Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Porte, L." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Oxidation Studies of the Graphite Surface by Scanning Tunneling Microscopy and Photoelectron Spectroscopy
Autorzy:
Klusek, Z.
Phaner, M.
Krapf, P.
Porte, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931811.pdf
Data publikacji:
1994-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Ch
33.60.Fy
Opis:
Scanning tunneling microscopy and spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy were used to study oxidation effects of nitric acid on highly oriented pyrolytic graphite surface. This treatment was performed at different temperatures and etching times with the aim of realizing local binding sites on the surface without creating deep defects. Then these three technics were found in good agreement to characterize the weakly oxidized surface. A wavy structure different from pure graphite at atomic scale was imaged by scanning tunneling microscopy. This modification was correlated to the presence of carboxylic groups on the surface revealed by X-ray photoelectron spectroscopy. Both spectroscopies of scanning tunneling and X-ray photoelectron demonstrated the vanishing of π bands characteristic from sp$\text{}^{2}$ graphitic hybridization. This was attributed to dehybridization corresponding to new bondings of the graphite carbons in the carboxylic groups.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 6; 947-954
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Surface Investigation by Scanning Tunnelling Microscopy in Liquid Medium
Autorzy:
Phaner, M.
Robach, Y.
de Villeneuve, C.
Wojczuk, S.
Olejniczak, W.
Porte, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929313.pdf
Data publikacji:
1993-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Ch
73.40.Gk
Opis:
Scanning tunneling microscopy in liquid environment has gained an increased interest in recent years. The specific features of the in situ observation of surface structures at the solid/liquid interface are first presented. Next, a high resolution imaging of high oriented pyrolytic graphite (HOPG) graphite surface shows the potentiality of our home-made microscope. The last study, performed on technological InP. substrates, illustrates the extensive applications of in situ imaging in the fields of semiconductor technology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 5; 611-619
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Models for the Interpretation of the Different Interfaces Sb/InP(I00) Using Quantitative Results of AES and EELS
Autorzy:
Gruzza, B.
Porte, A.
Bideux, L.
Jardin, C.
Miloua, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1892478.pdf
Data publikacji:
1992-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.Bs
68.35.Fx
72.80.Ey
82.80.Pv
Opis:
The model of quantitative interpretation of Auger electron spectroscopy (AES) results is described and some complementary electron energy loss spectroscopy (EELS) results are also reported. It is shown that the InP(100) surfaces perturbed by the Ar$\text{}^{+}$ cleaning treatment can be ordered by Sb deposition. The variations of different Auger lines are interpreted, and the transformations 3D → 2D of the initially formed In clusters can be well-followed during the first stages of the deposition.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 81, 2; 223-231
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies