Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Ratajczak, R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 33
Tytuł:
Magnetic Properties of Iron-Based Amorphous and Nanocrystalline Fe-Zr-X-B (X: Cu, Al) Alloy Films
Autorzy:
Gościańska, I.
Toliński, T.
Ratajczak, H.
Sovák, P.
Dlugoš, R.
Konč, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2013068.pdf
Data publikacji:
2000-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Tm
75.50.Bb
Opis:
Thermal stability and magnetic properties of thin films, of a few Fe-based amorphous and nanocrystalline alloys, have been studied. The alloys belong to the class Fe-M-B, whose representatives are: Fe$\text{}_{87}$Zr$\text{}_{4}$Cu$\text{}_{1}$B$\text{}_{8}$, Fe$\text{}_{87}$Zr$\text{}_{7}$B$\text{}_{6}$, and Fe$\text{}_{87}$Zr$\text{}_{7}$Al$\text{}_{1}$B$\text{}_{5}$ and are of particular interest because of their wide variety of magnetic properties. The films were prepared by flash evaporation onto liquid nitrogen cooled substrates. Measurements of the Kerr effect, the Hall effect, and ferromagnetic resonance in the films were carried out as functions of the annealing temperature. It was found that the changes in the coercive field H$\text{}_{c}$, resonance linewidth ΔH$\text{}_{pp}$, effective magnetization M$\text{}_{eff}$, Hall parameters, and resistance were correlated with the structural changes in the studied films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 3; 463-466
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Witalnosc wybranych drzewostanow debowych na potrzeby monitoringu stanu zdrowotnego
Autorzy:
Siwecki, R.
Ufnalski, K.
Ratajczak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/815666.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Leśne
Tematy:
witalnosc
drzewostany debowe
metody badan
stan zdrowotny lasu
Quercus
lesnictwo
dab
drzewa lesne
Źródło:
Sylwan; 2000, 144, 04; 133-139
0039-7660
Pojawia się w:
Sylwan
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron Microscopy and X-ray Diffraction Study of AlN Layers
Autorzy:
Kowalczyk, A.
Jagoda, A.
Mücklich, A.
Matz, W.
Pawłowska, M.
Ratajczak, R.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035486.pdf
Data publikacji:
2002-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
52.77.Dq
Opis:
AlN nanocrystalline layers and superstructures are used in the modern optoelectronic technology as reflecting mirrors in semiconductor lasers. In the present work the properties of AlN films prepared by sputtering methods from an AlN target in reactive Ar + N plasma were investigated. The characterisation was performed with HRTEM, SEM, glancing angle XRD and RBS methods. The present measurements confirmed the polycrystalline structure of AlN layers and enabled the evaluation of their grain size. The roughness and thickness of the layers were additionally determined by ellipsometric and profilometric measurements.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 2; 221-225
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transmission electron microscopy of In(Ga)As quantum dot structure
Autorzy:
Kątcki, J.
Ratajczak, J.
Łaszcz, A.
Phillipp, F.
Paranthoen, C.
Cheng, X. L.
Fiore, A.
Passaseo, A.
Cingolani, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378389.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Opis:
The application of transmission electron microscopy (TEM) to the investigation of In(Ga)As quantum dot (QD) structures grown on GaAs substrates is reviewed. Using various examples of the QD structures the advantages of using TEM for the analysis of QDs are presented. From plan-view TEM images the areal density of dots can be determined in real structures where QDs are embedded in the structure. Cross-sectional TEM images inform us about the real geometry of the structure, the shape, width and height as well as the distribution of QDs. It is especially useful for the investigations of multilayer QD structures.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2003, 35, 4; 1-6
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ekstrakcja dwufazowa lizozymu z białka jaja kurzego
An aqueous two-phase extraction of lysozyme from egg white
Autorzy:
Ratajczak, P
Bialas, W
Dembczynski, R
Grajek, W
Jankowski, T
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/826593.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Technologów Żywności
Tematy:
fosforany
ekstrakcja dwufazowa
bialka jaja
pH
jaja kurze
lizozym
phosphate
two-phase extraction
egg protein
hen egg
lysozyme
Opis:
W pracy badano przydatność wodnych układów dwufazowych do separacji lizozymu z białka jaja kurzego oraz opracowano optymalne warunki procesu. Separację lizozymu wykonano w wodnym układzie dwufazowym PEG/fosforan potasu. Stosując czysty preparat lizozymu, w doświadczeniach modelowych określono optymalne warunki jego separacji metodą płaszczyzny odpowiedzi. Zbadano wpływ wielkości masy cząsteczkowej PEG, pH roztworu fosforanów oraz stężenia chlorku sodu w układzie dwufazowym na wartość współczynnika podziału lizozymu K. Stwierdzono, że w badanym zakresie stężeń NaCl w układzie dwufazowym, wzrost stężenia chlorku sodu zwiększał wartość tego współczynnika. Z kolei wzrost pH i masy cząsteczkowej glikolu polietylenowego zmniejszał wartość współczynnika K. Największą jego wartość uzyskano w układzie: PEG 4000 (20% m/m) / K2HPO4 + KH2PO4(25% m/m), o pH równym 6,0 i stężeniu NaCl wynoszącym 0,85 mol/dm3. Zastosowanie tego układu do separacji lizozymu z białka jaja kurzego umożliwiło piętnastokrotne zwiększenie jego aktywności.
The objective of this paper was to determine the usefulness and effectiveness of aqueous two-phase systems (ATPS) applied to separate lysozyme from egg white. The lysozyme separation was carried out in a system composed of polyethylene glycol (PEG) and potassium phosphate. In the model experiments with pure lysozyme, the optimal process parameters were evaluated. Additionally, the effects of the PEG molecular weight, pH of phosphate solution, and NaCl concentration on the value of the 'K' lysozyme partition coefficient were investigated. It was found that with regard to the NaCl concentration range investigated, within this particular two-phase system, the increase in the sodium chloride concentration caused the increase in the value of 'K' coefficient. Contrary to this, the increase in the 'PEG' molecular weight and in pH values of the phosphate solution caused a decrease in the lysozyme partition coefficient in ATPS. The highest lysozyme separation parameters were obtained in the system: PEG 4000 (20% w/w)/ K2HPO4 + KH2PO4 (25% w/w), with the pH level of 6,0, and the NaCl concentration of 0,85 M. The 15-fold increase of lysozyme activity was obtained when the optimal conditions of ATPS, as determined during the model experiments, were applied to the separation of lysozyme from egg white.
Źródło:
Żywność Nauka Technologia Jakość; 2004, 11, 3; 40-52
1425-6959
Pojawia się w:
Żywność Nauka Technologia Jakość
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Efektywnie symulowalne układy quditowe
Effectively simulable qudit circuits
Autorzy:
Gielerak, R.
Ratajczak, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/152606.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
obwody kwantowe
qudity
algorytm CHP
quantum circuits
qudits
CHP algorithm
Opis:
Przedstawiono wyniki symulacji losowych obliczeń kwantowych zrealizowanych za pomocą obwodów unitarnych klasy CHP dla obwodów quditowych. Potwierdzone teoretyczne oszacowania dotyczące złożoności obliczeniowej symulacji tego typu układów kwantowych. Symulacje przeprowadzono poprzez implementacje w języku C algorytmu Aaronsona-Gottesmana .
Simulations of random quantum calculations schemes realized within the class of CHP circuits are being performed and the results of them are being presented. In particular the theoretical estimations of computational complexity of the systems analyzed are being confirmed. The C language version of the Aaronson-Gottesman algorithm has been used for the analyzed simulation process.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 5, 5; 51-53
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
Autorzy:
Lenkiewicz, D.
Strupiński, W.
Zdunek, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Borysiuk, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Kościewicz, K.
Wesołowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis:
Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On the Question of Ferromagnetism in Proton and He-Irradiated Carbon
Autorzy:
Szczytko, J.
Juszyński, P.
Teliga, L.
Twardowski, A.
Stonert, A.
Ratajczak, R.
Korman, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811995.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.20.Ck
75.50.Dd
Opis:
We tried to repeat the observation of the ferromagnetic response in proton and He-irradiated carbon made by the group of Esquinazi et al. We used $He^+$ and $H^+$ beams focused on graphite sample. The amount of charge deposited in the sample was comparable to the amount of charge used by Esquinazi. Magnetic measurements were performed in SQUID magnetometer. The magnetization of the samples before and after irradiation was compared. We did not observe any ferromagnetic enhancement of magnetization of our irradiated samples. Even if experiment was not the same as Esqinazi's one, we can exclude some of the mechanisms of ferromagnetism proposed by Esquinazi.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1387-1390
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:
Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
LP MOVPE
GaN
4H-SiC
Opis:
Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Definicja i elementy budowy tzw. czapy gipsowej na przykładzie badań czap struktur solnych Wapna i Mogilna
Definition and structure of a cap-rock based on the investigations of Wapno and Mogilno salt domes
Autorzy:
Jaworska, J.
Ratajczak, R.
Wilkosz, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/183791.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
czapa gipsowa
wysady solne Wapna i Mogilna
budowa geologiczna
wiek geologiczny
cap-rok
Wapno and Mogilno salt domes
geological structure
geological age
Opis:
Badania tzw. czap gipsowych wysadów solnych Wapna i Mogilna wykazały, że stanowią one złożone obiekty, zarówno ze względu na materiał (skład petrograficzny), jak i na późniejsze etapy ich formowania (ewolucja diagenetyczna, tektoniczna). W skład czap wchodzą: - materiał pochodzący z rozpuszczenia soli kamiennej (rezyduum), - porwaki skał - bezpośredniego otoczenia wysadu solnego oraz towarzyszących soli kamiennej, - zwietrzelina czapy, - brekcje gipsowo-ilaste (różnej genezy), - nowe składniki wytrącone z roztworów krążących w czapie. - dodatkowym problemem jest określenie wieku samej czapy.
Cap-rocks of Wapno and Mogilno salt domes have been investigated. The cap-rock is a complex object, both because of the material (petrographic composition), and the later stages of its formation (diagenetic and tectonic evolution). The cap rock consists of: - material from dissolution of the rock salt (residuum), - detached blocks of rocks surrounding salt dome or accompanying rock salt, - weathering waste of cap-rock, - gypsum-clay breccia (of various genesis), - new minerals precipitated from solutions circulating with the cap-rock. Additional problem is to determine the cap-rock age.
Źródło:
Geologia / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie; 2010, 36, 4; 505-511
0138-0974
Pojawia się w:
Geologia / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tribochemiczna modyfikacja warstwy wierzchniej polimeru w kontakcie ślizgowym z żelazem Armco
The tribochemical modification of the surface layer of a polymer in sliding contact with Armco
Autorzy:
Siciński, M.
Bieliński, D. M.
Grams, J.
Piątkowska, A.
Ratajczak, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/188113.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
elastomer
tarcie
modyfikacja
warstwa wierzchnia
friction
modification
surface laye
Opis:
Badano stopień tribochemicznej modyfikacji powierzchni współpracujących w ślizgowym kontakcie ciernym polimer–metal pod kątem obecności jonów metalu przeniesionych do przeciwpróbki. Metodami ToF-SIMS, RBS oraz SEM-EDS potwierdzono obecność jonów żelaza w warstwie wierzchniej wulkanizatów kauczuku butadienowo-styrenowego (SBR) oraz ebonitu współpracujących z żelazem Armco. Powszechnie wiadomo, że jony metali o zmiennej wartościowości działają niczym "trucizna" na gumę, katalizując jej starzenie. Podjęto próbę ilościowej analizy procesu modyfikacji warstwy wierzchniej polimeru, która determinuje warunki współpracy oraz trwałość węzła ciernego guma–metal.
The degree of the tribochemical modification of contact surfaces in a polymer – metal friction pair, taking into account the transfer of iron ions to a polymer counterface, was studied. The presence of iron ions in the surface layer of styrene-butadiene rubber (SBR) vulcanizates and ebonite, rubbed against Armco iron was confirmed by ToF – SIMS, RBS and SEM – EDS analyses. It is commonly known that ions of multiple valence metals are destructive to rubber, facilitating the ageing of the material. An attempt was made to quantitatively analyse the process of the surface modification of polymer, determining working conditions and the durability of the rubber – metal friction pair.
Źródło:
Tribologia; 2010, 5; 245-252
0208-7774
Pojawia się w:
Tribologia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Defect Transformations in Ion Bombarded InGaAsP
Autorzy:
Ratajczak, R.
Turos, A.
Stonert, A.
Nowicki, L.
Strupiński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504046.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.43.-j
61.72.-y
81.05.-t
82.80.-d
85.40.-e
Opis:
Damage buildup and defect transformations at temperatures ranging from 15 K to 300 K in ion bombarded InGaAsP epitaxial layers on InP were studied by in situ Rutherford backscattering/channeling measurements using 1.4 MeV $\text{}^4He$ ions. Ion bombardment was performed using 150 keV N ions and 580 keV As ions to fluences ranging from 5 × $10^{12}$ to 6 × $10^{14}$ at./$cm^2$. Damage distributions were determined using the McChasy Monte Carlo simulation code assuming that they consist of randomly displaced lattice atoms and extended defects producing bending of atomic planes. Steep damage buildup up to amorphisation with increasing ion fluence was observed. Defect production rate increases with the ion mass and decreases with the implantation temperature. Parameters of damage buildup were evaluated in the frame of the multi-step damage accumulation model. Following ion bombardment at 15 K defect transformations upon warming up to 300 K have also been studied. Defect migration beginning above 100 K was revealed leading to a broad defect recovery stage with the activation energy of 0.1 eV for randomly displaced atoms and 0.15 eV for bent channels defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 136-139
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
RBS/Channeling and TEM Study of Damage Buildup in Ion Bombarded GaN
Autorzy:
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Turos, A.
Nowicki, L.
Sathish, N.
Jóźwik, P.
Muecklich, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504096.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.82.Fk
61.85.+p
68.55.Ln
68.35.Dv
Opis:
A systematic study on structural defect buildup in 320 keV Ar-ion bombarded GaN epitaxial layers has been reported, by varying ion fluences ranged from 5 × $10^{12}$ to 1 × $10^{17}$ at./$cm^2$. 1 μm thick GaN epitaxial layers were grown on sapphire substrates using the metal-organic vapor phase epitaxy technique. Rutherford backscattering/channeling with 1.7 $MeV^4He$ beam was applied for analysis. As a complementary method high resolution transmission electron microscopy has been used. The later has revealed the presence of extended defects like dislocations, faulted loops and stacking faults. New version of the Monte Carlo simulation code McChasy has been developed that makes it possible to analyze such defects on the basis of the bent channel model. Damage accumulation curves for two distinct types of defects, i.e. randomly displaced atoms and extended defects (i.e. bent channel) have been determined. They were evaluated in the frame of the multistep damage accumulation model, allowing numerical parameterization of defect transformations occurring upon ion bombardment. Displaced atoms buildup is a three-step process for GaN, whereas extended defect buildup is always a two-step process.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 153-155
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stopping Power and Energy Straggling of Channeled He-Ions in GaN
Autorzy:
Turos, A.
Ratajczak, R.
Pągowska, K.
Nowicki, L.
Stonert, A.
Caban, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504098.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.82.Fk
61.85.+p
68.55.Ln
68.35.Dv
Opis:
GaN epitaxial layers are usually grown on sapphire substrates. To avoid disastrous effect of the large lattice mismatch a thin polycrystalline nucleation layer is grown at 500°C followed by the deposition of thick GaN template at much higher temperature. Remnants of the nucleation layer were visualized by transmission electron microscopy as defect agglomeration at the GaN/sapphire interface and provide a very useful depth marker for the measurement of channeled ions stopping power. Random and aligned spectra of He ions incident at energies ranging from 1.7 to 3.7 MeV have been measured and evaluated using the Monte Carlo simulation code McChasy. Impact parameter dependent stopping power has been calculated for channeling direction and its parameters have been adjusted according to experimental data. For virgin, i.e. as grown, samples, the ratio of channeled to random stopping power is constant and amounts to 0.7 in the energy range studied. Defects produced by ion implantation largely influence the stopping power. For channeled ions the variety of possible trajectories leads to different energy loss at a given depth, thus resulting in much larger energy straggling than that for the random path. Beam energy distributions at different depths have been calculated using the McChasy code. They are significantly broader than those predicted by the Bohr formula for random direction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 163-166
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Technology of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Superconducting Photodetectors
Autorzy:
Guziewicz, M.
Slysz, W.
Borysiewicz, M.
Kruszka, R.
Sidor, Z.
Juchniewicz, M.
Golaszewska, K.
Domagala, J.
Rzodkiewicz, W.
Ratajczak, J.
Bar, J.
Wegrzecki, M.
Sobolewski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492719.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.62.Bf
74.78.-w
81.15.Cd
81.15.Jj
Opis:
We report fabrication and characterization of ultrathin NbN and NbTiN films designed for superconducting photodetectors. Our NbN and NbTiN films were deposited on $Al_2O_3$ and Si single-crystal wafers by a high-temperature, reactive magnetron sputtering method and, subsequently, annealed at 1000°C. The best, 18 nm thick NbN films deposited on sapphire exhibited the critical temperature of 15.0 K and the critical current density as high as ≈ 8 × $10^6$ A/$cm^2$ at 4.8 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-076-A-079
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 33

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies