Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Ratajczak, R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 33
Tytuł:
Wydatki na restauracje i hotele w gospodarstwach domowych rolników w Polsce w latach 2005-2015
Expenditure on restaurants and hotels in farm households in Poland in 2005-2015
Autorzy:
Glowicka-Woloszyn, R.
Stanislawska, J.
Ratajczak, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/864771.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
The Polish Association of Agricultural and Agribusiness Economists
Opis:
Celem badań była ocena poziomu i częstości występowania wydatków na hotele i restauracje w gospodarstwach domowych rolników na tle pozostałych grup społeczno-ekonomicznych oraz diagnoza zmian tego zjawiska pomiędzy latami 2005, 2010 a 2015. Ponadto w pracy podjęto próbę identyfikacji wewnętrznych demograficznych i społeczno-ekonomicznych determinant popytu na hotele i restauracje w gospodarstwach domowych rolników. Analizy przeprowadzono na podstawie nieidentyfikowalnych danych pochodzących z badania Budżetów gospodarstw domowych przeprowadzonych przez GUS w latach 2005, 2010 i 2015.
The study aimed to assess changes in the incidence and the level of hotel and restaurant expenditure in farmer household budgets between 2005, 2010, and 2015 against the backdrop of other socio-economic groups. Moreover, an attempt was made to identify preference-shaping demographic, social and economic determinants of the demand for these services. The analysis drew on source data from individual microdata of Household Budget Survey conducted by the Central Statistical Office in 2005, 2010, and 2015.
Źródło:
Roczniki Naukowe Stowarzyszenia Ekonomistów Rolnictwa i Agrobiznesu; 2017, 19, 4
1508-3535
2450-7296
Pojawia się w:
Roczniki Naukowe Stowarzyszenia Ekonomistów Rolnictwa i Agrobiznesu
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
Autorzy:
Lenkiewicz, D.
Strupiński, W.
Zdunek, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Borysiuk, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Kościewicz, K.
Wesołowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis:
Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:
Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
LP MOVPE
GaN
4H-SiC
Opis:
Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Witalnosc wybranych drzewostanow debowych na potrzeby monitoringu stanu zdrowotnego
Autorzy:
Siwecki, R.
Ufnalski, K.
Ratajczak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/815666.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Leśne
Tematy:
witalnosc
drzewostany debowe
metody badan
stan zdrowotny lasu
Quercus
lesnictwo
dab
drzewa lesne
Źródło:
Sylwan; 2000, 144, 04; 133-139
0039-7660
Pojawia się w:
Sylwan
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ultrathin NbN Films for Superconducting Single-Photon Detectors
Autorzy:
Słysz, W.
Guziewicz, M.
Borysiewicz, M.
Domagała, J.
Pasternak, I.
Hejduk, K.
Rzodkiewicz, W.
Ratajczak, J.
Bar, J.
Węgrzecki, M.
Grabiec, P.
Grodecki, R.
Węgrzecka, I.
Sobolewski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504147.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.62.Bf
74.78.-w
81.15.Cd
81.15.Jj
Opis:
We present our research on fabrication and structural and transport characterization of ultrathin superconducting NbN layers deposited on both single-crystal $Al_2O_3$ and Si wafers, and $SiO_2$ and $Si_3N_4$ buffer layers grown directly on Si wafers. The thicknesses of our films varied from 6 nm to 50 nm and they were grown using reactive RF magnetron sputtering on substrates maintained at the temperature 850°C. We have performed extensive morphology characterization of our films using the X-ray diffraction method and atomic force microscopy, and related the results to the type of the substrate used for the film deposition. Our transport measurements showed that even the thinnest, 6 nm thick NbN films had the superconducting critical temperature of 10-12 K, which was increased to 14 K for thicker films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 200-203
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tribochemiczna modyfikacja warstwy wierzchniej polimeru w kontakcie ślizgowym z żelazem Armco
The tribochemical modification of the surface layer of a polymer in sliding contact with Armco
Autorzy:
Siciński, M.
Bieliński, D. M.
Grams, J.
Piątkowska, A.
Ratajczak, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/188113.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
elastomer
tarcie
modyfikacja
warstwa wierzchnia
friction
modification
surface laye
Opis:
Badano stopień tribochemicznej modyfikacji powierzchni współpracujących w ślizgowym kontakcie ciernym polimer–metal pod kątem obecności jonów metalu przeniesionych do przeciwpróbki. Metodami ToF-SIMS, RBS oraz SEM-EDS potwierdzono obecność jonów żelaza w warstwie wierzchniej wulkanizatów kauczuku butadienowo-styrenowego (SBR) oraz ebonitu współpracujących z żelazem Armco. Powszechnie wiadomo, że jony metali o zmiennej wartościowości działają niczym "trucizna" na gumę, katalizując jej starzenie. Podjęto próbę ilościowej analizy procesu modyfikacji warstwy wierzchniej polimeru, która determinuje warunki współpracy oraz trwałość węzła ciernego guma–metal.
The degree of the tribochemical modification of contact surfaces in a polymer – metal friction pair, taking into account the transfer of iron ions to a polymer counterface, was studied. The presence of iron ions in the surface layer of styrene-butadiene rubber (SBR) vulcanizates and ebonite, rubbed against Armco iron was confirmed by ToF – SIMS, RBS and SEM – EDS analyses. It is commonly known that ions of multiple valence metals are destructive to rubber, facilitating the ageing of the material. An attempt was made to quantitatively analyse the process of the surface modification of polymer, determining working conditions and the durability of the rubber – metal friction pair.
Źródło:
Tribologia; 2010, 5; 245-252
0208-7774
Pojawia się w:
Tribologia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transmission electron microscopy of In(Ga)As quantum dot structure
Autorzy:
Kątcki, J.
Ratajczak, J.
Łaszcz, A.
Phillipp, F.
Paranthoen, C.
Cheng, X. L.
Fiore, A.
Passaseo, A.
Cingolani, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378389.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Opis:
The application of transmission electron microscopy (TEM) to the investigation of In(Ga)As quantum dot (QD) structures grown on GaAs substrates is reviewed. Using various examples of the QD structures the advantages of using TEM for the analysis of QDs are presented. From plan-view TEM images the areal density of dots can be determined in real structures where QDs are embedded in the structure. Cross-sectional TEM images inform us about the real geometry of the structure, the shape, width and height as well as the distribution of QDs. It is especially useful for the investigations of multilayer QD structures.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2003, 35, 4; 1-6
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Technology of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Superconducting Photodetectors
Autorzy:
Guziewicz, M.
Slysz, W.
Borysiewicz, M.
Kruszka, R.
Sidor, Z.
Juchniewicz, M.
Golaszewska, K.
Domagala, J.
Rzodkiewicz, W.
Ratajczak, J.
Bar, J.
Wegrzecki, M.
Sobolewski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492719.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.62.Bf
74.78.-w
81.15.Cd
81.15.Jj
Opis:
We report fabrication and characterization of ultrathin NbN and NbTiN films designed for superconducting photodetectors. Our NbN and NbTiN films were deposited on $Al_2O_3$ and Si single-crystal wafers by a high-temperature, reactive magnetron sputtering method and, subsequently, annealed at 1000°C. The best, 18 nm thick NbN films deposited on sapphire exhibited the critical temperature of 15.0 K and the critical current density as high as ≈ 8 × $10^6$ A/$cm^2$ at 4.8 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-076-A-079
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stopping Power and Energy Straggling of Channeled He-Ions in GaN
Autorzy:
Turos, A.
Ratajczak, R.
Pągowska, K.
Nowicki, L.
Stonert, A.
Caban, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504098.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.82.Fk
61.85.+p
68.55.Ln
68.35.Dv
Opis:
GaN epitaxial layers are usually grown on sapphire substrates. To avoid disastrous effect of the large lattice mismatch a thin polycrystalline nucleation layer is grown at 500°C followed by the deposition of thick GaN template at much higher temperature. Remnants of the nucleation layer were visualized by transmission electron microscopy as defect agglomeration at the GaN/sapphire interface and provide a very useful depth marker for the measurement of channeled ions stopping power. Random and aligned spectra of He ions incident at energies ranging from 1.7 to 3.7 MeV have been measured and evaluated using the Monte Carlo simulation code McChasy. Impact parameter dependent stopping power has been calculated for channeling direction and its parameters have been adjusted according to experimental data. For virgin, i.e. as grown, samples, the ratio of channeled to random stopping power is constant and amounts to 0.7 in the energy range studied. Defects produced by ion implantation largely influence the stopping power. For channeled ions the variety of possible trajectories leads to different energy loss at a given depth, thus resulting in much larger energy straggling than that for the random path. Beam energy distributions at different depths have been calculated using the McChasy code. They are significantly broader than those predicted by the Bohr formula for random direction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 163-166
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Sposoby wzmocnienia górotworu dla poprawy stateczności wyrobisk korytarzowych na dużej głębokości w warunkach występowania zagrożeń naturalnych i technicznych w kopalniach węgla kamiennego
Ground control for ensuring the stabilization of roadways located at considerable depths in the conditions of natural and mining risks
Autorzy:
Wardas, A.
Bobek, R.
Śledź, T.
Twardokęs, J.
Ratajczak, A.
Głuch, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/394513.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Gospodarki Surowcami Mineralnymi i Energią PAN
Tematy:
górnictwo
obudowa wyrobisk korytarzowych
systemy obudowy
mining
roadway supports
heading support systems
Opis:
W praktyce polskiego górnictwa podziemnego powszechne zastosowanie znajdują dwa systemy obudowy wyrobisk górniczych, w którym pierwszy chroni przekrój wyrobiska (obudowy sztywne), a drugi konstrukcję obudowy (obudowy podatne np. typu ŁP). W warunkach głębokich kopalń istotnym elementem obudowy powinien się stać otaczający górotwór, który we współpracy z obudową powinien zapewnić stateczność wyrobiska. Uwarstwiony i naturalnie spękany masyw skalny wokół wyrobiska może być wzmocniony przez przyłożenie do jego powierzchni, jak również do głębszych warstw skalnych, siły ograniczającej jego deformacje, który powoduje wytworzenie korzystnego stanu naprężenia na obrysie wyłomu wyrobiska, zwiększenie sił tarcia zarówno między warstwami, jak i między spękaniami, ograniczanie możliwości rozwarstwiania się masywu. Uwzględniając złożone warunki geologiczno-górnicze przedstawiono systemy obudów wyrobisk górniczych, w których wzmocnienie górotworu stanowi istotny element obudowy. Omówiono rozwiązania konstrukcji obudów, w których wykorzystuje się obudowy podporowe współpracujące alternatywnie z kotwiami krótkimi, długimi, mechaniczną wykładką za obudową, iniekcją, sprężaniem skał wokół wyrobiska, stosowaniem betonu natryskowego izolacyjnego i konstrukcyjnego. Rozwiązanie obudowy kotwiowej i podporowo-kotwiowej zespolonej z górotworem z podpornością wstępną jest alternatywą zapewnienia stateczności wyrobiska, w którym stosowane środki i metody są poprawione i bardziej efektywnie wykorzystane tak, że wzmocnienie górotworu wokół wyrobiska powoduje zmniejszenie obciążenia obudowy ze strony deformującego się górotworu, a obudowa ma rosnącą podporność.
In the Polish underground mining practice, two heading support systems are commonly used. The first protects the section of the heading (rigid supports) while the second one protects the structure of the lining (i.e. yielding arch supports). In the conditions of deep mines, the surrounding rock mass should become a significant element of the supports. While cooperating with the supports, it should ensure the stability of the heading. The layered and naturally fractured rock mass around the heading may be reinforced by applying a force that limits its deformation to its surface as well as to deeper rock layers. The force then causes favourable stress conditions at the outline of the face of the heading, an increase in the friction forces both between the layers and between the fractures and a decrease in the probability of separation of the rock mass caused by bolting. While giving consideration to complex geological and mining conditions, the paper presents heading support systems in which the protection of the rock-mass constitutes a significant element of the support system. The paper also includes an overview of the support structures in which chock supports are used, cooperating alternatively with short and long rockbolts, the mechanical lining behind the supports, the injection, the compression of rocks around the heading as well as the application of insulating and structural shotcrete. The lining solution in the form of roof-bolting or roof-bolting with supports bonded with the rock mass and with an initial bearing capacity constitutes a modern alternative for providing the stability of the heading. In such a solution, the measures and methods are corrected and more effective. As a result, the protection of the rock mass around the heading causes a decreased load on the lining caused by the deformation of the rock mass while the lining is characterized by an increased load bearing capacity.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Instytutu Gospodarki Surowcami Mineralnymi i Energią PAN; 2016, 94; 53-66
2080-0819
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Instytutu Gospodarki Surowcami Mineralnymi i Energią PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Response of ZnO/GaN Heterostructure to Ion Irradiation
Autorzy:
Barcz, A.
Pągowska, K.
Kozubal, M.
Guziewicz, E.
Borysiewicz, M.
Dyczewski, J.
Jakieła, R.
Ratajczak, J.
Snigurenko, D.
Dynowska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402192.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.82.Fk
61.85.+p
68.35.Dv
Opis:
In this paper we report on the analysis of Al⁺-implanted ZnO/GaN bilayers in search for the damage production mechanism and possible ion mixing. 100 nm or 200 nm thick ZnO epitaxial layers were grown on GaN substrates by either sputter deposition or atomic layer deposition technique followed by adequate annealing. Ion irradiations of ZnO/GaN were carried out at room temperature using 200 keV Al⁺ ions with fluences of 2×10¹⁵ and 10¹⁶ at./cm². Unprocessed and irradiated samples were characterized by the Rutherford backscattering spectrometry in channeling geometry (RBS\c), X-ray diffraction and transmission electron microscopy. Additionally, secondary ion mass spectrometry was employed for the aforementioned samples as well as for the implanted samples subjected to further annealing. It was found that the damage distributions in ZnO/GaN differ considerably from the corresponding defect profiles in the bulk ZnO and GaN crystals, most probably due to an additional strain originating from the lattice mismatch. Amount of intermixing appears to be relatively small; apparently, efficient recombination prevents foreign atoms to relocate to large distances.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 832-835
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Photoemission Spectroscopy Study on the Contribution of the Yb 4f States to the Electronic Structure of ZnO
Autorzy:
Demchenko, I.
Melikhov, Y.
Konstantynov, P.
Ratajczak, R.
Barcz, A.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1030972.pdf
Data publikacji:
2018-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
77.55.hf
74.25.Jb
33.60.+q
Opis:
The electronic structure of Yb implanted ZnO has been studied by the resonant photoemission spectroscopy. The contribution of the Yb 4f partial density of states is predominant at binding energy about 7.5 and ≈11.7 eV below the VB maximum. At photon energy about 182 eV the multiplet structure around 11.7 eV shows the strongest resonance that corresponds to the ¹I multiplet which is almost exclusively responsible for this resonance, while ³H and ³F states are responsible for the resonance around 7.5 eV. It was also found that the Yb 4f partial density of states distribution shows some similarity to Yb₂O₃.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 4; 907-909
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
RBS/Channeling and TEM Study of Damage Buildup in Ion Bombarded GaN
Autorzy:
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Turos, A.
Nowicki, L.
Sathish, N.
Jóźwik, P.
Muecklich, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504096.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.82.Fk
61.85.+p
68.55.Ln
68.35.Dv
Opis:
A systematic study on structural defect buildup in 320 keV Ar-ion bombarded GaN epitaxial layers has been reported, by varying ion fluences ranged from 5 × $10^{12}$ to 1 × $10^{17}$ at./$cm^2$. 1 μm thick GaN epitaxial layers were grown on sapphire substrates using the metal-organic vapor phase epitaxy technique. Rutherford backscattering/channeling with 1.7 $MeV^4He$ beam was applied for analysis. As a complementary method high resolution transmission electron microscopy has been used. The later has revealed the presence of extended defects like dislocations, faulted loops and stacking faults. New version of the Monte Carlo simulation code McChasy has been developed that makes it possible to analyze such defects on the basis of the bent channel model. Damage accumulation curves for two distinct types of defects, i.e. randomly displaced atoms and extended defects (i.e. bent channel) have been determined. They were evaluated in the frame of the multistep damage accumulation model, allowing numerical parameterization of defect transformations occurring upon ion bombardment. Displaced atoms buildup is a three-step process for GaN, whereas extended defect buildup is always a two-step process.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 153-155
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
RBS/Channeling Analysis of Zinc Oxide Films Grown at Low Temperature by Atomic Layer Deposition
Autorzy:
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Guziewicz, E.
Gierałtowska, S.
Krajewski, T.
Luka, G.
Wachnicki, L.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400467.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
77.55.hf
81.05.Dz
81.15.Hi
68.55.ag
82.80.Yc
61.85.+p
Opis:
The results of the Rutherford backscattering/channeling study of ZnO layers are presented. ZnO layers were deposited on the silicon single crystals and GaN epitaxial layers at low temperature by atomic layer deposition. Deposition temperature varied between 100 and 300°C. A random spectra analysis was performed to determine layer thickness and composition. In turn, analysis of the aligned spectra allows us to study evolution of ingrown defects. The Rutherford backscattering study supports the results of X-ray photoelectron spectroscopy measurements, performed separately, that the ZnO-ALD layers deposited at low temperature contain a higher oxygen content. Composition measurements, performed as a function of growth temperature, show that oxygen content decreases with the increasing temperature of the atomic layer deposition growth process.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 899-903
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Problemy utrzymania chodników przyścianowych w warunkach zagrożeń naturalnych w KWK „Knurów-Szczygłowice Ruch Knurów
Problems with roadway maintenance related to hazardous natural conditions in the Knurów-Szczygłowice coal mine at Knurów
Autorzy:
Bobek, R.
Śledź, T.
Ratajczak, A.
Głuch, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/394837.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Gospodarki Surowcami Mineralnymi i Energią PAN
Tematy:
górnictwo
obudowa
wzmacnianie obudowy
utrzymywanie chodników przyścianowych
mining
support
support reinforcement
roadway maintenance
Opis:
Artykuł przedstawia doświadczenia kopalni „Knurów-Szczygłowice" Ruch Knurów w zakresie utrzymywania chodników przyścianowych w warunkach zagrożenia metanowego oraz zagrożenia tąpaniami. Wzrost zagrożenia metanowego wymusił na kopalni, oprócz stosowanego powszechnie odmetanowania, zmianę systemu przewietrzania wyrobisk ścianowych w celu niedopuszczenia do niebezpiecznych koncentracji metanu, co wiązało się niejednokrotnie z koniecznością utrzymywania chodników za frontem ściany. Dużym utrudnieniem było również utrzymywanie chodnika w skojarzonych zagrożeniach naturalnych - metanowym oraz tąpaniami - co wiązało się z doborem odpowiedniego układu podporowo-kotwiowego za frontem ściany dla przejęcia obciążenia górotworu, ograniczeniem liczby zatrudnionych pracowników do jego zabudowy oraz z dbałością o właściwą organizację robót. Prowadzone pomiary konwergencji utrzymywanych chodników za frontem ściany w jednostronnym otoczeniu zrobami zawałowymi pozwoliły na ich bezpośrednie porównanie oraz ich odniesienie do warunków geologiczno-górniczych w jakich zaprojektowano i utrzymywano poszczególne chodniki. Analiza wykonanych pomiarów konwergencji utrzymywanych chodników w warunkach wpływu zaszłości eksploatacyjnych kopalni „Knurów-Szczygłowice" Ruch Knurów pozwala przyjąć założenie, że utrzymywanie chodnika pod obszarem nieodprężonym w zasięgu wpływu równoległych krawędzi pokładów jest niezwykle trudne do realizacji z uwagi na pojawiające się duże obciążenia obudowy utrzymywanego chodnika oraz na pojawiające się znaczne wypiętrzanie warstw spągowych. Również ważnym aspektem podczas utrzymywania chodników za frontem ściany jest odpowiednia metodyka i wybór odpowiednich elementów układu podporowo-kotwiowego, mającego przenieść obciążenie za frontem biegu ściany, w nawiązaniu do warunków geologiczno-górniczych. Stosowanie niewłaściwie dobranych podpór bądź kotwi w zróżnicowanych warunkach geologiczno-górniczych, objawia się znacznym zaciskaniem wyrobiska za frontem ściany, utratą jego funkcjonalności, a w następstwie koniecznością ograniczenia biegu ściany w warunkach zagrożenia metanowego, bądź jego późniejszą przebudową w warunkach utrzymywania chodnika dla kolejnej ściany. Utrzymywanie chodników za frontem ściany powinno być również polem dla szukania nowych rozwiązań podpór o wysokiej nośności, spełniających jednocześnie kryteria ekonomiczne oraz kryteria bezpiecznej i prostej ich zabudowy w coraz trudniejszych warunkach pracy.
This paper presents the difficulties with maintaining roadways near the Knurów-Szczygłowice coal mine at Knurów due to methane and rockburst hazards. Increasing methane hazards forced the mine to change its system of ventilation and to undertake methane draining efforts to avoid the buildup of dangerous methane concentrations. This was often meant to maintain the stability of roadways behind the longwall face. A major difficulty was also roadway maintenance related to similar natural hazards with methane and rockburst. Actions taken entailed choosing an appropriate stand and roof bolting support system behind the longwall face, limiting the number of workers employed in its application, and managing proper work organization. Convergence measurements taken of the maintained roadways roadways featuring one adjacent longwall goaf allowed for comparisons and can serve as references for geological and mining considerations impacting future roadway design and maintenance. Analysis of convergence measurements from the former mining impact area in the Knurów-Szczygłowice coal mine indicates that roadway maintenance in the area that was not decompressed with parallel bed edges suffered severely, due to substantial support loads and floor heave. Proper methodology and choice of support system parts (able to bear loads behind the longwall face) commensurate with the local geology and mining conditions are also significant factors in roadways maintenance. Applying inappropriate props or bolts under diversified geological and mining conditions results in significant roadway convergence behind the longwall, the loss of a longwall's functionality which limits the longwall's lifespan due to methane hazards, or the later rebuilding of a longwall when maintaining the roadway for the next longwall. Roadway maintenance behind the longwall face should also be a field where new solutions are considered for high load capacity props considering the important criteria of cost, safety, and easy set up under increasingly difficult working conditions.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Instytutu Gospodarki Surowcami Mineralnymi i Energią PAN; 2014, 86; 123-149
2080-0819
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Instytutu Gospodarki Surowcami Mineralnymi i Energią PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 33

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies