Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Radziewicz, K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell
    Autorzy:
    Dawidowski, W.
    Ściana, B.
    Zborowska-Lindert, I.
    Mikolásek, M.
    Latkowska, M.
    Radziewicz, D.
    Pucicki, D.
    Bielak, K.
    Badura, M.
    Kováč, J.
    Tłaczała, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226630.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    dilute nitrides
    AP MOVPE
    subcell
    tandem solar cell
    J-V characteristics
    Opis:
    Tandem (two p-n junctions connected by tunnel junction) and multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds and alloys are the most effective photovoltaic devices. Record efficiency of the MJSCs exceeds 44% under concentrated sunlight. Individual subcells connected in series by tunnel junctions are crucial components of these devices. In this paper we present atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (AP-MOVPE) of InGaAsN based subcell for InGaAsN/GaAs tandem solar cell. The parameters of epitaxial structure (optical and electrical), fabrication process of the test solar cell devices and current-voltage (J-V) characteristics are presented and discussed.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 2; 151-156
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Technology and properties of low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy grown InGaAs/AlInAs superlattice for quantum cascade laser applications
    Autorzy:
    Badura, M.
    Bielak, K.
    Ściana, B.
    Radziewicz, D.
    Pucicki, D.
    Dawidowski, W.
    Żelazna, K.
    Kudrawiec, R.
    Tłaczała, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173549.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    InGaAs
    AlInAs
    superlattice
    metalorganic vapour phase epitaxy
    MOVPE
    quantum cascade laser
    QCL
    Opis:
    Quantum cascade laser is one of the most sophisticated semiconductor devices. The active region of the quantum cascade laser consists of hundreds thin layers, thus the deposition precision is the most crucial. The main technique for the fabrication of quantum cascade laser structure is molecular beam epitaxy, however, the prevalence of metalorganic vapour phase epitaxy techniques in the fabrication of semiconductor structures causes a perpetual work on the improvement production of the entire quantum cascade laser structure by the metalorganic vapour phase epitaxy. The paper presents technological aspects connected with the metalorganic vapour phase epitaxy growth of InGaAs/AlInAs low-dimensional structures for quantum cascade laser active region emitting ~9.6 μm radiation. Epitaxial growth of superlattice made of InGaAs/AlInAs lattice matched to InP was conducted at the AIXTRON 3x2″ FT system. Optical and structural properties of such heterostructures were characterised by means of high resolution X-ray diffraction, photoluminescence, contactless electroreflectance and scanning electron microscope techniques. Epitaxial growth and possible solutions of structure improvements are discussed.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2016, 46, 2; 241-248
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Homologation tests of single-stage R02 reducer
    Autorzy:
    Radziewicz, K.
    Garbala, K.
    Cegłowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/196238.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Śląska. Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
    Tematy:
    LPG reducer
    aluminium alloy 226
    test procedures
    R02 reducer
    reduktor LPG
    stop aluminium 226
    procedury testowe
    reduktor R02
    Opis:
    This article presents the results of homologation tests of an LPG reducer. Due to the material requirements of the LPG reducer in this case, the R02 reducer, designed by the joint-stock company AC Spółka Akcyjna, is used. Test procedures, which must be carried out, are also presented and generally explained with specified conditions for conducting the processes. The advantages of using the R02 are also presented. The properties of aluminium alloy 226, which is the body of the reducer, are characterized and are divided into four groups: technological features/qualitative indications, physical properties, mechanical features and chemical composition. The whole article is summarized with appropriate conclusions.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe. Transport / Politechnika Śląska; 2018, 101; 149-157
    0209-3324
    2450-1549
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe. Transport / Politechnika Śląska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies