Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Pasternak, W." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-11 z 11
Tytuł:
Ocena pracy wymienników ciepła ułożonych w różnych konfiguracjach zasilających pompę ciepła
Assessment of operaton of heat exchangers placed in various configurations feeding a heat pump
Autorzy:
Rutkowski, K.
Pasternak, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/287616.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Rolniczej
Tematy:
pompa ciepła
wymiennik
dolne źródło ciepła
grunt
heat pump
exchanger
lower heat source
ground
Opis:
W pracy przedstawiono analizę energetyczną poziomych gruntowych wymienników pompy ciepła. Przeprowadzono analizę trzech typów wymienników wykonanych z rur polietylenowych, ułożonych w gruncie w kształcie pojedynczego U podwójnego U oraz spiralnie. Wymienniki posadowione były na głębokości od 1,5 do 2,3 m. Określono wydajność cieplną wymienników przy zróżnicowanym zapotrzebowaniu energii. Dla istniejących warunków badań okazało się, że największą ilość energii uzyskuje się w wymienniku poziomym, ułożonym w konfiguracji podwójnego U, którego średnia jednostkowa wydajność mocy grzewczej wynosiła 21,5 W z 1 mb rury. Moc jednostkowa uzyskiwana z pozostałych dwóch wymienników była średnio o 40% mniejsza i wahała się w zakresie 8 do 17 W z 1 mb rury.
The paper presents the energy analysis of horizontal ground exchangers of a heat pump. Three types of exchangers made of polyethylene pipes, placed in the ground single U, double U and spirally shaped were analysed. Exchangers were placed in the depth from 1.5 to 2.3 m. Thermal capacity of exchangers at varied energy demand was determined. For the existing research conditions, it was proved that the highest amount of energy is obtained in the horizontal exchanger placed in the double U configuration, the average unit thermal power capacity of which was 21.5 W from 1 current meter of a pipe. The unit power obtained from the remaining two exchangers was at the average by 40% lower and was within the range 8 to 17 W from 1 current meter of a pipe.
Źródło:
Inżynieria Rolnicza; 2013, R. 17, nr 3, t. 2, 3, t. 2; 301-308
1429-7264
Pojawia się w:
Inżynieria Rolnicza
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A New System for Acoustoelectronic Gas Sensors Analysis
Autorzy:
Jasek, K.
Miluski, W.
Pasternak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399357.pdf
Data publikacji:
2013-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
43.35.Pt
46.35.+z
68.35.Ja
Opis:
Typical approach to the surface acoustic waves sensors response analysis is based on the use of self-oscillating circuits with surface acoustic wave device working inside positive feedback loop of an amplifier. Such kind of parametric measurement allows to track the center frequency of the sensor changes in particular. The method is widely used mainly due to their relative simplicity. Unfortunately, it has many disadvantages like frequency (phase) instability, sensitivity to unwanted factors, surface acoustic wave substrate mass-load limit etc. A new system to the analysis of surface acoustic wave gas sensors response as well as an exemplary measurement results are described in the paper. The presented system make the first step to the more complex conception realization.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 3; 445-447
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New Approach to SAW Gas Sensors Array Response Measurement
Autorzy:
Jasek, K.
Miluski, W.
Pasternak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1493213.pdf
Data publikacji:
2011-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
43.35.Pt
46.35.+z
68.35.Ja
Opis:
Majority papers concerning surface acoustic wave sensors technology is devoted to the analysis of self-oscillating circuits with surface acoustic wave device and its basic frequency changes in particular. Such circuits are widely used mainly due to their relative simplicity. Unfortunately the price of the simplicity is such drawbacks like frequency instability, sensitivity to unwanted factors, surface acoustic wave surface load limit etc. A new approach to the analysis of surface acoustic wave gas sensors response is proposed in the paper. The approach significantly eliminates the disadvantages of commonly used so far methods of analysis.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 4; 639-641
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stanowisko do badania sensorów z akustyczną falą powierzchniową
A system for SAW sensors research
Autorzy:
Grabka, M.
Jasek, K.
Pasternak, M.
Miluski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/271324.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Centralny Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Aparatury Badawczej i Dydaktycznej, COBRABiD
Tematy:
sensory z akustyczną falą powierzchniową (AFP)
akustoelektroniczne układy pomiarowe
surface acoustic wave (SAW) sensors
SAW sensors measurement circuits
Opis:
Układy elektroniczne współpracujące z sensorami z AFP mają najczęściej postać oscylatora, którego zmiany częstotliwości rezonansowej odzwierciedlają zmiany prędkości propagacji AFP. Pomiar samych zmian częstotliwości rezonansowej utrudnia lub nawet uniemożliwia wydobycie istotnych informacji o mechanizmach oddziaływania warstwy sensorowej z otoczeniem. W pracy przedstawiono zaprojektowane i wykonane w Wojskowej Akademii Technicznej (WAT) stanowisko do badania sensorów z AFP, w którym klasyczny układ oscylatora został zastąpiony systemem liniowym z wymuszeniem zewnętrznym, generowanym przez stabilny generator sygnału ze schodkową modulacją częstotliwości. Obok pomiaru częstotliwości rezonansowej, układ umożliwia pomiary tłumienia i fazy AFP, co pozwala na pełniejsze wykorzystanie możliwości detekcyjnych sensorów. W pracy przedstawiono zasadę działania, opis konstrukcji stanowiska z prototypową matrycą czujników z AFP oraz opis oprogramowania sterującego.
An electronic circuits collaborating with SAW sensors have usually a self-oscillator architecture where resonant frequency changes reflect the SAW velocity changes. Unfortunately the measurements including the resonant frequency only make the substantial information concerning interaction mechanism between sensor layer and ambient gases hard or even impossible to extract. In the paper a prototype laboratory test stand for SAW sensors designed and manufactured in Military University of Technology is described. In the system typical self-oscillating circuits with SAW device working inside positive feedback loop was replaced by the linear system with stepped frequency source. The system allows the measurements of signal amplitude and phase shift besides frequency changes. It gives a possibility of more complete insight into the SAW-ambient gas interaction mechanism. In the paper operating principle of the system as well as control software for test stand with SAW matrix are described.
Źródło:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna; 2015, 20, 4; 251-258
2392-1765
Pojawia się w:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Doubly Periodic Sets of Thin Branched Inclusions in the Elastic Medium: Stress Concentration and Effective Properties
Autorzy:
Sulym, H.
Pasternak, I.
Kutsyk, S.
Grodzki, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/386923.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Białostocka. Oficyna Wydawnicza Politechniki Białostockiej
Tematy:
anizotropia
dwuokresowość
zbrojenie
anisotropic
doubly periodic
thin branched inclusion
reinforcement
effective modulus
Opis:
This paper considers the doubly periodic problem of elasticity for anisotropic solids containing regular sets of thin branched inclusions. A coupling principle for continua of different dimension is utilized for modeling of thin inhomogeneities and the boundary element technique is adopted for numerical solution of the problem. The branches of the inclusion can interact both inside the representative volume element and at the interface of neighbor representative elements. A particular example of the elastic medium reinforced by a doubly periodic set of I-beams is considered. Stress intensity and stress concentration inside and outside thin inclusions are determined. The dependence of the effective mechanical properties of the reinforced composite material on the volume fraction of the filament and its rigidity is obtained.
Źródło:
Acta Mechanica et Automatica; 2013, 7, 1; 48-52
1898-4088
2300-5319
Pojawia się w:
Acta Mechanica et Automatica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper
Porównanie własności grafenu otrzymanego metodą CVD na folii miedzianej oraz warstwie PVD miedzi
Autorzy:
Pasternak, I.
Grodecki, K.
Piątkowska, A.
Ciuk, T.
Caban, P.
Strupiński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192272.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
graphene on copper foils
PVD copper films
grain boundaries
Raman spectroscopy
grafen na folii miedzianej
warstwy PVD miedzi
granice ziaren
spektroskopia ramanowska
Opis:
Graphene synthesis by the CVD method performed on the surface of copper is one of the most promising techniques for producing graphene for low cost and large scale applications. Currently, the most commonly used Cu substrate for graphene growth is foil, however, there is still a need to find new substrates and improve the quality of graphene layers. Sputtered Cu films on insulating substrates are considered as an alternative. Here we show the properties of graphene grown by the CVD method on thin copper foil and PVD copper films on Si/SiO2 substrates. We compare data on the properties of graphene films transferred from different copper substrates onto SiO2/Si substrates. We note that graphene grown on sputtered Cu films creates a multilayer form on the boundaries which can be identified on micro-Raman maps and in SEM images.
Wytwarzanie grafenu metodą CVD na podłożach miedzianych jest jedną z najbardziej perspektywicznych metod otrzymywania grafenu ze względu na niski koszt podłoża oraz szerokie możliwości zastosowania w przemyśle. Obecnie najczęściej stosowanym do wzrostu grafenu podłożem miedzianym jest folia, jednakże ciągle istnieje potrzeba znalezienia nowego podłoża tak by poprawić jakość warstw grafenu. Jako alternatywę rozważa się cienkie warstwy miedzi wytwarzane metodami PVD osadzane na nieprzewodzącym podłożu. W niniejszym artykule przedstawiamy własności grafenu wytwarzanego metodą CVD na cienkiej folii miedzianej oraz na warstwach miedzi osadzonych na Si/SiO2. Porównujemy także wyniki otrzymane dla przeniesionych warstw grafenu z obu rodzajów próbek.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 26-33
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic Properties of Thin HfO$\text{}_{2}$ Films Fabricated by Atomic Layer Deposition on 4H-SiC
Autorzy:
Taube, A.
Gierałtowska, S.
Gutt, T.
Małachowski, T.
Pasternak, I.
Wojciechowski, T.
Rzodkiewicz, W.
Sawicki, M.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048120.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
77.55.dj
77.22.Jp
73.40.Qv
81.15.Gh
Opis:
Applicability of thin HfO$\text{}_{2}$ films as gate dielectric for SiC MOSFET transistor is reported. Layers characterisation was done by means of atomic force microscopy and scanning electron microscopy, spectroscopic ellipsometry and C-V and I-V measurements of MIS structures. High permittivity dielectric layers were deposited using atomic layer deposition. Investigation showed high value of κ = 15 and existence of high density surface states (5 × 10$\text{}^{12}$ eV$\text{}^{-1}$ cm$\text{}^{-2}$) on HfO$\text{}_{2}$/SiC interface. High leakage current is caused probably due to low conduction band offset between hafnium oxide and silicon carbide.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 696-698
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Influence of Humidity on the Resistance Structures with Graphene Sensor Layer
Autorzy:
Pustelny, T.
Setkiewicz, M.
Drewniak, S.
Maciak, E.
Stolarczyk, A.
Procek, M.
Urbańczyk, M.
Gut, K.
Opilski, Z.
Pasternak, I.
Strupinski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1418032.pdf
Data publikacji:
2012-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.07.Df
42.81.Pa
82.47.Rs
Opis:
In the paper the results of investigations are presented concerning the influence of humidity of air on the resistance of a gas sensor structure with a graphene layer. The affects of nitrogen dioxide and humidity action on graphene were studied. We indicated that humidity might play an important role in determining the gas sensing properties of the graphene layer. In the paper it has been shown that in the case of a nitrogen oxide sensor, the reaction of $NO_2$ with water vapour can generate permanent defects in graphene.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 5; 870-873
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ultrathin NbN Films for Superconducting Single-Photon Detectors
Autorzy:
Słysz, W.
Guziewicz, M.
Borysiewicz, M.
Domagała, J.
Pasternak, I.
Hejduk, K.
Rzodkiewicz, W.
Ratajczak, J.
Bar, J.
Węgrzecki, M.
Grabiec, P.
Grodecki, R.
Węgrzecka, I.
Sobolewski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504147.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.62.Bf
74.78.-w
81.15.Cd
81.15.Jj
Opis:
We present our research on fabrication and structural and transport characterization of ultrathin superconducting NbN layers deposited on both single-crystal $Al_2O_3$ and Si wafers, and $SiO_2$ and $Si_3N_4$ buffer layers grown directly on Si wafers. The thicknesses of our films varied from 6 nm to 50 nm and they were grown using reactive RF magnetron sputtering on substrates maintained at the temperature 850°C. We have performed extensive morphology characterization of our films using the X-ray diffraction method and atomic force microscopy, and related the results to the type of the substrate used for the film deposition. Our transport measurements showed that even the thinnest, 6 nm thick NbN films had the superconducting critical temperature of 10-12 K, which was increased to 14 K for thicker films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 200-203
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The sensibility of resistance sensor structures with graphene to the action of selected gaseous media
Autorzy:
Pustelny, T.
Setkiewicz, M.
Drewniak, S.
Maciak, E.
Stolarczyk, A.
Urbańczyk, M.
Procek, M.
Gut, K.
Opilski, Z.
Pasternak, I.
Strupinski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200915.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
graphene
resistance
sensor
hydrogen sensor
nitrogen dioxide sensor
Opis:
The paper presents resistance sensor structures with a graphene sensing layer. The structures were tested concerning their sensitivity to the affects of hydrogen, nitrogen dioxide and steam in an atmosphere of a synthetic air. Investigations have proved that resistance structures with a graphene layer are sensitive to the presence of the tested gases. The resistance of the structures amounted to about 10Ω, whereas changes in the resistances affected by the external gaseous medium were contained within the range of a several mΩ. The investigations confirmed that the resistance structures with graphene exposed to the affect of hydrogen in atmosphere of synthetic air change their resistances practically at once (within the order of only a few seconds). This indicates that such structures might be practically applied in sensors of hydrogen ensuring a short time of response.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2013, 61, 2; 293-300
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Morphology and Selected Properties of Core/Shell ZnTe-Based Nanowire Structures Containing ZnO
Autorzy:
Gas, K.
Janik, E.
Zaleszczyk, W.
Pasternak, I.
Dynowska, E.
Fronc, K.
Kolkovsky, V.
Kret, S.
Morhange, J. F.
Reszka, A.
Wiater, M.
Caliebe, W.
Karczewski, G.
Kowalski, B. J.
Szuszkiewicz, W.
Wojtowicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047950.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.37.Hk
68.37.Lp
68.65.La
81.07.Vb
Opis:
We report on an approach to fabricate ZnTe-based core/shell radial heterostructures containing ZnO, as well as on some of their physical properties. The molecular beam epitaxy grown ZnTe nanowires constituted the core of the investigated structures and the ZnO shells were obtained by thermal oxidation of ZnTe NWs. The influence of the parameters characterizing the oxidation process on selected properties of core/shell NWs were examined. Scanning electron microscopy revealed changes of the NWs morphology for various conditions of the oxidation process. X-ray diffraction, high resolution transmission electron microscopy, and Raman scattering measurements were applied to reveal the presence of ZnTe single crystal core and polycrystalline ZnO-shell of investigated structure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 612-614
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-11 z 11

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies