Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Przesławski, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    On Linear Birefringence Anomalies in Crystals of Triglycine Family
    Autorzy:
    Przesławski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2010959.pdf
    Data publikacji:
    1999-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    77.80.Bh
    78.20.Fm
    Opis:
    Temperature dependence of the linear birefringence in TGS crystal family has been studied with a high temperature resolution. Temperature derivatives of the linear birefringence are compared with the specific heat transients measured for triglycine sulphate, triglycine selenate, and triglycine fluoberyllate crystals. Detailed studies revealed an anomaly of the linear birefringence at about 310 K for two cuts (a*- and c-cut) of the TGS crystal.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1999, 95, 6; 997-1004
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Linear Birefringence Changes in Betaine Phosphite Crystal
    Autorzy:
    Kosturek, B.
    Przesławski, J.
    Czapla, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929341.pdf
    Data publikacji:
    1993-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    64.70.Kb
    78.20.Fm
    Opis:
    Linear birefringence temperature changes are measured in the betaine phoshite crystal. The linear birefringence increments induced by antiferrodistortive, structural and ferroelectric phase transitions are analysed. Temperature derivatives of the linear birefringences are shown for comparison. Critical exponents are determined for both transitions. The antiferrodistortive phase transition is close to a tricritical one.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 6; 769-775
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    On the Structural Phase Transition in a Perovskite-Type Diaminopropanetetrachlorocuprate(II) NH₃(CH₂)₃NH₃CuCl₄ Crystal
    Autorzy:
    Czupiński, O.
    Ingram, A.
    Kostrzewa, M.
    Przesławski, J.
    Czapla, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1033438.pdf
    Data publikacji:
    2017-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    62.20.D-
    77.22.Gm
    78.70.Bj
    Opis:
    Chemical preparation, differential scanning calorimetry and thermal stability differential thermal gravimetry studies, positron annihilation lifetime investigations, optical observations as well as electric properties of the NH₃(CH₂)₃NH₃CuCl₄ crystal are presented. On the basis of the differential scanning calorimetry response the structural phase transition of the first order was observed at 436 K. The enthalpy and entropy of the phase transition are equal to 1120 J/mol and 2.57 J/(mol K), respectively. Differential thermal analysis and thermogravimetric analysis studies confirmed the phase transition at 436 K and one can conclude the chemical and thermal stability of the compound up to about 480 K. Optical observations showed a continuous change of colour from yellow to dark brown above the phase transition to 436 K. Dielectric measurements showed a significant increase of conductivity upon approaching the phase transition regions, with a significant increase above the phase transition temperature. An activation energy dependent on the temperature range, and different for each particular phase, is obtained from measurements of complex impedance.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 2; 304-310
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Low Field Relaxational Behavior of Taap Single Crystal (20-10$\text{}^{6}$ Hz)
    Autorzy:
    Fernández del Castillo, J. R.
    Iglesias, T.
    Przesławski, J.
    Gonzalo, J. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968856.pdf
    Data publikacji:
    1998-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    64.60.Fr
    77.80.-e
    Opis:
    Relaxational behavior of ferroelectric telluric acid ammonium phosphate crystals were investigated in the range 20 Hz to 1 MHz by means of low field measurements of ε' and tan δ in the vicinity of ferroelectric phase transitions at a number of frequencies. Results are compared with those for triglycine selenate, a much "softer" ferroelectric material. The measuring field and frequency dependence of the effective potential barrier height for domain wall motion are compared in both crystals.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 93, 3; 499-503
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Temperature dependence of galvanomagnetic properties of undoped n-type GaA/GaAs and n-type InGaAs/InP layers
    Autorzy:
    Wolkenberg, A.
    Przesławski, T.
    Regiński, K.
    Kaniewski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378421.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Opis:
    The magnetoresistance (MR) and the Hall-effect measurements in undoped n-type GaAs/GaAs and n-type In₀.₅₃Ga₀.₄₇As/InP samples in the temperature range 3.5 ÷ 300 K were carried out. We have obtained magnetoresistance data on the samples of n-type epilayers on SI GaAs and SI InP substrates made MBE technology. Magnetoresistance by measurements in constant magnetic fields vs. temperature are completed. The measurements reveal that the magnetoresisance of the samples strongly depends on the temperature and magnetic field.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2001-2002, 34, 1; 1-4
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Anomalous Behavior of the Hall Effect in III-V Heterostructures
    Autorzy:
    Dziuba, Z.
    Górska, M.
    Marczewski, J.
    Przesławski, T.
    Regiński, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2012953.pdf
    Data publikacji:
    2000-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Lk
    72.80.Ey
    Opis:
    The Hall effect and magnetoresistance were measured in the InAs/GaAs heterostructure at temperatures from 300 K down to 3 K, in a magnetic field range from 0.01 to 1.5 T. The anomalous magnetic field dependence of the Hall coefficient in the InAs/GaAs heterostructure in magnetic fields below 0.1 T was explained as due to an extraordinary Hall effect caused by skew scattering on dislocations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 2; 331-336
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies