Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Raczkiewicz, E." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Fauna sposobem podnoszenia przyrodniczej atrakcyjności turystycznej obszaru
    Fauna as a way to increase natural tourist attractiveness of a specific area
    Autorzy:
    Graja-Zwolinska, S.
    Raczkiewicz, E.
    Spychala, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/882632.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Leśny Zakład Doświadczalny. Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej w Rogowie
    Tematy:
    atrakcje turystyczne
    zwierzeta
    fauna
    atrakcje przyrodnicze
    atrakcyjnosc turystyczna
    Źródło:
    Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej; 2013, 15, 4[37]
    1509-1414
    Pojawia się w:
    Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG
    Solution growth of 3C-SiC by TSSG method
    Autorzy:
    Raczkiewicz, M.
    Tymicki, E.
    Łukasiewicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192158.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    polityp 3C
    SiC
    wzrost z roztworu
    polytype 3C
    solution growth
    Opis:
    W tej pracy przedstawiono metodę wzrostu węglika krzemu politypu 3C. Jako zarodki posłużyły monokrystaliczne płytki węglika krzemu o politypach heksagonalnych 4H-SiC oraz 6H-SiC. Zbadano wzrost na płaszczyznach o orientacji (0001) oraz (000-1). Określony został zakres temperatur, pozwalający na otrzymanie struktur o wysokiej jednorodności politypowej, która została potwierdzona analizą fazową otrzymanego materiału oraz pomiarami widma Ramana.
    In this paper, solution growth of 3C-SiC was demonstrated. Monocrystalline 4H-SiC and 6H-SiC wafers were used as seeds. Growth was observed on (0001) and (000-1) planes. The temperature range enabling the fabrication of 3C-SiC structures of high polytypic homogeneity was determined and 3C-SiC growth was confirmed by XRD and Raman spectroscopy.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 2, 2; 4-11
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of symptoms of climacteric syndrome, depression and insomnia on self-rated work ability in peri- and post-menopausal women in non-manual employment
    Autorzy:
    Humeniuk, E.
    Bojar, I.
    Gujski, M.
    Raczkiewicz, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2085207.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Instytut Medycyny Wsi
    Tematy:
    depression
    insomnia
    peri- and post-menopausal women
    work ability index
    Greene Climacteric Scale
    Beck Depression Inventory
    Athens Insomnia Scale
    climacteric syndrome
    Opis:
    Objective. The aim of the study was evaluation of the relationship between severity of symptoms of climacteric syndrome, depressive disorders and sleep problems, and the self-rated work ability of peri-menopausal and post-menopausal women in non-manual employment. Materials and method. The study included 287 women aged 45–60 years, employed in various institutions as non-manual workers. Work Ability Index, Greene Climacteric Scale, Beck Depression Inventory, and Athens Insomnia Scale were used. Results. The examined peri-menopausal and post-menopausal women in non-manual employment obtained good work ability on the Work Ability Index. The severity of menopausal syndrome, according to the Greene Climacteric Scale, was moderate, placing the examined women between results for the general population of women and the pattern for menopausal women. Depressive disorders ranked between low mood and moderate depression. No depression was observed in 59% of the women, whereas moderate depression was observed in 39%, and severe depression in only 2%. Sleep disorders were on the border of normal range. As many as 46% of the women had no sleep problems, which was on the border of normal range in 36%. Only 19% of the examined women suffered from insomnia. Work ability correlated negatively with depression and insomnia severity, as well as with psychological and vasomotor symptoms of climacteric syndrome, but not to its somatic symptoms. Conclusions. Preventing the occurrence and treatment of menopausal symptoms, sleep and mood disorders may contribute to maintaining the work ability of women in peri- and post-menopausal age.
    Źródło:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2019, 26, 4; 600-605
    1232-1966
    Pojawia się w:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
    15R-SiC inclusions in 4H- and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method
    Autorzy:
    Tymicki, E.
    Raczkiewicz, M.
    Racka, K.
    Grasza, K.
    Kościewicz, K.
    Diduszko, R.
    Mazur, K.
    Łukasiewicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192088.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SiC
    15R-SiC
    wtrącenie politypowe
    metoda PVT
    polytype inclusion
    PVT method
    Opis:
    W pracy zaprezentowano wyniki eksperymentów, mających na celu określenie warunków wzrostu kryształów 4H- oraz 6H-SiC wolnych od wtrąceń politypu 15R-SiC. Kryształy SiC otrzymane w procesie krystalizacji metodą transportu fizycznego z fazy gazowej (PVT) zostały zbadane przy użyciu metod badawczych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), dyfrakcja elektronów wstecznie rozproszonych (EBSD), mikroskopia optyczna oraz trawienie chemiczne, pod kątem występowania wtrąceń politypu 15R w strukturach krystalicznych 4H- oraz 6H-SiC. Otrzymane wyniki badań zostały odniesione do parametrów wzrostu tj.: temperatury, ciśnienia, rodzaju materiału wsadowego, oraz jakości i orientacji monokrystalicznego zarodka SiC. Przeprowadzona została dyskusja na temat wpływu warunków wzrostu na powstawanie politypu 15R, z której jednoznacznie wynika, że tworzenie się wtrąceń politypowych 15R w strukturach 4H i 6H wiąże się ze znacznym spadkiem jakości strukturalnej otrzymanych kryształów. Z przeprowadzonych badań wynika, że otrzymanie jednorodnych kryształów politypu 6H i 4H bez wtrąceń 15R-SiC metodą PVT jest trudne ze względu na bardzo szeroki zakres warunków, w których polityp 15R występuje.
    In this paper the main problems which have to be resolved to obtain 4H- and 6H-SiC crystals free from 15R-SiC inclusions by the physical vapour transport method (PVT) are presented. The resultant SiC crystals have been investigated using various experimental methods such as X-ray diffraction (XRD), electron backscatter diffraction (EBSD), optical microscopy and KOH etching in order to check the quality of the crystal structure and the amount of the 15R-SiC inclusions. The obtained results have been analysed with reference to the following growth conditions: temperature, pressure, type of the SiC source material and the quality of the crystal seed. The investigations have showed that a serious deterioration of the structural quality is unavoidable when the 15R-SiC polytype occurs in hexagonal polytypes such as 4H- and 6H-SiC. Obtaining homogenious 4H-SiC and 6H-SiC crystals without any 15R-SiC inclusions by the PVT method is difficult due to there being a very wide range of conditions in which the 15R-SiC polytype appears.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 17-27
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies