Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Politanskyi, Ruslan" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Time interval switching device
    Urządzenie przełączające interwał czasowy
    Autorzy:
    Politanskyi, Ruslan
    Veryga, Andrij
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408487.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    microcontroller
    switch
    voltage
    semistor
    mikrokontroler
    przełącznik
    napięcie
    Opis:
    The proposed electronic switching device, which is a replacement (analogue) of the electromechanical switch KEP-12. The status and time settings are set for each channel separately through the device menu. It is characterized by less time and ease of reconfiguration.
    Proponowane jest elektroniczne urządzenie przełączające, które jest zamiennikiem (analogowym) przełącznika elektromechanicznego KEP-12. Status oraz ustawienia czasu zostają wyznaczone dla każdego kanału osobno poprzez menu urządzenia. Charakteryzuje się onozmniejszonączasochłonnością i łatwością rekonfiguracji.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 1; 12-15
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelling of spintronic devices for application in random access memory
    Modelowanie urządzeń spintronicznych do zastosowania w pamięci o dostępie swobodnym RAM
    Autorzy:
    Politanskyi, Ruslan
    Vistak, Maria
    Veryga, Andriy
    Ruda, Tetyana
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408022.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    STT-MRAM
    spin-polarized current
    binary symmetric channel
    prąd spolaryzowany spinowo
    symetryczny kanał binarny
    Opis:
    The article analyzes the physical processes that occur in spin-valve structures during recording process which occurs in high-speed magnetic memory devices.Considered are devices using magnetization of the ferromagnetic layer through transmitting magnetic moment bypolarized spin (STT-MRAM).Basic equations are derived to model the information recording process in the model of symmetric binary channel.Because the error probability arises from the magnetization process, a model of the magnetization process is formed, which is derived from the Landau-Lifshitz-Gilbert equations under the assumption of a single-domain magnet. The choice of a single-domain model is due to the nanometer size of the flat magnetic layer. The developed method of modeling the recording process determines the dependence of such characteristics as the bit error probability and the rate of recording on two important technological characteristics of the recording process: the value of the current and its duration. The endresult and the aim of the simulation is to determine the optimal values of the current and its duration at which the speed of the recording process is the highest for a given level of error probability. The numerical values of the transmission rate and error probability were obtained for a wide range of current values (10–1500 μA) and recording time of one bit (1–70 ns),and generally correctly describe the process of information transmission. The calculated data were compared with the technical characteristics of existing industrial devices and devices which are the object of the scientific research.The resulting model can be used to simulate devices using different values of recording currents: STT-MRAM series chips using low current values (500-100 μA), devices in the stage of technological design and using medium current values (100–500 μA) and devices that are the object of experimental scientific research and use high currents (500–1000 μA).The model can also be applied to simulate devices with different data rates, which have different requirements for both transmission speed and bit error probability. In this way, the model can be applied to both high-speed memory devices in computer systems and signal sensors, which are connected to sensor networks or connected to the IoT.
    W tym artykule analizowane są procesy fizyczne zachodzące w strukturach zaworów spinowych podczas procesu rejestrowania informacji, który występuje w urządzeniach z szybką pamięcią magnetyczną. Obiektem badańsą urządzenia wykorzystujące magnetyzację warstwy ferromagnetycznej poprzez przenoszenie momentu magnetycznego za pomocą spolaryzowanegospinu(STT-MRAM).Wyprowadzono podstawowe równania potrzebne do modelowania procesu rejestrowania informacji w modelu symetrycznego kanału binarnego.W związku z tym, żeprawdopodobieństwobłędu wynika z procesu magnesowania,stworzonyjest model procesu magnesowania, który został wyprowadzonyz równań Landaua-Lifshitza-Hilberta przy założeniu magnesu jednodomenowego.Wybór modelu jednodomenowego wynika z nanometrycznej wielkości płaskiej warstwy magnetycznej. Opracowana metoda modelowania procesu rejestrowaniainformacjiokreśla zależność wskaźników, takich jakprawdopodobieństwo błędnegobitu i szybkość transmisji informacji, od dwóch ważnych właściwości procesu rejestrowania: natężenia prądu i czasu jego trwania. Końcowym rezultatem i zarazem celem symulacji jest określenie optymalnych wartości natężenia prądu i czasutrwania rejestracji informacji, przy których prędkość procesu zapisu będzie najwyższa dla danego stopnia prawdopodobieństwa błędu. Uzyskano wartości liczbowe dla szybkości transmisji i prawdopodobieństwa błędu dla szerokiego zakresu natężenia prądu (10–1500 μA) i czasu rejestracji jednego bitu (1–70 ns), które ogólnie poprawnie opisują proces transmisji informacji. Wyniki obliczeń zostały porównane ze specyfikacją techniczną istniejących urządzeń przemysłowych i urządzeń będących obiektami badań naukowych.Powstały model można wykorzystać do symulacji urządzeń wykorzystujących różne wartości natężenia prądu: układy szeregowe STT-MRAM wykorzystujące niskie natężenie prądu (500–100 μA), urządzenia na etapie projektowania technologicznego, które wykorzystują średnie natężenie prądu (100–500 μA) oraz urządzenia będące obiektami eksperymentalnych badań naukowych, które wykorzystują wysokie natężenie prądu (500–1000 μA). Model można również zastosować w symulacjachurządzeń o różnych szybkościach transmisji danych, które mają różne wymagania dotyczące zarówno szybkości transmisji, jak i prawdopodobieństwa błędu w jednym bicie informacji.W ten sposób model ten można wykorzystać zarówno w urządzeniach z szybką pamięcią w systemach komputerowych, jak i w czujnikach sygnałów, które są podłączone do sieci czujników lub podłączone do Internetu rzeczy.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 1; 62-65
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies