Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Pisarkiewicz, T." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Amorphous Hydrogenated Silicon Films Studied by Schottky Barrier Method
    Autorzy:
    Kołodziej, A.
    Pisarkiewicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1879942.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.80.Ng
    Opis:
    The problem of the effective ohmic junction and the question of the barrier height for thin film structures of Al/a-Si:H/n$\text{}^{+}$c-Si/Al and Al/a-Si:H/n$\text{}^{+}$c-Si/Mo are studied. Current-voltage and temperature characteristics were measured and possible mechanisms of conductivity were extracted and discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 229-234
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Density of Gap States Deconvoluted from Photoconductive Spectra for Undoped Amorphous Silicon and Silicon-Carbon Thin Films
    Autorzy:
    Pisarkiewicz, T.
    Stapiński, T.
    Adriaenssens, G.
    Lauwerens, W.
    Rava, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1873043.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.20.Dx
    Opis:
    Density of states in amorphous hydrogenated silicon and silicon-carbon thin films were calculated by deconvolution of the optical absorption coefficient a! measured by constant photocurrent method. Addition of carbon to silicon lattice increases the optical band-gap and influences the distribution of defect states in the gap.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 407-410
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical Properties of Hydrogenated Amorphous Si$\text{}_{1-x}$Ge$\text{}_{x}$ Thin Films
    Autorzy:
    Pisarkiewicz, T.
    Stapiński, T.
    Kołodziej, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1879921.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.80.Ng
    72.40.+w
    73.60.Gx
    Opis:
    Thin films of hydrogenated amorphous Si-Ge alloys were obtained by r.f. sputtering in Ar + H$\text{}_{2}$ gas atmosphere using composite targets of Si and Ge. Dark conductivity and photoconductivity were measured in the temperature range of 300-500 K for films with x varying from 0.11 to 0.63. Both dark conductivity and photoconductivity exibit activation type dependences in the temperature range studied. Heterogeneity two-phase model and a model based on Fermi level shift with temperature were invoked to discuss the conduction mechanism.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 203-206
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mikrosystemy i Sensory
    Microsystems and Sensors
    Autorzy:
    Maksymowicz, L.
    Nowak, S.
    Leja, E.
    Pisarkiewicz, T.
    Stapiński, T.
    Zakrzewska, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/154228.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    optoelectronics
    semiconducting gas sensors
    modified multicrystalline silicon structures as a light detector thin film technology
    vacuum equipment
    magnetic tunnel junctions
    magnetic random access memory MRAM
    radio frequency identification (RFID)
    mine underground environment
    ceramic microsystem
    microfluidics
    LTCC
    photoimageable thick-films
    Opis:
    Prezentowana praca zawiera wybrane zagadnienia naukowe związane z rozwijaną od lat tematyką w Katedrze Elektroniki dotyczącą mikrosystemów i sensorów. Autorzy odnieśli się do szczegółowych zagadnień takich jak: półprzewodnikowe sensory gazu, zmodyfikowane struktury multikrystalicznego krzemu jako detektor światła, cienkowarstwowe magnetyczne złącza tunelowe i ich zastosowania. Opisano również opracowywane technologie i konstrukcje urządzeń próżniowych do wytwarzania cienkich warstw i układów wielowarstwowych. Zaprezentowano przykładowe zastosowania techniki sensorowej i radiowej identyfikacji obiektów RFID w sektorze energetycznym. Przedstawiono zastosowanie dwóch zaawansowanych technologii ceramicznych - współwypalanych folii ceramicznych LTCC oraz warstw grubych fotoformowalnych do wytworzenia elementów składowych mikrosystemu ceramicznego dla chromatografii - mikrokanału oraz płomieniowego detektora jonizacyjnego.
    The work deals with scientific problems connected with microsystems and sensor technology developed in Department of Electronics. The authors present their achievements such as semiconductor gas sensors, microcrystalline silicon light detectors, thin film magnetic tunnel junctions and their applications. Some vacuum systems for films and multilayers depositions were also designed and constructed by our scientific staff. The sensor and radio frequency identification (RFID) applications were also described. Two advanced ceramic technologies (photoimageable thick films and LTCC) has been successfully combined to obtain microfluidic structures - the microchannel and the flame ionisation detector which are intended to use in a simple, portable ceramic microsystem for chromatography.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 3, 3; 63-69
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Solution growth of ZnO sub-micro rods enhanced by electric field
    Autorzy:
    Pisarkiewicz, T.
    Kenig, T.
    Rydosz, A.
    Maziarz, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200101.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    nanowires
    electrodeposition
    dielectrophoretic effect
    zinc oxide
    Opis:
    Recently the one-dimensional ZnO nanostructures have attracted much attention in gas sensor applications owing to their increased role of the surface. The authors have obtained ZnO rods of sub-micron size using the solution growth method with the growth temperature below 100.C. Investigations indicate that the rods have a well-defined hexagonal morphology and a wurtzite structure. The best uniformity and alignment of the sub-micron crystals was however obtained when electrodeposition from aqueous solution was developed. Sizes of these rods depend on the growth parameters. Moreover electrodeposition leads to a faster growth rate of ZnO sub-micron rods (2 hrs) as compared to the growth from solution (8 hrs). After electrodeposition the rods can be easily reoriented in external electric fields by using substrates with electrodes of appropriate geometry and configuration (dielectrophoretic effect). This enables the preparation of samples which can be used in gas sensor technology.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 4; 425-428
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies