Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Ratajczak, L." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-15 z 15
    Tytuł:
    Organ-specificity of esterase isoenzymes in Brassica seedlings
    Autorzy:
    Wilkins, A.
    Ratajczak, L.
    Czosnowski, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/68804.pdf
    Data publikacji:
    1993
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Genetyki Roślin PAN
    Tematy:
    genetyka roslin
    izoenzymy
    kapusta ogrodowa
    elektroforeza
    Brassica oleracea
    Źródło:
    Genetica Polonica; 1993, 34, 2; 147-152
    0016-6715
    Pojawia się w:
    Genetica Polonica
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Acteoside and related phenylethanoid glycosides in Byblis liniflora Salisb. plants propagated in vitro and its systematic significance
    Autorzy:
    Schlauer, J
    Budzianowski, J.
    Kukulczanka, K.
    Ratajczak, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/58376.pdf
    Data publikacji:
    2004
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Botaniczne
    Tematy:
    herb
    Byblidaceae
    Byblis liniflora
    desrhamnosylacteoside
    phenylethanoid glycoside
    chemotaxonomy
    isoacteoside
    propagation
    in vitro
    glycoside
    acteoside
    desrhamnosylisoacteoside
    Opis:
    From plantlets of Byblis liniflora Salisb. (Byblidaceae), propagated by in vitro culture, four phenylethanoid glycosides - acteoside, isoacteoside, desrhamnosylacteoside and desrhamnosylisoacteoside were isolated. The presence of acteoside substantially supports a placement of the family Byblidaceae in order Scrophulariales and subclass Asteridae. Moreover, the genera containing acteoside are listed; almost all of them appear to belong to the order Scrophulariales.
    Źródło:
    Acta Societatis Botanicorum Poloniae; 2004, 73, 1
    0001-6977
    2083-9480
    Pojawia się w:
    Acta Societatis Botanicorum Poloniae
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zmiany aktywności dehydrogenazy glutaminianowej (GDH) w odpowiedzi na głodzenie węglowodanowe i obecność metali ciężkich
    Autorzy:
    Lehmann, T.
    Kramarska, P.
    Smolag, J.
    Ratajczak, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/801658.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
    Opis:
    Celem pracy było porównanie wpływu cukru i metali ciężkich (kadmu i ołowiu) na aktywność oraz spektrum form molekularnych dehydrogenazy glutaminianowej (GDH). Doświadczenia przeprowadzono na izolowanych osiach zarodkowych łubinu żółtego, rosnących w kulturze in vitro (48 godz.). Stosowano dwa warianty hodowlane: pożywka Heller'a z sacharozą (tzw. „osie odżywione") i pożywka Heller'a bez sacharozy (tzw „osie głodzone). Oba warianty traktowano jonami kadmu i ołowiu. Oznaczenia aktywności NADH-GDH (aminacyjnej) i NAD-GDH (dezaminacyjnej) wykazały, że cukier wyraźnie hamuje aktywność enzymu w stosunku do wariantu głodzonego. Potraktowanie osi jonami zarówno kadmu, jak i ołowiu indukowało w osiach odżywionych głównie aktywność NADH-GDH, zaś w osiach głodzonych wzrastała aktywność NAD-GDH. Analizy elektroforetyczne wykazały, ż w obecności cukru następowała redukcja spektrum izoenzymatycznego GDH z ok. 22 form (osie głodzone) do ok. 14 from (osie odżywione). Izoenzymy te były indukowane ponownie w osiach odżywionych po dodaniu do pożywki kadmu lub ołowiu. W osiach głodzonych efektem obu metali były zmiany w intensywności wybarwienia poszczególnych izoenzymow. Uzyskane wyniki omawiane są w oparciu o mechanizm represji katabolicznej powodowanej przez cukier.
    Embryos of lupine (Lupinus luteus L.) deprived of cotyledons were cultured for 48 h in Heller medium with or without sucrose. Cd and Pb stress were imposed by adding Cd(SO₄)₂ and Pb(NO₃)₂ to the nutrient solutions at various concentrations. The metal's effects on the glutamate dehydrogenase activity (GDH) were analysed in comparison to trophic conditions. Sucrose starvation of embryos increased the total activity of GDH as well as the isoenzyme pattern. Some isoenzymes were negatively affected by catabolic repression and induced by carbon starvation. Repression affected mainly the more cathodic bands which were predominant in non-repressed conditions. Exposure of sucrose fed (+ S) and sucrose starved (-S) embryos to Cd and Pb treatment increased significantly the total activity of GDH (aminating and deaminating activities, NADH-GDH and NAD-GDH respectively). Additions of metals to sucrose fed (+S) embryos resulted in a marked enhancement of activity of cathodal isoenzymes of GDH. There were no significant changes in the number of isoenzymes between sucrose starved (-S) embryos treated either with Cd or Pb. The possible physiological role of GDH in regulation of metabolism of lupine embryos under stress conditions is disscused.
    Źródło:
    Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych; 2002, 481, 2
    0084-5477
    Pojawia się w:
    Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Rola ekoznakowania produktów konsumpcyjnych w podnoszeniu świadomości ekologicznej nabywców
    Influence of consumer products ecolabelling on environmental awarness increasing
    Autorzy:
    Kaźmierczak-Piwko, L.
    Dybikowska, A.
    Celińska, E.
    Ratajczak, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/113622.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    STE GROUP
    Tematy:
    ecolabelling
    ekoznakowanie
    ekoetykietowanie
    świadomość ekologiczna
    rozwój zrównoważony
    znaki ekologiczne
    ecolabels
    environmental awareness
    sustainable development
    Opis:
    Artykuł podejmuje tematykę stosowania znaków ekologicznych przez producentów w kontekście rosnącej świadomości ekologicznej nabywców produktów konsumpcyjnych. Skupiając się na teoretycznych aspektach związanych z pojęciem ekoznakowania ukazuje jego znaczenie w stymulowaniu popytu konsumpcyjnego oraz kreowaniu wizerunku firmy. Na postawie analizy piśmiennictwa, ukazany został wpływ jednego z procesów zarządzania środowiskowego, jakim jest umieszczanie znaków ekologicznych na produktach, na decyzje podejmowane w procesie nabywania produktów konsumpcyjnych wynikające ze wzrastającej świadomości ekologicznej.
    The article presents topic of using ecolabels, according to increasing consumer products purchasers’ environmental awareness. Focusing on theoretical aspects of ecolabelling conception shows his importance in consumer demand stimulating and enterprise’s image creating. On the basis of an analysis of the literature, influence of ecolabelling, which is one of environmental management processes, was shown in reference to process of consumers products’ purchasing, which is result of environmental awareness increasing.
    Źródło:
    Systemy Wspomagania w Inżynierii Produkcji; 2017, 6, 1; 122-128
    2391-9361
    Pojawia się w:
    Systemy Wspomagania w Inżynierii Produkcji
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Defect Transformations in Ion Bombarded InGaAsP
    Autorzy:
    Ratajczak, R.
    Turos, A.
    Stonert, A.
    Nowicki, L.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504046.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.43.-j
    61.72.-y
    81.05.-t
    82.80.-d
    85.40.-e
    Opis:
    Damage buildup and defect transformations at temperatures ranging from 15 K to 300 K in ion bombarded InGaAsP epitaxial layers on InP were studied by in situ Rutherford backscattering/channeling measurements using 1.4 MeV $\text{}^4He$ ions. Ion bombardment was performed using 150 keV N ions and 580 keV As ions to fluences ranging from 5 × $10^{12}$ to 6 × $10^{14}$ at./$cm^2$. Damage distributions were determined using the McChasy Monte Carlo simulation code assuming that they consist of randomly displaced lattice atoms and extended defects producing bending of atomic planes. Steep damage buildup up to amorphisation with increasing ion fluence was observed. Defect production rate increases with the ion mass and decreases with the implantation temperature. Parameters of damage buildup were evaluated in the frame of the multi-step damage accumulation model. Following ion bombardment at 15 K defect transformations upon warming up to 300 K have also been studied. Defect migration beginning above 100 K was revealed leading to a broad defect recovery stage with the activation energy of 0.1 eV for randomly displaced atoms and 0.15 eV for bent channels defects.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 136-139
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of nuclear techniques for characterization of materials surfaces : own investigations examples
    Autorzy:
    Sartowska, B.
    Piekoszewski, J.
    Waliś, L.
    Starosta, W.
    Barlak, M.
    Nowicki, L.
    Ratajczak, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/146726.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    conversion electron Mössbauer spectroscopy (CEMS)
    nuclear reaction analysis (NRA)
    nuclear techniques
    surface characterization
    surface modification
    Opis:
    Different methods and techniques for material characterization are often used as a standard procedure for the determination of material properties. Nuclear techniques provide new and more detailed information about the investigated materials. The main goal of the carried out experiments was to improve surface properties including wear, corrosion and high temperature oxidation resistance. Modification processes were carried out using high intensity pulsed plasma beams - HIPPB (106-108 W.cm-2) generated in a rod plasma injector (RPI). In most solid materials such treatment leads to a fast transient melting of the surface layer of the substrate followed by rapid crystallization. Heating and cooling processes are of non-equilibrium type. Initial and modified materials were characterized using different investigation methods including nuclear techniques. Results of the used nuclear techniques such as nuclear reaction analysis (NRA), Rutherford backscattered spectroscopy (RBS) and conversion electron Mössbauer spectroscopy (CEMS) are presented in the paper.
    Źródło:
    Nukleonika; 2012, 57, 4; 521-528
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Stopping Power and Energy Straggling of Channeled He-Ions in GaN
    Autorzy:
    Turos, A.
    Ratajczak, R.
    Pągowska, K.
    Nowicki, L.
    Stonert, A.
    Caban, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504098.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.82.Fk
    61.85.+p
    68.55.Ln
    68.35.Dv
    Opis:
    GaN epitaxial layers are usually grown on sapphire substrates. To avoid disastrous effect of the large lattice mismatch a thin polycrystalline nucleation layer is grown at 500°C followed by the deposition of thick GaN template at much higher temperature. Remnants of the nucleation layer were visualized by transmission electron microscopy as defect agglomeration at the GaN/sapphire interface and provide a very useful depth marker for the measurement of channeled ions stopping power. Random and aligned spectra of He ions incident at energies ranging from 1.7 to 3.7 MeV have been measured and evaluated using the Monte Carlo simulation code McChasy. Impact parameter dependent stopping power has been calculated for channeling direction and its parameters have been adjusted according to experimental data. For virgin, i.e. as grown, samples, the ratio of channeled to random stopping power is constant and amounts to 0.7 in the energy range studied. Defects produced by ion implantation largely influence the stopping power. For channeled ions the variety of possible trajectories leads to different energy loss at a given depth, thus resulting in much larger energy straggling than that for the random path. Beam energy distributions at different depths have been calculated using the McChasy code. They are significantly broader than those predicted by the Bohr formula for random direction.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 163-166
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies
    Autorzy:
    Gibki, J.
    Kątcki, J.
    Ratajczak, J.
    Łukasik, L.
    Jakubowski, A.
    Tomaszewski, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/309219.pdf
    Data publikacji:
    2000
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    microelectronics
    SOI technology
    characterization
    Opis:
    SOI fabrication process was characterized using electrical and TEM methods. The investigated SOI structures included partially and fully depleted capacitors, gated diodes and transistors fabricated on SIMOX substrates. From C-V and I-V measurements of gated diodes, the following parameters of partially depleted structures were determined: doping concentration in both n- and p-type regions, average carrier generation lifetimes in the region under the gate and generation velocity at top and bottom surfaces of the active layer. Structures with short lifetime were studied using a transmission electron microscope. TEM studies indicate that the quality of the active layer in the investigated structures is good. Moreover, these studies were used to verify the thicknesses determined by means of electrical characterization methods.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 81-83
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ekologiczne koszty rozwoju specjalnych stref ekonomicznych i stref aktywności gospodarczej w Polsce
    Ecological costs of the development of special economic zones and economic activity zones in Poland
    Autorzy:
    Kaźmierczak-Piwko, L.
    Dubicki, P.
    Budynek, M.
    Celińska, E.
    Kozak, M.
    Ratajczak, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/113684.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    STE GROUP
    Tematy:
    rozwój zrównoważony
    strefy aktywności gospodarczej
    ekologiczne efekty zewnętrzne
    Economic Activity Zones
    Special Economic Zones
    external ecological effects
    analysis of the results of the development policy
    Opis:
    Artykuł podejmuje problematykę środowiskowych kosztów rozwoju Specjalnych Stref Ekonomicznych SSE oraz Stref Aktywności Gospodarczej SAG w Polsce. Autorzy przedstawiając genezę tych obszarów, ich postępujący rozwój oraz stan obecny koncertują się na określeniu możliwości analizy „ekologicznych efektów zewnętrznych” związanych z ich funkcjonowaniem. Ponadto ukazują oni specyfikę i wybrane uwarunkowania prawne funkcjonowania tych obszarów. Jednocześnie przedstawiają syntetyczne propozycje działań systemowych, zmierzających do ułatwienia procesu analizy tych bardzo ważnych z punktu widzenia skutecznego prowadzenia „polityki zrównoważonego rozwoju” aspektów.
    The paper discusses the issue of environmental costs of the development of Special Economic Zones (SEZ) and Economic Activity Zones (EAZ) in Poland. The authors present the origins of the zones and their progressive development as well as their current status and focus on the analysis of ‘external ecological effects’ related to their functioning. Furthermore, they demonstrate the specific nature and legal conditions of the functioning of the zones. At the same time they present synthetic proposals of system actions facilitating the process of the analysis of these significant aspects of efficient implementation of the ‘policy of sustainable development’.
    Źródło:
    Systemy Wspomagania w Inżynierii Produkcji; 2017, 6, 1; 129-137
    2391-9361
    Pojawia się w:
    Systemy Wspomagania w Inżynierii Produkcji
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    On the Question of Ferromagnetism in Proton and He-Irradiated Carbon
    Autorzy:
    Szczytko, J.
    Juszyński, P.
    Teliga, L.
    Twardowski, A.
    Stonert, A.
    Ratajczak, R.
    Korman, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811995.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.Ck
    75.50.Dd
    Opis:
    We tried to repeat the observation of the ferromagnetic response in proton and He-irradiated carbon made by the group of Esquinazi et al. We used $He^+$ and $H^+$ beams focused on graphite sample. The amount of charge deposited in the sample was comparable to the amount of charge used by Esquinazi. Magnetic measurements were performed in SQUID magnetometer. The magnetization of the samples before and after irradiation was compared. We did not observe any ferromagnetic enhancement of magnetization of our irradiated samples. Even if experiment was not the same as Esqinazi's one, we can exclude some of the mechanisms of ferromagnetism proposed by Esquinazi.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1387-1390
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Oxygen Precipitation in Si:O Annealed under High Hydrostatic Pressure
    Autorzy:
    Misiuk, A.
    Bąk-Misiuk, J.
    Bryja, L.
    Kątcki, J.
    Ratajczak, J.
    Jun, J.
    Surma, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2030659.pdf
    Data publikacji:
    2002-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.10.-i
    61.72.Yx
    81.40.Vw
    Opis:
    Effect of hydrostatic pressure up to 1.2 GPa on oxygen-implanted silicon, Si:O (O$\text{}^{+}$ dose, D, within the 6×10$\text{}^{17}$-2×10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-2}$ range), treated at 1230-1570 K, was investigated by X-ray, transmission electron microscopy and photoluminescence methods. The pressure treatment affects oxygen precipitation and defect creation, especially in low oxygen dose implanted Si:O (D=6×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-2}$). Such investigation helps in understanding the stress related phenomena in Si wafers with buried insulating layer.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 719-727
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zastosowanie biostymulacji laserowej i przezskórnej elektrycznej stymulacji nerwów w połączeniu z kinezyterapią u pacjentów z zespołem bolesnego barku
    The application of laser biostimulation and percutaneous electrical stimulation of nerves, associated with kinesitherapy in patients suffering from the painful shoulder syndrome
    Autorzy:
    Kowalska, J.
    Boerner, E.
    Ratajczak, B.
    Kłęk-Górska, L.
    Kuciel-Lewandowska, J.
    Paprocka-Borowicz, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/261784.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki. Katedra Inżynierii Biomedycznej
    Tematy:
    laseroterapia
    laser
    bolesny bark
    TENS
    physiotherphy
    painful shoulder
    Transcutaneous Electrical Nerve Stimulation
    Opis:
    Badano efekty biostymulacji laserowej i przezskórnej elektrycznej stymulacji nerwów połączonych z kinezyterapią u pacjentów z zespołem bolesnego barku. W wyniku przeprowadzonych badań stwierdzono, że laseroterapia i przezskórna elektryczna stymulacja nerwów (TENS–Transcutaneous Electrical Nerve Stimulation) mają istotny wpływ na obniżenie poziomu bólu u pacjentów z zespołem bolesnego barku. Terapia promieniowaniem laserowym i terapia TENS przyczyniają się również do zwiększenia zakresu ruchu w obrębie stawów barkowych. Otrzymane wyniki sugerują, że laseroterapia i przezskórna elektryczna stymulacja nerwów mogą być stosowane w kompleksowej rehabilitacji chorych z zespołem bolesnego barku.
    In this paper the efficacy of laser biostimulation and transcutaneous electrical nerves stimulation TENS in patients suffering from the painful shoulder syndrome, is examined. Simultaneously, all patients were subjected to the kinesitherapy. It was proved that both: lasertherapy and TENS have a significant influence on decreasing the pain level. An increase of movement range in the shoulder joints was observed, as well. These therapies may be applied for the painful shoulder treatment.
    Źródło:
    Acta Bio-Optica et Informatica Medica. Inżynieria Biomedyczna; 2010, 16, 2; 109-113
    1234-5563
    Pojawia się w:
    Acta Bio-Optica et Informatica Medica. Inżynieria Biomedyczna
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    RBS/Channeling and TEM Study of Damage Buildup in Ion Bombarded GaN
    Autorzy:
    Pągowska, K.
    Ratajczak, R.
    Stonert, A.
    Turos, A.
    Nowicki, L.
    Sathish, N.
    Jóźwik, P.
    Muecklich, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504096.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.82.Fk
    61.85.+p
    68.55.Ln
    68.35.Dv
    Opis:
    A systematic study on structural defect buildup in 320 keV Ar-ion bombarded GaN epitaxial layers has been reported, by varying ion fluences ranged from 5 × $10^{12}$ to 1 × $10^{17}$ at./$cm^2$. 1 μm thick GaN epitaxial layers were grown on sapphire substrates using the metal-organic vapor phase epitaxy technique. Rutherford backscattering/channeling with 1.7 $MeV^4He$ beam was applied for analysis. As a complementary method high resolution transmission electron microscopy has been used. The later has revealed the presence of extended defects like dislocations, faulted loops and stacking faults. New version of the Monte Carlo simulation code McChasy has been developed that makes it possible to analyze such defects on the basis of the bent channel model. Damage accumulation curves for two distinct types of defects, i.e. randomly displaced atoms and extended defects (i.e. bent channel) have been determined. They were evaluated in the frame of the multistep damage accumulation model, allowing numerical parameterization of defect transformations occurring upon ion bombardment. Displaced atoms buildup is a three-step process for GaN, whereas extended defect buildup is always a two-step process.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 153-155
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    RBS/Channeling Analysis of Zinc Oxide Films Grown at Low Temperature by Atomic Layer Deposition
    Autorzy:
    Ratajczak, R.
    Stonert, A.
    Guziewicz, E.
    Gierałtowska, S.
    Krajewski, T.
    Luka, G.
    Wachnicki, L.
    Witkowski, B.
    Godlewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400467.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    77.55.hf
    81.05.Dz
    81.15.Hi
    68.55.ag
    82.80.Yc
    61.85.+p
    Opis:
    The results of the Rutherford backscattering/channeling study of ZnO layers are presented. ZnO layers were deposited on the silicon single crystals and GaN epitaxial layers at low temperature by atomic layer deposition. Deposition temperature varied between 100 and 300°C. A random spectra analysis was performed to determine layer thickness and composition. In turn, analysis of the aligned spectra allows us to study evolution of ingrown defects. The Rutherford backscattering study supports the results of X-ray photoelectron spectroscopy measurements, performed separately, that the ZnO-ALD layers deposited at low temperature contain a higher oxygen content. Composition measurements, performed as a function of growth temperature, show that oxygen content decreases with the increasing temperature of the atomic layer deposition growth process.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 899-903
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transmission electron microscopy of In(Ga)As quantum dot structure
    Autorzy:
    Kątcki, J.
    Ratajczak, J.
    Łaszcz, A.
    Phillipp, F.
    Paranthoen, C.
    Cheng, X. L.
    Fiore, A.
    Passaseo, A.
    Cingolani, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378389.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Opis:
    The application of transmission electron microscopy (TEM) to the investigation of In(Ga)As quantum dot (QD) structures grown on GaAs substrates is reviewed. Using various examples of the QD structures the advantages of using TEM for the analysis of QDs are presented. From plan-view TEM images the areal density of dots can be determined in real structures where QDs are embedded in the structure. Cross-sectional TEM images inform us about the real geometry of the structure, the shape, width and height as well as the distribution of QDs. It is especially useful for the investigations of multilayer QD structures.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2003, 35, 4; 1-6
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-15 z 15

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies