Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Pinto Simoes, V." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Effect of Oxygen Redistribution on Temperature Dependence of Pseudo-Gap in Underdoped $HoBa_{2}Cu_{3}O_{7-δ}$ Single Crystals
Autorzy:
Vovk, R.
Nazyrov, Z.
Obolenskii, M.
Pinto Simoes, V.
Januszczyk, M.
Latosińska, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1493662.pdf
Data publikacji:
2011-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.72.-h
Opis:
The effect of annealing at room temperature on the excess conductivity of oxygen deficient $HoBa_2Cu_{3}O_{7 - δ}$ single crystal is studied. It is shown that there is substantial extension of the interval of linear dependence $ρ_{ab}$ (T) and narrowing of the temperature area of the pseudo-gap regime as a result of annealing. The excess conductivity satisfies the exponential temperature dependence in a wide temperature interval. The temperature dependence of the pseudogap is satisfactorily described by the BCS-BEC theoretical model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 3; 512-515
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Vacancy-Fluorine Clusters in Silicon
Autorzy:
Chroneos, A.
Vovk, R.
Goulatis, I.
Nazyrov, Z.
Pinto Simoes, V.
Januszczyk, M.
Latosińska, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504564.pdf
Data publikacji:
2011-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
31.15.es
61.72.jd
61.72.uf
61.72.Yx
Opis:
Fluorine (F) doping and the formation of F-vacancy $(F_{n}V_{m})$ clusters have been extensively studied in silicon (Si) as they can suppress the transient self-interstitial mediated diffusion of boron (B). Recent experimental studies by Bernardi et al. revealed that there is no significant concentration of $F_{n}V_{m}$ clusters (for n ≥ 4, m ≥ 1) in disagreement with a number of density functional theory studies. In the present study we use electronic structure calculations to evaluate the binding energies of $F_{n}V_{m}$ clusters and $V_{n}$ clusters. The significant binding energies of the $V_{n}$ clusters reveals that the concentration of the large $F_{n}V_{m}$ clusters (n ≥4, m ≥1) will be limited compared to the $V_{n}$ clusters or even smaller clusters.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 6; 774-777
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies