration available literature data.
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Książka
    Tytuł:
    Modelowanie jednomodowych laserów półprzewodnikowych emitujących powierzchniowo promieniowanie podczerwone
    Autorzy:
    Walczak, Jarosław
    Czyszanowski, Tomasz
    Sarzała, Robert
    Pernal, Katarzyna
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/books/2023793.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Opis:
    Niniejsza monografia dotyczy numerycznej analizy i optymalizacji półprzewodnikowych laserów o emisji powierzchniowej, zarówno laserów typu VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), jak i optycznie oraz elektrycznie pompowanych laserów typu VECSEL (Vertical External Cavity Surface Emitting Laser) emitujących promieniowanie z zakresu 1310-1550 nm. Praca skupia się na analizie rozwiązań konstrukcyjnych umożliwiających uzyskanie maksymalnej mocy i/lub maksymalnej sprawności w reżimie emisji jednomodowej. Część pracy dotycząca opisu uzyskanych wyników podzielona jest na trzy rozdziały dotyczące analizy laserów typu VCSEL, analizy optycznie pobudzanych laserów typu VECSEL (OP-VECSEL) oraz elektrycznie pobudzanych laserów typu VECSEL (EP-VECSEL). Każdy z trzech rozdziałów odnosi się do analizy wcześniej wykonanych struktur laserowych przez zespół Laboratory of Physics of Nanostructures, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) w Szwajcarii, dzięki czemu parametry wykorzystywanych modeli numerycznych mogły być dobrane w taki sposób, aby precyzyjnie odtwarzały zachowania rzeczywistych struktur laserowych. W związku z powyższym każdy z trzech rozdziałów poświęcony opisowi uzyskanych wyników poprzedzony jest analizą porównawczą laserowych charakterystyk eksperymentalnych i numerycznych(...).
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Książka
    Tytuł:
    Impact of the active area position in a nitride tunnel junction vertical-cavity surface-emitting laser on its emission characteristics
    Autorzy:
    Śpiewak, Patrycja
    Wasiak, Michał
    Sarzała, Robert P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173286.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    GaN
    computer simulations
    tunnel junction
    VCSEL
    vertical-cavity surface-emitting laser
    Opis:
    This paper presents results of numerical simulations of a nitride semiconductor vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) with a tunnel junction. The modeled laser is based on a structure created at the University of California in Santa Barbara. The analysis concerns the impact of the position of laser’s active area on the emitted power. Both small detunings from the standing waveanti-node, and positioning of the active area at different anti-nodes are considered.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2020, 50, 2; 301-310
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland
    Autorzy:
    Gębski, Marcin
    Śpiewak, Patrycja
    Kołkowski, Walery
    Pasternak, Iwona
    Głowadzka, Weronika
    Nakwaski, Włodzimierz
    Sarzała, Robert P.
    Wasiak, Michał
    Czyszanowski, Tomasz
    Strupiński, Włodzimierz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2173617.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    semiconductor laser
    GaAs
    gallium arsenide
    optical communication
    VCSEL
    laser półprzewodnikowy
    arsenek galu
    komunikacja optyczna
    Opis:
    The paper presents the first vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) designed, grown, processed and evaluated entirely in Poland. The lasers emit at »850 nm, which is the most commonly used wavelength for short-reach (<2 km) optical data communication across multiple-mode optical fiber. Our devices present state-of-the-art electrical and optical parameters, e.g. high room-temperature maximum optical powers of over 5 mW, laser emission at heat-sink temperatures up to at least 95°C, low threshold current densities (<10 kA/cm2) and wall-plug efficiencies exceeding 30% VCSELs can also be easily adjusted to reach emission wavelengths of around 780 to 1090 nm.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; art. no. e137272
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland
    Autorzy:
    Gębski, Marcin
    Śpiewak, Patrycja
    Kołkowski, Walery
    Pasternak, Iwona
    Głowadzka, Weronika
    Nakwaski, Włodzimierz
    Sarzała, Robert P.
    Wasiak, Michał
    Czyszanowski, Tomasz
    Strupiński, Włodzimierz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2090716.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    semiconductor laser
    GaAs
    gallium arsenide
    optical communication
    VCSEL
    laser półprzewodnikowy
    arsenek galu
    komunikacja optyczna
    Opis:
    The paper presents the first vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) designed, grown, processed and evaluated entirely in Poland. The lasers emit at »850 nm, which is the most commonly used wavelength for short-reach (<2 km) optical data communication across multiple-mode optical fiber. Our devices present state-of-the-art electrical and optical parameters, e.g. high room-temperature maximum optical powers of over 5 mW, laser emission at heat-sink temperatures up to at least 95°C, low threshold current densities (<10 kA/cm2) and wall-plug efficiencies exceeding 30% VCSELs can also be easily adjusted to reach emission wavelengths of around 780 to 1090 nm.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; e137272, 1--6
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Determination of electrical and thermal parameters of vertical-cavity surface-emitting lasers
    Autorzy:
    Śpiewak, Patrycja
    Gębski, Marcin
    Strupiński, Włodek
    Czyszanowski, Tomasz
    Kołkowski, Walery
    Pasternak, Iwona
    Sarzała, Robert P.
    Nakwaski, Włodzimierz
    Wasiak, Michał
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/27311753.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czasopisma i Monografie PAN
    Tematy:
    TLM
    thermal resistance
    VCSEL
    AlGaAs
    Opis:
    Experimental methods are presented for determining the thermal resistance of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) and the lateral electrical conductivity of their p-type semiconductor layers. A VCSEL structure was manufactured from III-As compounds on a gallium arsenide substrate. Conductivity was determined using transmission line measurement (TLM). Electrical and thermal parameters were determined for various ambient temperatures. The results could be used for computer analysis of VCSELs.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2023, 30, 3; 519--529
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies